技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種坩堝制備方法，包括：步驟1，將粉末狀SiO2和TiO2按照質(zhì)量比1:1研磨均勻，作為備用物料；步驟2，在備用物料中加入分散劑、粘接劑進(jìn)行混合后，在常溫下進(jìn)行攪拌0.5小時(shí)～1小時(shí)，形成低導(dǎo)熱備用物料；步驟3，將坩堝本體加熱到30℃～60℃；步驟4，在坩堝本體的外側(cè)面距離坩堝底部100mm～250mm處涂刷低導(dǎo)熱備用物料形成低導(dǎo)熱涂層；步驟5，將涂刷完低導(dǎo)熱涂層的坩堝本體在相對(duì)濕度低于40％的常溫環(huán)境下自然干燥1小時(shí)～2小時(shí)。除此之外，本發(fā)明還公開(kāi)了一種多晶鑄錠爐，包括采用如上坩堝制備方法制成的坩堝。通過(guò)制備低導(dǎo)熱涂層并設(shè)置在坩堝本體的外壁，取代現(xiàn)有的護(hù)氈隔熱層，有效確保籽晶的平整性。

技術(shù)研發(fā)人員：李亮;肖貴云;黃晶晶;閆燈周;姜志興;梅坤;陳偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.12
技術(shù)公布日：2017.10.10