技術特征：

1.一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求3所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求4所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求1或2所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

7.根據(jù)權利要求6所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

8.根據(jù)權利要求1或2所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

9.根據(jù)權利要求1或2所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

10.根據(jù)權利要求9所述的一種高效率碳化硅單晶生長方法，其特征在于，

技術總結(jié)
本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長領域，尤其涉及一種高效率碳化硅單晶生長方法，所述方法包括以下步驟：（S.1）提供一個在豎直方向上從上至下溫度依次降低的逆向熱場環(huán)境；（S.2）將碳化硅粉料進行加熱處理，從而產(chǎn)生碳化硅升華氣；（S.3）將碳化硅升華氣隨載氣引入到熱場環(huán)境中，使得碳化硅升華氣在載氣的篩選下分層，從而得到位于熱場環(huán)境頂部的富硅氣氛以及位于熱場環(huán)境底部的過飽和氣氛；（S.4）將過飽和氣氛經(jīng)與設置于熱場環(huán)境底部的籽晶接觸，從而在籽晶表面生長碳化硅單晶。本申請通過逆向熱場設計、載氣篩選分層及碳粉動態(tài)補償機制，系統(tǒng)性解決了傳統(tǒng)碳化硅單晶生長中硅氣相富集抑制結(jié)晶速率、化學計量比失衡引發(fā)缺陷等問題。

技術研發(fā)人員：高冰,李璐杰
受保護的技術使用者：浙江晶越半導體有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/28