本發明涉及一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。

背景技術：

聚酰亞胺薄膜（PI膜）自上世紀60年代投入應用以來，以其優異的熱性能，介電性能和機械性能等使其成為電子和航天等工業領域的首選材料。隨著電子產業的發展，對聚酰亞胺特性要求越來越高，傳統的耐熱溫度已經無法滿足現有的市場需求。因此需要研究一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。

技術實現要素：

本發明的目的是為了解決上述現有技術的不足而提供一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。

為了實現上述目的，本發明所設計的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸70~80份、溶劑10~30份、耐高溫填料2~5份、偶聯劑2~3份、催化劑2~3份、稀土1~2份和金屬鈷2~4份，其中稀土與金屬鈷的重量比為1：2，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅10~40份、氧化鈦20~40份、氧化銻10~20份和氮化硼20~30份。

所述稀土為釹、钷、釤和銪中的一種。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為異氰酸酯或鈦酸酯。所述催化劑為三乙胺或二乙基吡啶。

上述耐高溫填料由氧化硅、氧化鈦、氧化銻和氮化硼這4種無機物組成，可以促進聚酰胺酸的成膜性，并提高聚酰亞胺薄的耐熱性；同時通過加入稀土與金屬鈷，則能有效地促進耐高溫填料發揮其特性，使得聚酰亞胺薄膜能在高溫下長期使用。

本發明得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，有較高的耐熱性，經測試，該聚酰亞胺薄膜能夠在高溫下能保持優良的電氣絕緣性，適用于耐高溫標識及印刷電路板打印等，廣泛應用于各大主機板、筆記本電腦和手機等電子電器行業。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明進一步說明。

實施例1：

本實施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸70份、溶劑10份、耐高溫填料2份、偶聯劑2份、催化劑2份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅10份、氧化鈦200份、氧化銻10份和氮化硼20份。所述稀土為釹。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為異氰酸酯。所述催化劑為三乙胺。

經測試，本實施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.0×10¹³Ω。

實施例2：

本實施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑30份、耐高溫填料5份、偶聯劑3份、催化劑3份、稀土2份和金屬鈷4份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅40份、氧化鈦40份、氧化銻20份和氮化硼30份。

所述稀土為釤。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為異氰酸酯。所述催化劑為三乙胺。

經測試，本實施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為4KV，表面電阻率為1.0×10¹³Ω。

實施例3：

本實施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑20份、耐高溫填料3份、偶聯劑3份、催化劑2份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅30份、氧化鈦30份、氧化銻10份和氮化硼20份。

所述稀土為銪。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為鈦酸酯。所述催化劑為三乙胺。

經測試，本實施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.8×10¹³Ω。

實施例4：

本實施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑20份、耐高溫填料4份、偶聯劑3份、催化劑3份、稀土2份和金屬鈷4份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅20份、氧化鈦20份、氧化銻20份和氮化硼20份。

所述稀土為釤。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為鈦酸酯。所述催化劑為二乙基吡啶。

經測試，本實施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為4KV，表面電阻率為1.5×10¹³Ω。

實施例5：

本實施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸75份、溶劑20份、耐高溫填料5份、偶聯劑3份、催化劑3份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅40份、氧化鈦30份、氧化銻10份和氮化硼20份。

所述稀土為钷。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯劑為異氰酸酯。所述催化劑為二乙基吡啶。

經測試，本實施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.5×10¹³Ω。