本發明涉及包裝材料的技術領域，尤其涉及一種透明阻氧阻水薄膜及其制備方法。
背景技術：
食品、藥品、電子器件等產品與氧氣和水接觸容易發生變質或被腐蝕，通常需要保存在無氧無水的氛圍中，因此，要求易變質、易被腐蝕的產品的包裝材料具有優異的阻氧和阻水性能。
塑料薄膜材料具有透明性、可彎折性，且阻氧和阻水性能優異，已被廣泛用作密封包裝材料。但塑料薄膜材料的熱穩定性差，機械穩定性不高，不能完全滿足密閉封裝的要求，從而限制了其應用。
通過在塑料薄膜材料的聚合物原料中加入適量無機填料，將無機填料作為分散相分散于聚合物有機相中，能夠增強塑料薄膜材料的熱穩定性和機械性能，同時還可以保持材料的透明性，提高材料的氣體阻隔性能。然而，在高濕度環境中，上述方法得到的有機-無機復合材料中的聚合物組分在水分子的作用下，容易產生塑化作用，氣密性變差，阻氧和阻水性能下降。
技術實現要素：
本發明的目的在于提供一種透明阻氧阻水薄膜及其制備方法。本發明所提供的透明阻氧阻水薄膜具有優異的氧氣和水蒸氣阻隔性能，且其制備工藝簡單，成本低廉。
本發明提供了一種透明阻氧阻水薄膜，包括薄膜基底和附著在所述薄膜基底上的阻氧阻水層，所述阻氧阻水層包括交替層疊的疏水改性水滑石納米片層和疏水性聚合物層；所述薄膜基底與阻氧阻水層中的疏水改性水滑石納米片層相接；所述薄膜的最外層為疏水性聚合物層；所述疏水改性水滑石納米片為平行于薄膜基底的有序取向結構；所述阻氧阻水層的總厚度為15～20μm；所述疏水改性水滑石納米片層由吐溫80對水滑石納米片改性得到；所述疏水改性水滑石納米片的長徑比為10～200。
優選的，所述薄膜基底的材質為聚乙烯、聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
優選的，所述疏水性聚合物層的材質為聚偏氟乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯或聚苯乙烯。
優選的，所述疏水改性水滑石納米片層的厚度為50～200nm。
優選的，所述疏水性聚合物層的厚度為1000～2500nm。
優選的，所述疏水改性水滑石納米片的長徑比為10～100。
本發明還提供了一種上述透明阻氧阻水薄膜的制備方法，包括以下步驟：
將水滑石納米片與吐溫80水溶液混合，室溫攪拌2～5h，進行疏水改性，得到疏水改性水滑石納米片；
將所述疏水改性水滑石納米片分散于水中，得到疏水改性水滑石納米片分散液；
將所述疏水改性水滑石納米片分散液和疏水性聚合物水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，得到透明阻氧阻水薄膜。
優選的，所述水滑石納米片與吐溫80的質量比為25～40:1。
優選的，所述疏水改性水滑石納米片分散液的質量濃度為0.3～0.8wt.％。
優選的，所述疏水性聚合物水分散液的質量濃度為2～5wt.％。
本發明提供了一種透明阻氧阻水薄膜，包括薄膜基底和附著在所述薄膜基底上的阻氧阻水層，所述阻氧阻水層包括交替層疊的疏水改性水滑石納米片層和疏水性聚合物層；所述薄膜基底與阻氧阻水層中的疏水改性水滑石納米片層相接；所述薄膜的最外層為疏水性聚合物層；所述疏水改性水滑石納米片為平行于薄膜基底的有序取向結構；所述阻氧阻水層的總厚度為15～20μm；所述疏水改性水滑石納米片層由吐溫80對水滑石納米片改性得到；所述疏水改性水滑石納米片的長徑比為10～200。本發明使用吐溫80對水滑石納米片進行改性，吐溫80的親水基吸附于水滑石納米片表面，疏水基在水滑石納米片的外部，使水滑石納米片具有疏水性，提高薄膜的阻水性能；大長徑比的疏水改性水滑石納米片和其平行于薄膜基底高度有序取向結構可以延長氧氣和水蒸氣透過薄膜的路徑，從而起到阻隔氧氣和水蒸氣的作用；此外，疏水改性水滑石納米片層與疏水性聚合物層交替層疊，保證了該有機-無機復合薄膜的穩定性。
實驗結果表明，本發明所提供的透明阻氧阻水薄膜具有優異的氧氣和水蒸氣阻隔性能，采用gb/t1038-2000標準對本發明所提供的透明阻氧阻水薄膜的透氣性進行測試，其氧氣透過量為29.7～48.2cm3·m-2·day-1，水蒸氣透過量為2.4～10.8cm3·m-2·day-1。
附圖說明
圖1實施例1所得疏水改性水滑石納米片的sem圖；
圖2實施例1所得透明阻氧阻水薄膜的xrd圖；
圖3實施例1所得透明阻氧阻水薄膜的sem平面圖；
圖4實施例1所得透明阻氧阻水薄膜的sem截面圖；
圖5實施例1所得透明阻氧阻水薄膜中的阻氧阻水層的tem截面圖；
圖6實施例1所得透明阻氧阻水薄膜的afm測試圖；
圖7實施例1所得透明阻氧阻水薄膜的氧氣和水蒸氣透過量圖；
具體實施方式
本發明提供了一種透明阻氧阻水薄膜，包括薄膜基底和附著在所述薄膜基底上的阻氧阻水層，所述阻氧阻水層包括交替層疊的疏水改性水滑石納米片層和疏水性聚合物層；所述薄膜基底與阻氧阻水層中的疏水改性水滑石納米片層相接；所述薄膜的最外層為疏水性聚合物層；所述疏水改性水滑石納米片為平行于薄膜基底的有序取向結構；所述阻氧阻水層的總厚度為15～20μm；所述疏水改性水滑石納米片層由吐溫80對水滑石納米片改性得到；所述疏水改性水滑石納米片的長徑比為10～200。
在本發明中，所述薄膜基底的材質優選聚乙烯、聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯，更優選聚對苯二甲酸乙二醇酯。本發明對所述薄膜基底的厚度沒有特殊要求，采用本領域常用的有機薄膜厚度即可。在本發明中，所述薄膜基底的厚度優選為0.15～0.30mm。
在本發明中，所述疏水性聚合物層的材質優選聚偏氟乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯或聚苯乙烯，更優選聚二甲基硅氧烷。
在本發明中，所述疏水性聚合物層的厚度為1000～2500nm，優選1500～2000nm。
在本發明中，所述疏水改性水滑石納米片層的厚度為50～200nm，優選100～150nm，更優選120～140nm。在本發明中，所述疏水改性水滑石納米片層厚度過大，則薄膜容易產生裂紋，其穩定性下降；所述疏水改性水滑石納米片層厚度過小，則薄膜的阻氧阻水性能變差。
在本發明中，所述疏水改性水滑石納米片的長徑比(即直徑與厚度的比值)為10～200，優選10～100，更優選30～45。在本發明中，所述疏水改性水滑石納米片的直徑為70～800nm，厚度為4～30nm。
本發明還提供了一種上述透明阻氧阻水薄膜的制備方法，包括以下步驟：
將水滑石納米片與吐溫80水溶液混合，室溫攪拌2～5h，進行疏水改性，得到疏水改性水滑石納米片；
將所述疏水改性水滑石納米片分散于水中，得到疏水改性水滑石納米片分散液；
將所述疏水改性水滑石納米片分散液和疏水性聚合物水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，得到透明阻氧阻水薄膜。
本發明先將水滑石納米片與吐溫80水溶液混合，室溫攪拌2～5h，經分離、洗滌、干燥，得到疏水改性水滑石納米片。在本發明中，所述水滑石納米片的直徑為70～800nm，厚度為4～30nm，長徑比為10～200。在本發明中，所述水滑石納米片的長徑比優選10～100，更優選30～45。
本發明對水滑石納米片的來源沒有特殊要求，可以是市售的水滑石納米片，也可以是自制的水滑石納米片。在本發明中，優選采用尿素法制備得到的水滑石納米片。
在本發明中，所述水滑石納米片的制備方法包括如下步驟：
將可溶性二價金屬鹽、可溶性三價金屬鹽、尿素和水混合，得到混合溶液；
將所述混合溶液在100～120℃，晶化20～30h，然后將反應體系冷卻至室溫，得到水滑石納米片。
本發明在制備水滑石納米片時，優選先配制可溶性二價金屬鹽與可溶性三價金屬鹽的混合金屬鹽溶液，然后將所述混合金屬鹽溶液與尿素溶液混合均勻，得到混合溶液。
在本發明中，所述可溶性二價金屬鹽優選為mg、zn或ni的可溶性鹽。
在本發明中，所述可溶性三價金屬鹽優選為fe、al或co的可溶性鹽。
在本發明中，所述可溶性二價金屬鹽中的金屬離子與所述可溶性三價金屬鹽中的金屬離子的摩爾比優選1:2～4，更優選1:2.5～3。
在本發明中，所述混合金屬鹽溶液中，可溶性二價金屬鹽的濃度優選0.2～0.6m，更優選0.3～0.5m。
在本發明中，所述尿素與所述混合金屬鹽溶液中金屬離子的總物質的量的摩爾比為2～4:1，優選2.8～3.2:1。
在本發明中，所述尿素溶液的濃度優選0.5～1.5m。
本發明對所述混合金屬鹽溶液與尿素溶液混合的順序沒有特殊要求，可以是將所述混合鹽溶液加入至尿素溶液，也可以是將所述尿素溶液加入至混合金屬鹽溶液中。
得到所述混合溶液后，本發明將所述混合溶液置于100～120℃的氛圍中，晶化20～30h，然后將反應體系冷卻至室溫，得到水滑石納米片。在本發明中，所述晶化的時間從所述混合溶液放入100～120℃的氛圍中時開始計時。在本發明實施例中，將所述混合溶液置于100～120℃的烘箱中進行晶化。
在本發明中，所述晶化的時間優選23～25h。在本發明中，所述晶化的過程中，反應體系逐漸出現渾濁。
在本發明中，所述冷卻的方式優選自然降溫。
本發明將反應體系冷卻至室溫后，優選通過固液分離得到固體，然后經洗滌、干燥得到水滑石納米片。本發明對固液分離的方式沒有特殊要求，采用本領域常用的固液分離方式即可，如過濾、離心。在本發明中，優選采用離心分離的方式進行固液分離。在本發明中，所述離心分離的轉速優選2000～3000r/min。在本發明中，所述離心分離的時間優選5～10min。
本發明對所述去離子水的用量沒有特殊要求，能夠將所述固體浸沒即可。在本發明中，所述洗滌的方式優選離心洗滌。本發明對洗滌的次數沒有特殊要求，洗滌至洗滌所述固體后的洗滌溶液為中性即可。在本發明中，所述洗滌的次數優選3～5次。
本發明對所述干燥的方式沒有特殊要求，可以是真空干燥，也可以是鼓風干燥，本發明實施例中采用鼓風干燥。在本發明中，所述干燥的溫度為50～70℃，優選55～65℃。在本發明中，所述干燥的時間為10～15h，優選12～14h。
在本發明中，所述水滑石納米片與吐溫80的質量比為25～40:1，優選30～35:1。
在本發明中，所述吐溫80水溶液的質量濃度為0.2～0.6wt.％，優選0.25～0.4wt.％。
在本發明中，所述攪拌的轉速為180～300r/min。
在本發明中，對水滑石納米片進行疏水改性后，優選進行固液分離、洗滌、干燥，得到疏水改性水滑石納米片。本發明對所述固液分離的方式沒有特殊要求，采用本領域常規的固液分離方式即可，如過濾、離心，本發明實施例中采用離心分離的方式進行固液分離。在本發明中，所述離心分離的轉速優選2000～3000r/min。在本發明中，所述離心分離的時間優選5～10min。
在本發明中，所述洗滌所用的溶劑優選采用去離子水。本發明對所述去離子水的用量沒有特殊要求，能夠將所述固體浸沒即可。在本發明中，所述洗滌的方式優選離心洗滌。在本發明中，所述離心洗滌的轉速優選2000～3000r/min。在本發明中，所述洗滌的次數優選3～5次。
本發明對所述干燥的方式沒有特殊要求，采用本領域常規的干燥方式即可，如鼓風干燥、真空干燥等。在本發明中，優選采用鼓風干燥。在本發明中，所述干燥的溫度優選50～70℃，更優選55～65℃。本發明對所述干燥的時間沒有特殊要求，能夠使疏水改性水滑石納米片干燥至恒重即可。
得到疏水改性水滑石納米片后，本發明將所述疏水改性水滑石納米片分散于水中，得到疏水改性水滑石納米片分散液。在本發明中，所述疏水改性水滑石納米片分散液的質量濃度為0.3～0.8wt.％，優選0.5～0.6wt.％。
得到疏水性水滑石納米片分散液后，本發明將所述疏水改性水滑石納米片分散液和疏水性聚合物水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，得到復合薄膜。
在本發明中，所述疏水性聚合物水分散液的質量濃度為2～5wt.％，優選3～4wt.％。
在本發明中，所述薄膜基底優選先進行清洗，再用于旋涂。在本發明中，所述清洗的步驟為將薄膜基底依次用丙酮、乙醇和去離子水進行超聲清洗。在本發明中，所述超聲清洗的超聲強度為20000～30000hz。在本發明中，使用各溶劑進行超聲清洗的時間獨立地為20～40min。
在本發明中，優選使用抽真空的方法將經清洗的薄膜基底吸附在旋轉涂覆機上，然后將疏水改性水滑石納米片分散液和疏水性聚合物水分散液交替旋涂于基底上。在本發明中，第一層旋涂層為疏水改性水滑石納米片分散液，第二層旋涂層為疏水性聚合物水分散液，依次交替旋涂，每一層疏水改性水滑石納米片分散液和一層疏水性聚合物水分散液為一個循環，最后一層為疏水性聚合物水分散液。在本發明中，旋涂疏水改性水滑石納米片分散液的過程中，旋轉涂覆機的轉速為1800～2200r/min；旋涂疏水性聚合物水分散液時，旋轉涂覆機的轉速為4500～5500r/min。
得到復合薄膜后，本發明將所述復合薄膜從涂膜機上分離出來，在室溫下晾干，得到透明阻氧阻水薄膜。在本發明中，所述晾干的時間為1～3h。
下面將結合本發明中的實施例，對本發明中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
實施例1
1、將5.1282gmg(no3)2·6h2o、3.7513gal(no3)3·9h2o溶于50ml去離子水中，得到混合金屬鹽溶液；將4g尿素溶于50ml去離子水中，得到尿素溶液；將所述金屬鹽溶液與尿素溶液混合，攪拌均勻，置于110℃的烘箱中，晶化24h，然后將反應體系自然冷卻至室溫，離心分離得到固體；用去離子水洗滌所述固體，至洗滌后的去離子水為中性，得到水滑石納米片；
2、按照水滑石納米片與吐溫80的質量比為35:1的比例將所述水滑石納米片分散于濃度為0.25wt.％的吐溫80水溶液中，室溫攪拌4h，然后經分離、洗滌、干燥得到疏水改性水滑石納米片；
3、分別配制質量濃度為0.5wt.％的疏水改性水滑石納米片水分散液，質量濃度為4wt.％的聚二甲基硅氧烷水分散液；
4、將聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗30min，然后用去離子水沖洗，得到聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；
5、將所述薄膜基底吸附于旋轉涂膜機上，將所述疏水改性水滑石納米片分散液和聚二甲基硅氧烷水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，循環旋涂15次，得到復合薄膜；
6、將所述復合薄膜從涂膜機上分離并晾干，得到透明阻氧阻水薄膜。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例步驟2得到的疏水改性水滑石納米片進行表征，如圖1所示。經測量其平均直徑為135nm，平均厚度為13nm，長徑比為10.39。由圖1可知，本發明所得疏水改性水滑石納米片為二維層狀結構，且粒徑分布均勻，具有較大的長徑比。
使用x射線衍射儀對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，如圖2所示，圖中(003)面、(006)面、(009)面、(010)面為水滑石特征峰，表明本實施例步驟1合成的固體為水滑石，且成功得到了含有水滑石的復合薄膜。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜進行表征，如圖3所示。圖3中顏色均一，說明本實施例所得透明阻氧阻水薄膜均一、完整，成膜良好。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜的截面進行表征，如圖4所示。由圖4可知，圖顏色最深的部分為薄膜基底，中等深度為阻氧阻水層，較淺的部分為背景，說明本發明所得透明阻氧阻水薄膜的結構為阻氧阻水層附著在薄膜基底上，且本實施例中阻氧阻水層厚度為18μm。
將本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行冷凍-180℃切片，并使用透射電子顯微鏡對其截面進行表征，如圖5所示。圖中淺色的層為疏水性聚合物層，深色的層為疏水改性水滑石納米片層，經測量，本實施例所得薄膜中，疏水性聚合物層的平均厚度為1140nm，疏水改性水滑石納米片層的平均厚度為60nm。
使用原子顯微鏡對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，如圖6所示。圖6中表面圓片即為疏水改性水滑石納米片，由圖6可知，本實施例所得薄膜中疏水改性水滑石納米片排列密集整齊，且均平行于基底平面，具有高度的有序取向性。
采用gb/t1038-2000標準對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜的氧氣和水蒸氣的透過性進行測試，并測試按照本實施例所述的方法循環旋涂5次(即阻氧阻水層為5層)、10次(即阻氧阻水層為10層)得到的薄膜以及本實施例所用薄膜基底的氧氣和水蒸氣的透過性進行測試，結果如圖7所示。隨著阻氧阻水層的層數增加，所得復合薄膜阻隔氧氣和水蒸氣的性能越好。阻氧阻水層為15層時，其氧氣透過量為48.2cm3·m-2·day-1，水蒸氣透過量為10.8cm3·m-2·day-1。
實施例2
1、將5.1282gmg(no3)2·6h2o、3.7513gal(no3)3·9h2o溶于50ml去離子水中，得到混合金屬鹽溶液；將4g尿素溶于50ml去離子水中，得到尿素溶液；將所述金屬鹽溶液與尿素溶液混合，攪拌均勻，置于100℃的烘箱中，晶化26h，然后將反應體系自然冷卻至室溫，離心分離得到固體；使用去離子水洗滌所述固體，至洗滌后的去離子水為中性，得到水滑石納米片；
2、按照水滑石納米片與吐溫80的質量比為30:1的比例，將所述水滑石納米片分散于濃度為0.25wt.％的吐溫80水溶液中，室溫攪拌4h，然后經分離、洗滌、干燥得到疏水改性水滑石納米片；
3、分別配制質量濃度為0.5wt.％的疏水改性水滑石納米片水分散液，質量濃度為3.5wt.％的聚偏氟乙烯水分散液；
4、將聚乙烯薄膜依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗30min，然后用去離子水沖洗，得到聚乙烯薄膜基底；
5、將所述薄膜基底吸附于旋轉涂膜機上，將所述疏水改性水滑石納米片分散液和聚偏氟乙烯水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，循環旋涂15次，得到復合薄膜；
6、將所述復合薄膜從涂膜機上分離并晾干，得到透明阻氧阻水薄膜。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例步驟2得到的疏水改性水滑石納米片進行表征，結果類似于實施例1。經測量其平均直徑為217nm，平均厚度為15nm，長徑比為14.47。
使用x射線衍射儀對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，所得結果類似于實施例1。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜表面均一、整齊，成膜良好。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜的截面進行表征，結果類似于實施例1，且本實施例中阻氧阻水層厚度為17.75μm。
使用透射電子顯微鏡對本實施所得薄膜的阻氧阻水層進行表征，結果類似于實施例1，疏水性聚合物層的平均厚度為1133nm，疏水改性水滑石納米片層的平均厚度為50nm。
使用原子顯微鏡對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜中疏水改性水滑石納米片均平行于基底平面，具有高度的有序取向性。
采用gb/t1038-2000標準對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜的氧氣和水蒸氣的透過性進行測試，其氧氣透過量為42.4cm3·m-2·day-1，水蒸氣透過量為8.2cm3·m-2·day-1。
實施例3
1、將5.1282gmg(no3)2·6h2o、3.7513gal(no3)3·9h2o溶于50ml去離子水中，得到混合金屬鹽溶液；將4g尿素溶于50ml去離子水中，得到尿素溶液；將所述金屬鹽溶液與尿素溶液混合，攪拌均勻，置于110℃的烘箱中，晶化24h，然后將反應體系自然冷卻至室溫，離心分離得到固體；使用去離子水洗滌所述固體，至洗滌后的去離子水為中性，得到水滑石納米片；
2、按照水滑石納米片與吐溫80的質量比為30:1的比例，將所述水滑石納米片分散于濃度為0.5wt.％的吐溫80水溶液中，室溫攪拌2h，然后經分離、洗滌、干燥得到疏水改性水滑石納米片；
3、分別配制質量濃度為0.5wt.％的疏水改性水滑石納米片水分散液，質量濃度為3.5wt.％的聚丙烯水分散液；
4、將聚氨酯薄膜依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗30min，然后用去離子水沖洗，得到聚氨酯薄膜基底；
5、將所述薄膜基底吸附于旋轉涂膜機上，將所述疏水改性水滑石納米片分散液和聚丙烯水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，循環旋涂15次，得到復合薄膜；
6、將所述復合薄膜從涂膜機上分離并晾干，得到透明阻氧阻水薄膜。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例步驟2得到的疏水改性水滑石納米片進行表征，結果類似于實施例1。經測量其平均直徑為528nm，平均厚度為17nm，長徑比為31.06。
使用x射線衍射儀對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，所得結果類似于實施例1。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜表面均一、整齊，成膜良好。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜的截面進行表征，結果類似于實施例1，且本實施例中阻氧阻水層厚度為18.15μm。
使用透射電子顯微鏡對本實施所得薄膜的阻氧阻水層進行表征，結果類似于實施例1，疏水性聚合物層的平均厚度為900nm，疏水改性水滑石納米片層的平均厚度為17.25nm。
使用原子顯微鏡對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜中疏水改性水滑石納米片均平行于基底平面，具有高度的有序取向性。
采用gb/t1038-2000標準對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜的氧氣和水蒸氣的透過性進行測試，其氧氣透過量為35.1cm3·m-2·day-1，水蒸氣透過量為4.6cm3·m-2·day-1。
實施例4
1、將5.1282gmg(no3)2·6h2o、3.7513gal(no3)3·9h2o、4g尿素溶于100ml去離子水中，攪拌均勻，置于110℃的烘箱中，晶化24h，然后將反應體系自然冷卻至室溫，離心分離得到固體；使用去離子水洗滌所述固體，至洗滌后的去離子水為中性，得到水滑石納米片；
2、按照水滑石納米片與吐溫80的質量比為25:1的比例，將所述水滑石納米片分散于濃度為0.25wt.％的吐溫80水溶液中，室溫攪拌4h，然后經分離、洗滌、干燥得到疏水改性水滑石納米片；
3、分別配制質量濃度為0.5wt.％的疏水改性水滑石納米片水分散液，質量濃度為4wt.％的聚苯乙烯水分散液；
4、將聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗30min，然后用去離子水沖洗，得到聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；
5、將所述薄膜基底吸附于旋轉涂膜機上，將所述疏水改性水滑石納米片分散液和聚苯乙烯水分散液交替旋涂于薄膜基底表面，循環旋涂15次，得到復合薄膜；
6、將所述復合薄膜從涂膜機上分離并晾干，得到透明阻氧阻水薄膜。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例步驟2得到的疏水改性水滑石納米片進行表征，結果類似于實施例1。經測量其平均直徑為773nm，平均厚度為18nm，長徑比為42.94。
使用x射線衍射儀對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，所得結果類似于實施例1。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜表面均一、整齊，成膜良好。
使用掃描式電子顯微鏡對本實施例得到的透明阻氧阻水薄膜的截面進行表征，結果類似于實施例1，且本實施例中阻氧阻水層厚度為20.3μm。
使用透射電子顯微鏡對本實施所得薄膜的阻氧阻水層進行表征，結果類似于實施例1，疏水性聚合物層的平均厚度為1280nm，疏水改性水滑石納米片層的平均厚度為73nm。
使用原子顯微鏡對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜進行表征，結果類似于實施例1，所得薄膜中疏水改性水滑石納米片均平行于基底平面，具有高度的有序取向性。
采用gb/t1038-2000標準對本實施例所得透明阻氧阻水薄膜的氧氣和水蒸氣的透過性進行測試，其氧氣透過量為29.7cm3·m-2·day-1，水蒸氣透過量為2.4cm3·m-2·day-1。
以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。