本實用新型涉及散熱
技術領域：
，具體涉及一種納米碳涂層散熱片。
背景技術：
：隨著電子器件大功率和微型化的發展趨勢，高效散熱已經成為制約器件性能和結構設計的關鍵瓶頸。現有技術采用在電子器件表面通過導熱雙面膠或者其他粘一層散熱片實現散熱。現有技術中普遍的散熱片裸材、表面發黑處理；裸材及發黑只能帶來外觀上的美觀效果，而在散熱方面帶來不了提升效果；并且發黑處理對環境污染極大，在現有技術中，由于散熱效率較低及表面涂層附著性能差，針對于工作頻率高CUP的電子產品，不能滿足該電子產品的散熱，電子產品的工作溫度較高，影響電子產品及電子元器件使用壽命與工作效率，并且表面發黑的散熱效果差，表面涂層工藝不環保，制造成本高的缺點。技術實現要素：有鑒于此，本實用新型針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種納米碳涂層散熱片，該納米碳涂層散熱片包括金屬層，在金屬層下表面的導熱雙膠面層，在金屬層上表面為載體層，在載體層上面還有一層碳納米管輻射層；該載體層將納米碳納米管輻射層與金屬層粘結一起，并將金屬層的熱量傳導到碳納米管輻射層，碳納米管輻射層通過紅外熱輻射和熱對流的雙重作用將電子器件的熱量帶走。該納米碳涂層散熱片尤其是針對現有輕薄的電子產品和在真空環境中使用的電子產品，可以在極小的密閉的空間環境中通過熱輻射進行熱交換，提高電子產品的散熱效率，降低電子產品的CPU及整機的工作環境溫度。為實現上述目的，本實用新型采用如下之技術方案：該納米碳涂層散熱片包括金屬層，在金屬層下表面的導熱雙膠面層，在金屬層上表面的載體層，在載體層上面還有一層碳納米管輻射層，其中載體層為超細碳管顆粒、環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑的混合物層，該載體層將碳納米管輻射層與金屬層粘結一起，并將金屬層的熱量傳導到碳納米管輻射層；優選的，金屬層為銅箔；優選的，金屬層為鋁箔。優選的，金屬層為銅鋁合金；優選的，碳納米管的D50為4-15nm。優選的，超細碳球顆粒的D50為0.1~0.3um。本實用新型有益效果是：該納米碳涂層散熱片采用金屬層與碳納米管輻射層結合的方式散熱。利用金屬高的熱導率，將芯片等器件熱量快速傳導到金屬層，并將熱量均勻化，為了更好實現熱傳遞，在金屬層下表面設置一層導熱雙面膠，將金屬層與芯片等器件緊密貼合，減小接觸熱阻。現有技術中散熱片能夠有效熱傳導，但是裸材及發黑的金屬散熱器難以將熱量散發出去，尤其是在密閉空間和真空環境中，通過載體層在金屬上表面粘結了一層具有高輻射特性的碳納米管輻射層，該碳納米管輻射層通過輻射和對流方式將熱量散發出去。尤其是針對密閉空間和真空環境中的熱對流缺失，通過熱輻射的作用更能將電子產品的CPU及整機內部的工作環境溫度降低。附圖說明圖1為該納米碳涂層散熱片結構示意圖。圖例解釋：1——碳納米管輻射層；2——載體層；3——金屬層；4——導熱雙面膠層。具體實施方式下面對本實用新型作進一步詳細描述：以下實施例中所用的碳納米管、超細碳球顆粒、環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑均為滿足性能要求的市售產品。實施例1按D50為4-15nm的碳納米管、超細碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱取1000g原料，倒入攪拌機中混合均勻，用無間隙機將其熔融擠出，隨后用高速萬能粉碎機將其粉碎，過篩即得到納米碳粉末涂料。在50um金屬銅箔3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑和消光劑、穩定劑按等會沉降靠近金屬銅箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會形成一層碳納米管層1，在固化后的復合結構的金屬銅箔一面貼合導熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如圖1所示，在使用過程中導熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過導熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬銅箔3，由于銅箔的高導熱率，將熱量迅速散開，減小芯片的局部過熱，同時通過載體層2中的超細碳球顆粒等高導熱物質將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過熱輻射和熱對流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進一步說明本實用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌行車記錄儀；第一種方案在主板頻蔽罩上設置納米碳涂層散熱片，第二種方案分別在主板頻蔽罩上和主板設置納米碳涂層散熱片。在環境溫度為70℃測得數據如下：測試項目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二環境溫度70℃70.2℃70.1℃前屏溫度T192.1℃89.2℃85.3℃后殼溫度T280.5℃75℃74.8℃芯片溫度T393.2℃83.8℃82℃前屏降幅溫度T12.9℃6.8℃后殼降幅溫度T25.5℃5.7℃芯片降幅溫度T39.4℃11.2℃從上表中的數據對比可以看出，使用納米碳涂層能有效降低行車記錄儀溫度，降低了產品的整體溫度。實施例2按D50為4-15nm的碳納米管、超細碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱取1000g原料，倒入攪拌機中混合均勻，用無間隙機將其為熔融擠出，隨后用高速萬能粉碎機將其粉碎，過篩即得到納米碳粉末涂料。在200um金屬鋁箔3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑等會沉降靠近金屬鋁箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會形成一層碳納米管輻射層1，從何形成穩定的從上到下的碳納米管輻射層1、載體層2和金屬鋁箔3復合結構，在固化后的復合結構的金屬鋁箔一面貼合導熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如圖1所示，在使用過程中導熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過導熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬鋁箔3，由于鋁箔的高導熱率，將熱量迅速散開，減小芯片的局部過熱，同時通過載體層2中的超細碳顆粒等高導熱物質將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過熱輻射和熱對流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進一步說明本實用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌機頂合；第一種方案在CPU芯片上粘貼納米碳涂層散熱片20*20mm納米碳鋁箔散熱片，第二種方案在芯片上粘貼一片為30*30mm納米碳鋁箔散熱片，在環境溫度為25℃測得數據如下：測試項目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二環境溫度25℃25.2℃24.9℃芯片溫度T188.5℃76℃69.9℃芯片溫度降幅T112.5℃18.6℃芯片溫度降幅比列T114.1%21%從上表中的數據對比可以看出，使用納米碳涂層能有效降低CPU芯片溫度，而且使用散熱片面積越大，輻射散熱效果越好。實施例3按D50為4-15nm的碳納米管、超細碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱取1000g原料，倒入攪拌機中混合均勻，用無間隙機將其為熔融擠出，隨后用高速萬能粉碎機將其粉碎，過篩即得到納米碳粉末涂料。在1mm金屬合金3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環氧樹脂、丙烯酸粘結劑、硅氧烷流平劑和消光劑、穩定劑按等會沉降靠近金屬鋁箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會形成一層碳納米管輻射層1，從而形成穩定的從上到下的碳納米管輻射層1、載體層2和金屬合金層3復合結構，在固化后的復合結構的金屬合金一面貼合導熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如1所示，在使用過程中導熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過導熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬合金層3，由于金屬合金的導熱率較高，能將芯片的熱量迅速散開，減小芯片的局部過溫，同時通過載體層2中的超細碳管顆粒等高導熱物質將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過熱輻射和熱對流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進一步說明本實用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌路由器；第一種方案在CPU芯片上設置25*25mm的納米碳涂層散熱片，第二種方案在芯片上設置一片為40*40mm的納米碳涂層散熱片，在環境溫度為25℃測得數據如下：測試項目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二芯片溫度T183.8℃70.2℃65℃芯片溫度降幅T113.6℃18.8℃芯片溫度降幅比列T116.2%22.4%從上表中的數據對比可以看出，使用納米碳涂層散熱片能有效降低CPU芯片溫度，而且使用散熱片面積越大，輻射散熱效果越好。最后說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的宗旨和范圍，其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍當中。當前第1頁1 2 3