技術特征：

1.一種真空器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的真空器件的制備方法，其特征在于，所述第一襯底包括若干個第一曝光單元，所述第一曝光單元內的非芯片區域均設置有至少一個所述對位標記，所述對位標記為十字形的刻度線結構；所述第二襯底包括若干個第二曝光單元，所述第二曝光單元內的非芯片區域均設置有至少一個所述對位凹槽，所述對位凹槽為十字形凹槽；所述對位凹槽的尺寸等于所述對位標記的尺寸。

3.根據權利要求2所述的真空器件的制備方法，其特征在于，該方法還包括：

4.根據權利要求1所述的真空器件的制備方法，其特征在于，在所述第一襯底的第一面形成器件層，具體包括：

5.根據權利要求4所述的真空器件的制備方法，其特征在于，在所述鍵合凹槽圍設區域內對應的器件層中形成多個空腔結構，并在所述芯片區域和所述非芯片區域交界處形成劃片道凹槽，具體包括：

6.根據權利要求1所述的真空器件的制備方法，其特征在于，在所述器件層的芯片區域形成鍵合凹槽和載盤電極，所述載盤電極位于所述鍵合凹槽的外側，并在所述器件層的非芯片區域形成對位標記，具體包括：

7.根據權利要求1所述的真空器件的制備方法，其特征在于，在所述第二襯底的第一面分別形成空腔結構凹槽、載盤裸露凹槽和對位凹槽，具體包括：

8.根據權利要求7所述的真空器件的制備方法，其特征在于，在所述空腔結構凹槽內形成吸氣劑結構，并在所述空腔結構凹槽的兩側形成焊料凸塊，具體包括：

9.根據權利要求1所述的真空器件的制備方法，其特征在于，所述第二襯底為高阻襯底。

10.一種真空器件，其特征在于，由權利要求1至9任一項所述的真空器件的制備方法制備而成，該結構包括：

技術總結
本發明提供了一種真空器件的制備方法、真空器件及電子設備，該方法通過將載盤凹槽設置在鍵合凹槽的外側，使載盤電極設置在空腔結構外，從而避免了載盤電極對空腔結構的真空效果造成影響，提高了空腔結構的真空效果。并，設置鍵合凹槽不僅可以在后續進行襯底鍵合時避免因焊料凸塊向周圍溢出而影響空腔結構的真空效果，還可以避免因焊料凸塊的凸起而影響襯底的鍵合效果，從而進一步提高了空腔結構的真空效果，并提高了襯底的鍵合效果。此外，提前在第二襯底上形成載盤裸露凹槽，可直接對鍵合后形成的真空器件進行研磨處理，以露出載盤電極和對位標記，避免了對空腔結構造成破壞的可能，從而更進一步提高了空腔結構的真空效果。

技術研發人員：陳光華,鄧楊
受保護的技術使用者：廣州增芯科技有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28