本發明涉及一種甜點識別，是一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法、裝置。

背景技術：

1、隨著國內油氣探勘開發地不斷深入，低滲儲層油氣儲量占到了探明儲量的三分之二以上，勘探開發潛力巨大。低滲儲層一般具有巖性復雜、非均質性強等特點，與常規油氣資源相比，開采難度大。近年來在低滲儲層中“甜點”一詞被廣泛使用，它是指物性、含油性較好、厚度發育的儲層，并且容易進行壓裂改造，壓后產能高，穩產能力強的部分。甜點對低滲儲層勘探開發非常重要，精準識別甜點，提高甜點鉆遇率，可有利于降低勘探開發成本，提高單井產能。

2、由于低滲儲層條件復雜，部分井評價的儲層甜點發育，但壓裂改造后產能低，部分井評價儲層可壓性好，壓后仍然沒有產量，故低滲儲層存在甜點發育程度、儲層的可壓性與壓裂后的產能不匹配的問題，所以仍需提高對低滲儲層甜點識別精度。

技術實現思路

1、本發明提供了一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法、裝置，克服了上述現有技術之不足，其能有效解決現有低滲儲層甜點識別方法存在的精度低的問題。

2、本發明的技術方案之一是通過以下措施來實現的：一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，包括：

3、根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度；

4、根據各簇的產量，并計算各簇產量貢獻率；

5、利用各簇裂縫發育程度的評價結果和各簇產量貢獻率，確定各簇的儲層品質分值，篩選出所有儲層品質分值大于等于門檻分值的簇，視為最佳甜點儲層段；

6、qn＝cnx×xn

7、其中，qn為單簇的儲層品質分值；xn為單簇裂縫發育程度評價結果；cnx為各簇產量貢獻率，n為簇序號，即第1簇、第2簇...第n簇，x為系數。

8、下面是對上述發明技術方案的進一步優化或/和改進：

9、上述還包括結合灰色關聯法，篩選出影響最佳甜點儲層的主控因素，包括：

10、針對某一最佳甜點儲層，在同一開發層位，選擇多口井進行產液剖面及偶極聲波測井，篩選出多個最佳甜點儲層樣本，將各個最佳甜點儲層樣本的地質參數作為自變量，最佳甜點儲層作為因變量，結合灰色關聯法選取權重系數大于自變量權重系數平均值的自變量作為影響最佳甜點儲層的主控因素；

11、以主控因素的下限值作為最佳甜點儲層的下限標準，其中主控因素的下限值為主控因素的最小值。

12、上述根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度，包括：

13、在壓裂前進行偶極聲波測井，獲得壓裂前地層各向異性gn；

14、

15、其中，s1為快橫波速度，s2為慢橫波速度，δs＝s1-s2；gn為地層各向異性，n為簇序號，即第1簇、第2簇...第n簇；

16、對井進行壓裂,壓裂后排采試產，清理井筒干凈，進行壓裂后偶極聲波測井，獲得壓裂后地層各向異性gn′；

17、確定壓裂前后地層各向異性的變化量en；

18、en＝gn′-gn

19、根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度；

20、

21、其中，emin為各向異性的變化量最小值；emax為各向異性的變化量最大值。

22、上述根據各簇的產量，并計算各簇產量貢獻率，包括：

23、測量壓裂后各簇產液剖面，獲得各簇的產量dn；

24、利用各簇的產量dn和當日總產量d計算各簇產量貢獻率cnx；

25、

26、上述最佳甜點儲層的門檻分值q門檻如下所示：

27、q門檻＝c平均×x平均

28、其中，c平均為簇的產量平均貢獻率；x平均為簇的裂縫發育平均分值，

29、本發明的技術方案之二是通過以下措施來實現的：一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別裝置，包括：

30、第一處理單元，根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度；

31、第二處理單元，根據各簇的產量，并計算各簇產量貢獻率；

32、識別單元，利用各簇裂縫發育程度的評價結果和各簇產量貢獻率，確定各簇的儲層品質分值，篩選出所有儲層品質分值大于等于門檻分值的簇，視為最佳甜點儲層段；

33、qn＝cnx×xn

34、其中，qn為單簇的儲層品質分值；xn為單簇裂縫發育程度評價結果；cnx為各簇產量貢獻率，n為簇序號，即第1簇、第2簇...第n簇，x為系數。

35、下面是對上述發明技術方案的進一步優化或/和改進：

36、上述還包括主控因素查找單元，結合灰色關聯法，篩選出影響最佳甜點儲層的主控因素，包括：

37、第一查找模塊，針對某一最佳甜點儲層，在同一開發層位，選擇多口井進行產液剖面及偶極聲波測井，篩選出多個最佳甜點儲層樣本，將各個最佳甜點儲層樣本的地質參數作為自變量，最佳甜點儲層作為因變量，結合灰色關聯法選取權重系數大于自變量權重系數平均值的自變量作為影響最佳甜點儲層的主控因素；

38、第二查找模塊，以主控因素的下限值作為最佳甜點儲層的下限標準，其中主控因素的下限值為主控因素的最小值。

39、本發明結合壓裂后各簇的產量貢獻率和壓裂后裂縫發育程度，篩選出產量高、壓裂裂縫發育的最佳甜點儲層，提高了低滲儲層甜點識別精度，還可以結合灰色關聯法逆向分析最佳甜點儲層在錄井、測井等資料上的主控因素，指導后期鉆井地質導向，提高最佳甜點儲層鉆遇率，指導壓裂分段分簇，提高最佳甜點儲層的動用率。

技術特征：

1.一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，還包括結合灰色關聯法，篩選出影響最佳甜點儲層的主控因素，包括：

3.根據權利要求1或2所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，所述根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度，包括：

4.根據權利要求1或2所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，所述根據各簇的產量，并計算各簇產量貢獻率，包括：

5.根據權利要求3所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，所述根據各簇的產量，并計算各簇產量貢獻率，包括：

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法，其特征在于，所述最佳甜點儲層的門檻分值q門檻如下所示：

7.一種應用如權利要求1至6中任意一項所述方法的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別裝置，其特征在于，包括：

8.根據權利要求7所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別裝置，其特征在于，還包括主控因素查找單元，結合灰色關聯法，篩選出影響最佳甜點儲層的主控因素，包括：

9.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質上存儲有能被計算機讀取的計算機程序，所述計算機程序被設置為運行時執行如權利要求1至6任一項所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法。

10.一種電子設備，其特征在于，包括處理器和存儲器，所述存儲器中存儲有計算機程序，計算機程序由處理器加載并執行以實現如權利要求1至6任一項所述的結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法。

技術總結
本發明涉及一種甜點識別技術領域，是一種結合動靜態參數的低滲儲層甜點識別方法、裝置，包括根據壓裂前后地層各向異性的變化量，評價各簇裂縫發育程度；根據各簇的產量，計算各簇產量貢獻率；利用各簇裂縫發育程度的評價結果和各簇產量貢獻率，確定各簇的儲層品質分值，篩選出所有儲層品質分值大于等于門檻分值的簇，視為最佳甜點儲層段。本發明結合壓裂后各簇的產量貢獻率和壓裂后裂縫發育程度，篩選出產量高、壓裂裂縫發育的最佳甜點儲層，提高了低滲儲層甜點識別精度，還可以結合灰色關聯法逆向分析最佳甜點儲層在錄井、測井等資料上的主控因素，指導后期鉆井地質導向，提高最佳甜點儲層鉆遇率，指導壓裂分段分簇，提高最佳甜點儲層的動用率。

技術研發人員：王倩,羅鴻成,封猛,陳依偉,董宏,秦嘉敏,張新奇,王煒龍
受保護的技術使用者：中國石油天然氣股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28