一種非對稱電壓結構振動噪聲半主動控制電路的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，包括模擬開關信號產生單元、開關方式切換單元、MOSFET隔離驅動單元、MOSFET同步開關組單元、附加電源單元、串聯震蕩單元、電壓檢測單元、非對稱控制單元，實現同步開關精確切換，壓電元件電壓非對稱比例高，翻轉電壓范圍大，對結構振動進行更有效地控制，在結構振動控制中具有廣泛的應用前景。
【專利說明】
一種非對稱電壓結構振動噪聲半主動控制電路

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種非對稱壓電半主動振動控制電路，尤其涉及一種基于電壓同步開關阻尼技術和電壓非對稱翻轉技術的非對稱半主動振動控制電路。
[0002]

【背景技術】
[0003]壓電半主動控制方法是基于壓電主動和被動控制技術發展起來的一種新的振動控制方法，目前正得到廣泛地研究。目前，基于壓電材料的結構振動控制方法主要可分為三種:主動控制、被動控制和半主動控制。壓電半主動控制方法是基于壓電主動和被動控制技術發展起來的一種新的振動控制方法，目前正得到廣泛地研究。具有代表性的是一種基于非線性同步開關阻尼技術的半主動振動控制方法，這種方法被稱為SSD技術(SSD:Synchronized Switch Damping),在電路中串聯電感和開關等一些簡單的電子元件使得壓電元件上的電能被快速消耗或實現電壓翻轉，從而達到減振的目的。與被動、主動控制方法相比，這種方法的控制系統簡單，僅僅開關工作需要外界能量，因此控制所要的外界能量很小，不需要精確的結構振動模型，且控制效果比較穩定，適合于寬頻帶振動控制，這些使得該方法在結構振動控制方面具有廣闊的研究前景。目前，基于非線性同步開關阻尼技術的半主動振動控制方法主要分為三種，短路同步開關阻尼技術(SSDS技術)，電感同步開關阻尼技術(SSDI技術)和電壓同步開關阻尼技術(SSDV技術)。
[0004]在以往的研究中，對于非線性同步開關阻尼技術的半主動振動控制方法實現電路，存在結構振動位移極值判斷不精確、模擬方法實現的開關電路無法工作在高點壓條件下，且相應速度慢，導致壓電元件無法翻轉至較高電壓且保持；大多數半主動振動控制方法實現電路中壓電元件兩端電壓翻轉都是對稱的，而對于需要電壓非對稱翻轉的壓電元件，該方法則有其局限性。即使有些電路系統中加入了非對稱翻轉控制電路，這些電路也由于實現方法上的復雜性導致非對稱開關相應時間慢，壓電元件電壓非對稱翻轉不理想。
[0005]


【發明內容】

[0006]技術問題
本發明要解決的技術問題是提供一種非對稱半主動振動控制電路，用于實現非對稱壓電半主動振動控制的方法，其結合基于電壓同步開關阻尼技術和電壓非對稱翻轉技術，實現結構振動電路。
[0007]技術方案
為了解決上述的技術問題，本發明的非對稱半主動振動控制方法實現電路包括模擬開關信號產生單元、開關方式切換單元、MOSFET隔離驅動單元、MOSFET同步開關組單元、附加電源單元、串聯震蕩單元、電壓檢測單元、非對稱控制單元；
所述模擬開關信號產生單元與開關方式切換相連，用于接收振動位移信號，通過模擬電路對被控對象的振動位移信號極值進行判斷以產生開關信號并將開關信號輸出到開關方式切換單元；
所述開關切換單元與MOSFET隔離驅動單元和外部控制器相連，用于在外部控制器選擇信號的控制下選擇開關信號，并將開關信號輸出到MOSFET隔離驅動單元；
所述MOSFET隔離驅動單元用于對開關信號進行浮地隔離，同時分離出兩路放大的開關控制信號，并將控制信號輸出到MOSFET同步開關組單元；
所述MOSFET同步開關組單元與串聯振蕩單元和附加電源單元相連，在所述兩路放大的開關控制信號的控制下切換施加在串聯震蕩單元的電壓極性，并輔助串聯震蕩單元形成電壓翻轉與回路隔斷；
所述附加電源單元與外部控制器相連，用于產生兩路壓值相等、極性相反的翻轉電壓源，并在外部電壓控制信號的控制下動態調節翻轉電壓源壓值；
所述串聯震蕩單元與電壓檢測單元和非對稱控制單元相連，利用LC震蕩原理實現壓電元件上的電壓在被控對象振動位移達到極值時翻轉，即極性改變；
所述電壓檢測單元與非對稱控制單元和外部控制器相連，用于對壓電元件上的高電壓進行衰減、緩沖，并將衰減緩沖后的電壓信號輸出到非對稱控制單元和外部控制器；
所述非對稱控制單元與串聯震蕩單元相連，用于輔助串聯震蕩單元實現壓電元件兩端電壓的非對稱翻轉。
[0008]更近一步地，該電路與外部控制器配合使用，在外部控制器控制下實現完整功能。
[0009]更近一步地，所述模擬開關信號產生單元包括:第一運算放大器、第二運算放大器、第一比較器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容、第二電容、第三電容；
所述第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第一運算放大器依次相連接，構成二階濾波電路，對振動幅值信號進行濾波后輸出到第一比較器同相輸入端和第三電阻一端；所述第三電阻、第三電容和第二運算放大器依次相連接，構成一階移相電路，對從所述第三電阻一端輸入的信號進行移相后輸出到第一比較器反相輸入端；
所述第一比較器同相輸入端與第一運算放大器的輸出端相連，反相輸入端與第二運算放大器輸出端相連，并將產生的開關信號輸出；
更近一步地，所述開關方式切換單元由模擬開關芯片構成，所述模擬開關芯片第一源極引腳接所述第一比較器輸出端，所述模擬開關芯片第二源極引腳接外部控制器，輸入數字開關信號，所述模擬開關芯片邏輯控制輸入引腳接外部控制器，輸入數字選擇信號，所述模擬開關芯片漏極引腳與所述MOSFET隔離驅動單元相連；
更近一步地，所述MOSFET隔離驅動單元包括正向MOS管驅動電路和反向MOS管驅動電路；
所述正向MOS管驅動電路包括:第一雙極性隔離電源、第一光電耦合器、第一二極管、第一三極管、第五電阻、第六電阻；
所述第一雙極性隔離電源對系統電源是隔離的，正極性電源連接至所述第一光電耦合器的正供電引腳，負極性電源連接至所述第一光電耦合器的負供電引腳，參考地端連接至所述第一三極管的集電極和所述第六電阻的一端；
所述第一光電耦合器陽極輸入引腳連接所述模擬開關漏極，所述第一光電耦合器陰極輸入引腳接至系統地，信號輸出腳接所述第五電阻的一端，所述第五電阻的另一端接所述第二二極管的陽極和所述第一三極管的基極；所述第二二極管陰極連接所述第一三極管發射極和所述第六電阻另一端；
所述負向MOS管驅動電路包括:第二雙極性隔離電源、第二光電耦合器、第二二極管、第二三極管、第八電阻、第九電阻；
所述第二雙極性隔離電源對系統電源是隔離的，正極性電源連接至所述第二光電耦合器的正供電引腳，負極性電源連接至所述第二光電耦合器的負供電引腳，參考地端連接至所述第二三極管的集電極和所述第六電阻的一端；
所述第二光電耦合器陽極輸入引腳連接所述模擬開關漏極，所述第二光電耦合器陰極輸入引腳接至系統地，信號輸出腳接所述第八電阻的一端，所述第八電阻的另一端接所述第二二極管的陰極和所述二三極管的基極；所述第二二極管陽極連接所述第二三極管發射極和所述第九電阻另一端；
所述第一三極管和所述第三三極管為PNP型，所述第二三極管為NPN型。
[0010]更近一步地，所述同步開關組電路包括第一 MOSFET、第二 MOSFET、第五二極管和第六二極管；所述第一 MOSFET柵極連接所述第二二極管陰極，源極接所述第一三極管的集電極和所述第六電阻的一端，所述第二 MOSFET柵極連接所述第四二極管陽極，源極接所述第二三極管的集電極和所述第九電阻的一端。
[0011]更近一步地，所述附加電源單元包括第一功率運算放大器、第二功率運算放大器、第六電容、第七電容、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻；
所述第一功率運算放大器、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻組成反相放大器，所述第二功率運算放大器、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻組成同相放大器；所述反向放大器與所述同相放大器增益相等，輸入同一電壓控制信號；
外部控制器與所述第十電阻、第十四電阻一端相連，輸入電壓控制信號，所述第十電阻另一端與所述第一功率運算放大器同相輸入端相連，所述第十四電阻另一端與所述第二功率運算放大器反相輸入端和第十五電阻一端相連；
所述第一功率運算放大器反相輸入端接所述第十一電阻一端和第十二電阻一端，所述第十一電阻另一端接地，所述第十二電阻另一端接所述第一功率運算放大器輸出端和所述第六電容器一端相連，所述第六電容另一端接地，所述第一功率運算放大器輸出端連接至所述第一 MOSFET的源極，輸出負的翻轉電壓；
所述第二功率運算放大器同相輸入端接所述第十三電阻一端，所述第十三電阻另一端接地，所述第二功率運算放大器輸出端與所述第十五電阻和所述第七電容器一端相連，所述第七電容另一端接地，所述第二功率運算放大器輸出端連接至所述第二 MOSFET的漏極，輸出正的翻轉電壓。
[0012]更近一步地，所述串聯震蕩單元包括第一電感與第一壓電元件，所述第一電感一端連接至第五二極管和第六二極管的連接點，所述第一電感的另一端與所述第一壓電元件一端相連，所述第一壓電元件另一端接至地。
[0013]更近一步地，所述電壓檢測單元包括第十七電阻、第十八電阻和第四運算放大器；所述第十七電阻一端接所述第一壓電元件和所述第一電感連接點，所述第十八電阻一端接所述壓電元件接地端，所述第十七電阻另一端與所述第十八電阻另一端相連接，從該連接點輸出所述第一壓電元件兩端電壓的比例縮小值，所述第四運算放大器構成信號跟隨器，輸入端連接至所述第十七電阻與所述第十八電阻連接點，輸出端接所述外部控制器。
[0014]更近一步地，所述非對稱控制單元包括第第二比較器、第七二極管、第八二極管、第三三極管、第三MOSFET、第十六電阻、第八電容；
所述第二比較器的同相輸入端接地，反相輸入端接至所述第十七電阻與所述第十八電阻連接點，輸出端接至第八二極管的陽極；
所述第八二極管陽極還與第三三極管的基極連接，所述第八二極管陰極連接至所述第三三極管發射極相連、第三MOSFET柵極和第十六電阻一端，所述第三三極管集電極與所述第十六電阻另一端和第三MOSFET源極相連并接至地，所述第三MOSFET漏極、所述第八電容一端和第七二極管陰極三點連接在一起，所述第八電容另一端連接至所述第一壓電元件和所述第一電感連接點，所述第七二極管陽極接所述第一壓電元件的接地端。
[0015]更近一步地，所述第一三極管和所述第三三極管為PNP型，所述第二三極管為NPN型，所述第一 MOSFET與所述第二 MOSFET為N溝道MOSFET。
[0016]有益效果
本發明采用上述技術方案，具有以下有益效果:實現同步開關精確切換，壓電元件電壓非對稱比例高，翻轉電壓范圍大，對結構振動進行更有效地控制，在結構振動控制中具有廣泛地應用前景。
[0017]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本發明實施例的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路的連接框圖；
圖2是本發明實施例的開關信號產生電路示意圖；
圖3是本發明實施例的結構位移、傳感器位移信號和開關信號關系示意圖；
圖4是本發明實施例的MOSFET驅動電路和開關電路不意圖；
圖5是本發明實施例的附加電源控制電路示意圖；
圖6是本發明實施例的串聯震蕩電路、非對稱控制電路和電壓檢測電路意圖。
[0019]

【具體實施方式】
[0020]以下結合附圖對本發明的技術方案進行進一步說明。
[0021]如圖1所示，本實施例的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路包括:模擬開關信號產生單元101、開關方式切換單元102、MOSFET隔離驅動單元103、MOSFET同步開關組單元104、附加電源單元105、串聯震蕩單元107、電壓檢測單元108、非對稱控制單元106。
[0022]該電路與外部控制器配合使用，在外部控制器控制下實現完整功能。
[0023]如圖2所示，通過傳感器獲取到的結構振動的位移信號，輸入到模擬開關信號產生單元102，經過二階濾波電路濾除高頻噪聲信號，再經過一階移相電路分離出一路相位偏移信號，濾波后的信號與相位偏移信號經過第一比較器U3比較，以判斷結構振動位移極值，并產生模擬開關信號。圖3為被控結構振動位移、傳感器位移信號和開關信號關系示意圖。
[0024]系統還可以由外部控制器產生數字開關信號，如圖2所示的開關方式切換單元電路用于在外部控制器的控制下選擇兩種開關信號作為下級電路的驅動信號。
[0025]開關方式切換單元輸出的開關信號輸入到MOSFET隔離驅動單元，如圖3所示，機輸入到負向MOS管驅動電路和正向MOS管驅動電路。由隔離電源D⑶C、M0SFET驅動光電耦合器和三級管放大電路構成的MOSFET驅動單元對開關信號進行浮地隔離，同時分離出兩路放大的開關控制信號，并將控制信號輸出到MOSFET同步開關組單元。
[0026]如圖4所示，MOSFET同步開關組單元由NMOS管Q3串聯高壓二極管D5和PMOS管Q4串聯高壓二極管D6構成，在MOSFET隔離驅動單元輸出的兩路放大的開關控制信號的控制下實現電路的通斷，以切換施加在串聯震蕩單元的電壓極性，并輔助串聯震蕩單元形成電壓翻轉回路與回路隔斷。
[0027]如圖5所示，附加電源單元與外部控制器相連，用于產生兩路壓值相等、極性相反的翻轉電壓源，并在外部電壓控制信號的控制下動態調節翻轉電壓源壓值。
[0028]如圖6所示，串聯震蕩單元與MOSFET同步開關組單元相連，利用LC震蕩原理實現壓電元件上的電壓在被控對象振動位移達到極值時翻轉，即極性改變，并與MOSFET同步開關組單元的輔助下實現電壓保持。
[0029]電壓檢測單元利用并聯在壓電元件上的電路R17、R18獲取壓電元件上的電壓，其中R17與R18串聯分壓，選取適當的阻值可在R18上產生按比例縮小的壓電元件電壓值，如圖6所示。縮小后的電壓輸入到非對稱控制單元和運放U12，U12構成信號跟隨器對電壓進行緩沖，并將衰減緩沖后的電壓信號輸出到外部控制器。
[0030]如圖6所示，比較器Ull構成過零比較器，當壓電元件上電壓小于O時，比較器輸出總為正，NMOS管Q5導通，即電容C8并入壓電元件兩端，參與LC震蕩，當壓電元件上電壓大于O時，比較器輸出為負，NMOS管Q5不導通，電容C8不并入壓電元件兩端，不參與LC震蕩。通過在震蕩的負向并入電容CS，減小壓電元件負向的電壓值，實現非對稱翻轉的目的。
[0031]以上所述僅為對本發明較佳實施方式及技術原理的描述，并非對本發明的構思和范圍進行限定，凡屬于本發明思路下的技術方案均屬于本發明的保護范圍。應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在本發明揭露的技術范圍內的變化或替換，都應該涵蓋在本發明的保護范圍內。
【權利要求】
1.一種非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路,其特征在于，包括模擬開關信號產生單元、開關方式切換單元、MOSFET隔離驅動單元、MOSFET同步開關組單元、附加電源單元、串聯震蕩單元、電壓檢測單元、非對稱控制單元，其中， 所述模擬開關信號產生單元與開關方式切換單元相連，用于接收振動位移信號，通過模擬電路對被控對象的振動位移信號極值進行判斷以產生開關信號并將開關信號輸出到開關方式切換單元； 所述開關切換單元與MOSFET隔離驅動單元相連，并受外部控制器控制，用于在外部控制器選擇信號的控制下選擇開關信號，并將開關信號輸出到MOSFET隔離驅動單元； 所述MOSFET隔離驅動單元用于對模擬開關信號產生單元產生的開關信號進行浮地隔離，同時分離出兩路放大的開關控制信號，并將放大的開關控制信號輸出到MOSFET同步開關組單元； 所述MOSFET同步開關組單元分別與串聯振蕩單元和附加電源單元相連，在所述兩路放大的開關控制信號的控制下切換施加在串聯震蕩單元的電壓極性，并輔助串聯震蕩單元形成電壓翻轉與回路隔斷； 所述附加電源單元與外部控制器相連，用于產生兩路壓值相等、極性相反的翻轉電壓源，并在外部電壓控制信號的控制下動態調節翻轉電壓源壓值； 所述串聯震蕩單元與電壓檢測單元和非對稱控制單元相連，利用LC震蕩原理實現壓電元件上的電壓在被控對象振動位移達到極值時翻轉，進行極性改變； 所述電壓檢測單元與非對稱控制單元和外部控制器相連，用于對壓電元件上的高電壓進行衰減、緩沖，并將衰減緩沖后的電壓信號輸出到非對稱控制單元和外部控制器； 所述非對稱控制單元與串聯震蕩單元相連，用于輔助串聯震蕩單元實現壓電元件兩端電壓的非對稱翻轉。
2.根據權利要求1所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述模擬開關信號產生單元包括:第一運算放大器、第二運算放大器、第一比較器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容、第二電容、第三電容； 所述第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第一運算放大器依次相連接，構成二階濾波電路，對振動幅值信號進行濾波后輸出到第一比較器同相輸入端和第三電阻一端；所述第三電阻、第三電容和第二運算放大器依次相連接，構成一階移相電路，對從所述第三電阻一端輸入的信號進行移相后輸出到第一比較器反相輸入端； 所述第一比較器同相輸入端與第一運算放大器的輸出端相連，反相輸入端與第二運算放大器輸出端相連，并將產生的開關信號輸出。
3.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述開關方式切換單元由模擬開關芯片構成，所述模擬開關芯片第一源極引腳接所述第一比較器輸出端，所述模擬開關芯片第二源極引腳接外部控制器，輸入數字開關信號，所述模擬開關芯片邏輯控制輸入引腳接外部控制器，輸入數字選擇信號，所述模擬開關芯片漏極引腳與所述MOSFET隔離驅動單元相連。
4.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于， 所述MOSFET隔離驅動單元包括正向MOS管驅動電路和反向MOS管驅動電路； 所述正向MOS管驅動電路包括:第一雙極性隔離電源、第一光電耦合器、第一二極管、第一三極管、第五電阻、第六電阻； 所述第一雙極性隔離電源對系統電源是隔離的，正極性電源連接至所述第一光電耦合器的正供電引腳，負極性電源連接至所述第一光電耦合器的負供電引腳，參考地端連接至所述第一三極管的集電極和所述第六電阻的一端； 所述第一光電耦合器陽極輸入引腳連接所述模擬開關漏極，所述第一光電耦合器陰極輸入引腳接至系統地，信號輸出腳接所述第五電阻的一端，所述第五電阻的另一端接所述第二二極管的陽極和所述第一三極管的基極；所述第二二極管陰極連接所述第一三極管發射極和所述第六電阻另一端； 所述負向MOS管驅動電路包括:第二雙極性隔離電源、第二光電耦合器、第二二極管、第二三極管、第八電阻、第九電阻； 所述第二雙極性隔離電源對系統電源是隔離的，正極性電源連接至所述第二光電耦合器的正供電引腳，負極性電源連接至所述第二光電耦合器的負供電引腳，參考地端連接至所述第二三極管的集電極和所述第六電阻的一端； 所述第二光電耦合器陽極輸入引腳連接所述模擬開關漏極，所述第二光電耦合器陰極輸入引腳接至系統地，信號輸出腳接所述第八電阻的一端，所述第八電阻的另一端接所述第二二極管的陰極和所述二三極管的基極；所述第二二極管陽極連接所述第二三極管發射極和所述第九電阻另一端； 所述第一三極管和所述第三三極管為PNP型，所述第二三極管為NPN型。
5.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述MOSFET同步開關組單元包括第一 M0SFET、第二 M0SFET、第五二極管和第六二極管；所述第一 MOSFET柵極連接所述第二二極管陰極，源極接所述第一三極管的集電極和所述第六電阻的一端，所述第二 MOSFET柵極連接所述第四二極管陽極，源極接所述第二三極管的集電極和所述第九電阻的一端。
6.根據權利要求2所述的非對稱壓電半主動振動控制電路，其特征在于，所述附加電源單元包括第一功率運算放大器、第二功率運算放大器、第六電容、第七電容、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻； 所述第一功率運算放大器、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻組成反相放大器，所述第二功率運算放大器、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻組成同相放大器；所述反向放大器與所述同相放大器增益相等，輸入同一電壓控制信號； 外部控制器與所述第十電阻、第十四電阻一端相連，輸入電壓控制信號，所述第十電阻另一端與所述第一功率運算放大器同相輸入端相連，所述第十四電阻另一端與所述第二功率運算放大器反相輸入端和第十五電阻一端相連； 所述第一功率運算放大器反相輸入端接所述第十一電阻一端和第十二電阻一端，所述第十一電阻另一端接地，所述第十二電阻另一端接所述第一功率運算放大器輸出端和所述第六電容器一端相連，所述第六電容另一端接地，所述第一功率運算放大器輸出端連接至所述第一 MOSFET的源極，輸出負的翻轉電壓； 所述第二功率運算放大器同相輸入端接所述第十三電阻一端，所述第十三電阻另一端接地，所述第二功率運算放大器輸出端與所述第十五電阻和所述第七電容器一端相連，所述第七電容另一端接地，所述第二功率運算放大器輸出端連接至所述第二 MOSFET的漏極，輸出正的翻轉電壓。
7.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述串聯震蕩單元包括第一電感與第一壓電元件，所述第一電感一端連接至第五二極管和第六二極管的連接點，所述第一電感的另一端與所述第一壓電元件一端相連，所述第一壓電元件另一端接至地。
8.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述電壓檢測單元包括第十七電阻、第十八電阻和第四運算放大器；所述第十七電阻一端接所述第一壓電元件和所述第一電感連接點，所述第十八電阻一端接所述壓電元件接地端，所述第十七電阻另一端與所述第十八電阻另一端相連接，從該連接點輸出所述第一壓電元件兩端電壓的比例縮小值，所述第四運算放大器構成信號跟隨器，輸入端連接至所述第十七電阻與所述第十八電阻連接點，輸出端接所述外部控制器。
9.根據權利要求2所述的非對稱壓電結構振動噪聲半主動控制電路，其特征在于，所述非對稱控制單元包括第第二比較器、第七二極管、第八二極管、第三三極管、第三MOSFET、第十六電阻、第八電容； 所述第二比較器的同相輸入端接地，反相輸入端接至所述第十七電阻與所述第十八電阻連接點，輸出端接至第八二極管的陽極； 所述第八二極管陽極還與第三三極管的基極連接，所述第八二極管陰極連接至所述第三三極管發射極相連、第三MOSFET柵極和第十六電阻一端，所述第三三極管集電極與所述第十六電阻另一端和第三MOSFET源極相連并接至地，所述第三MOSFET漏極、所述第八電容一端和第七二極管陰極三點連接在一起，所述第八電容另一端連接至所述第一壓電元件和所述第一電感連接點，所述第七二極管陽極接所述第一壓電元件的接地端。
【文檔編號】G05D19/02GK104181947SQ201410362370
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年7月28日 優先權日:2014年7月28日
【發明者】季宏麗, 裘進浩, 程衍偉, 張錦, 趙志洲 申請人:南京航空航天大學