本實(shí)用新型涉及一種電子標(biāo)簽，尤其涉及一種射頻識(shí)別電子標(biāo)簽。

背景技術(shù)：

目前，UHF REID（Ultra High Frequency Radio frequency identification ）標(biāo)簽由兩部分組成，一部分為標(biāo)簽芯片，另外一部分為標(biāo)簽天線，參說(shuō)明書(shū)附圖圖1所示，右側(cè)為標(biāo)簽芯片的等效電路，左側(cè)為標(biāo)簽天線的等效電路，當(dāng)天線與芯片格子阻抗共軛對(duì)應(yīng)時(shí)，UHF RFID標(biāo)簽實(shí)現(xiàn)最好的阻抗匹配。該阻抗匹配需要通過(guò)軟件進(jìn)行計(jì)算從而達(dá)成天線與芯片的最佳阻抗匹配，因此較為重復(fù)且麻煩。

因此，有必要設(shè)計(jì)一種改進(jìn)的電子標(biāo)簽以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠匹配多型號(hào)標(biāo)簽芯片的電子標(biāo)簽。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種電子標(biāo)簽，包括標(biāo)簽天線及與所述標(biāo)簽天線匹配的標(biāo)簽芯片，所述標(biāo)簽天線設(shè)有基座以及布置在所述基座上的天線布線，所述天線布線中間位置處設(shè)有兩根阻抗匹配調(diào)試位，當(dāng)至少切斷其中一根所述兩根阻抗匹配調(diào)試位時(shí)，所述標(biāo)簽天線與第一型號(hào)的標(biāo)簽芯片實(shí)現(xiàn)共軛匹配條件，當(dāng)不切斷所述兩根阻抗匹配調(diào)試位中任意一根時(shí)，所述標(biāo)簽天線與第二型號(hào)的標(biāo)簽芯片實(shí)現(xiàn)共軛匹配條件。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述天線布線為左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所述兩根阻抗匹配調(diào)試位設(shè)于天線布線中間處。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述電子標(biāo)簽在天線布線中間處還設(shè)有用以固定所述標(biāo)簽芯片的芯片底座，所述兩根阻抗調(diào)試位位于所述芯片底座的兩側(cè)。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述芯片底座固定在所述基座上，所述基座對(duì)應(yīng)所述芯片底座的下方設(shè)有上下貫穿的金屬過(guò)孔。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述金屬過(guò)孔與所述標(biāo)簽芯片電性連接。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述標(biāo)簽芯片與所述天線布線通過(guò)金屬綁定線電性連接。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述標(biāo)簽芯片內(nèi)設(shè)有溫度傳感器，所述金屬過(guò)孔能夠檢測(cè)所述電子標(biāo)簽周?chē)臏囟龋鰷囟葌鞲衅鹘邮芩鼋饘龠^(guò)孔傳遞的溫度。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型電子標(biāo)簽通過(guò)在天線布線中設(shè)置兩根阻抗匹配調(diào)試位，從而能夠達(dá)成標(biāo)簽天線與不同型號(hào)的標(biāo)簽芯片共軛匹配，實(shí)現(xiàn)一款電子標(biāo)簽設(shè)計(jì)，多個(gè)不同型號(hào)標(biāo)簽芯片匹配的效果。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中UHF REID標(biāo)簽的組成示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中UHF REID標(biāo)簽的采用軟件對(duì)標(biāo)簽芯片阻抗計(jì)算的圖示。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中UHF REID標(biāo)簽計(jì)算所的標(biāo)簽芯片阻抗實(shí)部隨頻率分布圖。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)中UHF REID標(biāo)簽計(jì)算所的標(biāo)簽芯片阻抗虛部隨頻率分布圖。

圖5為本實(shí)用新型電子標(biāo)簽的標(biāo)簽天線正面示意圖。

圖6為本實(shí)用新型電子標(biāo)簽的截面示意圖。

圖7為本實(shí)用新型電子標(biāo)簽的標(biāo)簽芯片切斷不同阻抗匹配調(diào)試位的阻抗虛部值分布圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案、和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖5至圖7所示為本實(shí)用新型電子標(biāo)簽100，所述電子標(biāo)簽包括標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片2。

所述標(biāo)簽天線為功能層，具有基座11以及布置在所述基座11上方的天線布線12。在本實(shí)施方式中，所述基座11為PCB板。所述天線布線12貼附在所述PCB板的上表面上。請(qǐng)結(jié)合圖3所示，所述天線布線12呈左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)置。在所述天線布線12的中間位置處設(shè)有芯片底座13以及位于所述芯片底座13兩側(cè)的阻抗匹配調(diào)試位14。所述基座11在所述芯片底座13處設(shè)有向下貫穿的穿孔（未標(biāo)號(hào)）。在本實(shí)施方式中，所述標(biāo)簽天線還設(shè)有用來(lái)調(diào)節(jié)標(biāo)簽天線的阻抗特性的兩根所述阻抗匹配調(diào)試位14，將所述兩根阻抗匹配調(diào)試位14分別稱之為第一阻抗匹配調(diào)試位a和第二阻抗匹配調(diào)試位b。所述兩根阻抗匹配調(diào)試位14均為導(dǎo)體。因?yàn)椴煌吞?hào)的芯片，它的阻抗特性是不一致的，尤其是芯片阻抗虛部變化較大，如此設(shè)置兩根阻抗匹配調(diào)試位14，方便本實(shí)用新型電子標(biāo)簽100能夠與不同的芯片實(shí)現(xiàn)阻抗共軛匹配。

所述標(biāo)簽芯片2通過(guò)金屬綁定線3進(jìn)行電性連接。所述標(biāo)簽芯片2具有固定在所述芯片底座13上的底壁22、與所述底壁22相對(duì)的頂壁21以及將所述底壁22固定在所述芯片底座13上的焊盤(pán)23。所述標(biāo)簽芯片2通過(guò)所述焊盤(pán)23固定在所述標(biāo)簽芯片底座13上。所述金屬綁定線3的一端固定在所述天線布線12的上表面，另一端固定在所述芯片的頂壁21上。所述標(biāo)簽芯片2還設(shè)有自所述底壁22向下延伸穿過(guò)所述穿孔的金屬過(guò)孔24以及設(shè)置在所述標(biāo)簽芯片2內(nèi)且靠近所述底壁22的溫度傳感器（未標(biāo)號(hào)），所述金屬過(guò)孔24連接至所述基座11的背面。所述金屬過(guò)孔24可以檢測(cè)所述電子標(biāo)簽100周?chē)臏囟?，并且傳遞給所述溫度傳感器，從而使得所述電子標(biāo)簽100更為靈敏。

結(jié)合圖1至圖4所示，目前，電子標(biāo)簽的標(biāo)簽天線與標(biāo)簽芯片阻抗共軛關(guān)系通過(guò)如下計(jì)算式達(dá)成：Z_ANT=R_ANT+j*X_ANT，Z_IC=R_IC+j*X_IC，R_ANT=R_IC，X_ANT=-X_IC，可以取芯片并聯(lián)電阻Ri的值等于為1500W，并聯(lián)電容Ci的值等于0.85pF。請(qǐng)結(jié)合圖2所示，利用軟件對(duì)標(biāo)簽芯片阻抗進(jìn)行計(jì)算得出如圖3所示的標(biāo)簽芯片阻抗實(shí)部隨頻率分布圖，根據(jù)阻抗共軛的要求，標(biāo)簽天線阻抗實(shí)部與標(biāo)簽芯片阻抗實(shí)部相等，才為最佳的阻抗匹配。利用軟件對(duì)標(biāo)簽芯片阻抗進(jìn)行計(jì)算得出如圖4所示的標(biāo)簽芯片阻抗虛部隨頻率分布圖，根據(jù)阻抗共軛的要求，標(biāo)簽天線阻抗虛部與標(biāo)簽芯片阻抗虛部互為相反數(shù)（共軛），才為最佳的阻抗匹配。

在本實(shí)用新型中，所述電子標(biāo)簽100是通過(guò)如下方式達(dá)成與芯片的共軛匹配的。如圖3及圖4所示，首先第一種情況，將所述第一阻抗匹配調(diào)試位a和所述第二阻抗匹配調(diào)試位b都不切斷，設(shè)定所述標(biāo)簽天線阻抗虛部約為+50歐姆左右，當(dāng)選擇阻抗虛部為-50歐姆的芯片型號(hào)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)此情況下所述標(biāo)簽天線與所選第一型號(hào)的標(biāo)簽芯片的共軛匹配條件，此時(shí)第一型號(hào)的標(biāo)簽芯片即為所述標(biāo)簽天線對(duì)應(yīng)的標(biāo)簽芯片2。

其次，第二種情況，設(shè)定僅切斷所述第一阻抗匹配調(diào)試位a，設(shè)定所述標(biāo)簽天線阻抗虛部為+150歐姆左右時(shí)，當(dāng)選擇阻抗虛部為-150歐姆的芯片型號(hào)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)此情況下所述標(biāo)簽天線與第二型號(hào)的標(biāo)簽芯片的共軛匹配條件，此時(shí)第二型號(hào)的標(biāo)簽芯片即為所述標(biāo)簽天線對(duì)應(yīng)的標(biāo)簽芯片2。

最后一種情況，設(shè)定同時(shí)切斷所述第一阻抗匹配調(diào)試位a和所述第二阻抗匹配調(diào)試位b，設(shè)定所述標(biāo)簽天線阻抗虛部約為+250歐姆左右，當(dāng)選擇阻抗虛部為-250歐姆的芯片型號(hào)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)此情況下所述標(biāo)簽天線與第三型號(hào)的標(biāo)簽芯片的共軛匹配條件，此時(shí)第三型號(hào)的標(biāo)簽芯片即為所述標(biāo)簽天線對(duì)應(yīng)的標(biāo)簽芯片2。

綜上所述，本實(shí)用新型電子標(biāo)簽100通過(guò)在所述天線布線12上設(shè)置兩根阻抗匹配調(diào)試位，從而能夠?qū)崿F(xiàn)所述標(biāo)簽天線與不同型號(hào)芯片的阻抗共軛匹配，從而能夠?qū)λ鰳?biāo)簽芯片2進(jìn)行多重選擇和替換。

另外，以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而并非限制本實(shí)用新型所描述的技術(shù)方案，對(duì)本說(shuō)明書(shū)的理解應(yīng)該以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員為基礎(chǔ)，例如“前后貫穿”指的是在未安裝其他零件之前是貫穿的，再例如對(duì)“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”等方向性的描述，盡管本說(shuō)明書(shū)參照上述的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型已進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員仍然可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行修改或者等同替換，而一切不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進(jìn)，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。