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堆疊式存儲器架構(gòu)中的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)的制作方法

文檔序號:41765024發(fā)布日期:2025-04-29 18:34閱讀:2來源:國知局
堆疊式存儲器架構(gòu)中的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)的制作方法

下文涉及用于存儲器的一或多個系統(tǒng),包含堆疊式存儲器架構(gòu)中的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)。


背景技術(shù):

1、存儲器裝置用于存儲例如計算機(jī)、用戶裝置、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及其它的裝置中的信息。信息通過將存儲器裝置內(nèi)的存儲器胞元編程到各種狀態(tài)來存儲。舉例來說,二進(jìn)制存儲器胞元可編程到兩種支持狀態(tài)中的一者,通常由邏輯1或邏輯0表示。在一些實(shí)例中,單個存儲器胞元可支持多于兩種狀態(tài),其中的任一者可由存儲器胞元存儲。為了存儲信息,存儲器裝置可將狀態(tài)寫入(例如編程、設(shè)置、指派)到存儲器胞元。為了存取存儲信息,存儲器裝置可從存儲器胞元讀取(例如感測、檢測、檢索、確定)狀態(tài)。

2、存在各種類型的存儲器裝置,包含磁性硬盤、隨機(jī)存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、動態(tài)ram(dram)、同步動態(tài)ram(sdram)、靜態(tài)ram(sram)、鐵電ram(feram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)、快閃存儲器、相變存儲器(pcm)、自選擇存儲器、硫?qū)倩锎鎯ζ骷夹g(shù)、或非(nor)及與非(nand)存儲器裝置及其它。存儲器胞元可依據(jù)易失性配置或非易失性配置進(jìn)行描述。呈非易失性配置的存儲器胞元可長時間維持存儲邏輯狀態(tài),即使不存在外部電源。呈易失性配置的存儲器胞元會在與外部電源斷開時丟失存儲狀態(tài)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路



技術(shù)特征:

1.一種方法,其包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一半導(dǎo)體裸片包括與所述邏輯塊耦合的多個接口塊,所述多個接口塊各自可操作以存取所述多個存儲器陣列中的一或多個相應(yīng)存儲器陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中:

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其進(jìn)一步包括:

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:

8.一種方法,其包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中修改所述奇偶校驗信息包括:

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其進(jìn)一步包括:

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其進(jìn)一步包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其進(jìn)一步包括:

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述多個數(shù)據(jù)段中的每一者存儲于所述一組一或多個第二半導(dǎo)體裸片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片處。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第一半導(dǎo)體裸片包括與所述邏輯塊耦合的多個接口塊,所述多個接口塊各自可操作以存取所述多個存儲器陣列中的一或多個相應(yīng)存儲器陣列。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述多個接口塊中的每一者經(jīng)由每一接口塊與所述一組一或多個第二半導(dǎo)體裸片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片之間的相應(yīng)通道與所述相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片耦合。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其進(jìn)一步包括:

17.一種方法,其包括:

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其進(jìn)一步包括:

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中所述錯誤校正信息包括多個部分,所述多個部分中的每一部分存儲于所述一組一或多個第二半導(dǎo)體裸片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片處。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中所述多個數(shù)據(jù)段中的每一者存儲于所述一組一或多個第二半導(dǎo)體裸片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片處。

21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其進(jìn)一步包括:

22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中所述第一半導(dǎo)體裸片包括與所述邏輯塊耦合的多個接口塊,所述多個接口塊各自可操作以存取所述多個存儲器陣列中的一或多個相應(yīng)存儲器陣列。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中:

24.一種系統(tǒng),其包括:

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng),其中所述第一半導(dǎo)體裸片進(jìn)一步包括與所述邏輯塊耦合的多個接口塊,所述多個接口塊各自可操作以存取所述多個存儲器陣列中的一或多個相應(yīng)存儲器陣列。

26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng),其中:

27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng),其中所述多個接口塊中的接口塊經(jīng)配置以:

28.一種系統(tǒng),其包括:

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的系統(tǒng),其中所述第一半導(dǎo)體裸片進(jìn)一步包括與所述邏輯塊耦合的多個接口塊,所述多個接口塊各自可操作以存取所述多個存儲器陣列中的一或多個相應(yīng)存儲器陣列。

30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的系統(tǒng),其中:


技術(shù)總結(jié)
描述用于堆疊式存儲器架構(gòu)中的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)的方法、系統(tǒng)及裝置。具有堆疊式存儲器架構(gòu)的存儲器系統(tǒng)可包含與數(shù)據(jù)集相關(guān)聯(lián)的錯誤校正信息,所述數(shù)據(jù)集包含跨多個存儲器陣列及在一些實(shí)例中跨所述存儲器系統(tǒng)的多個裸片存儲的多個數(shù)據(jù)段。作為針對數(shù)據(jù)集的第一數(shù)據(jù)段的寫入操作的部分,所述存儲器系統(tǒng)可檢索所述數(shù)據(jù)集的剩余數(shù)據(jù)段且使用所述第一數(shù)據(jù)段及所述剩余數(shù)據(jù)段計算錯誤校正信息。作為針對所述數(shù)據(jù)集的第二數(shù)據(jù)段的讀取操作的部分,所述存儲器系統(tǒng)可檢索所述數(shù)據(jù)集的每一數(shù)據(jù)段且使用所述錯誤校正信息來對所述數(shù)據(jù)集執(zhí)行錯誤校正操作。

技術(shù)研發(fā)人員:B·基思,A·D·艾卡爾,S·古納塞克拉安,S·K·米拉瓦拉普
受保護(hù)的技術(shù)使用者:美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/4/28
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