專利名稱：磁頭萬(wàn)向架組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括磁頭滑動(dòng)器和支撐該磁頭滑動(dòng)器的懸架的磁頭萬(wàn)向架組件(HGA)。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動(dòng)器包括記錄數(shù)據(jù)的磁盤和訪問該磁盤的磁頭滑動(dòng)器。磁頭滑動(dòng)器具有從磁盤讀取數(shù)據(jù)/寫數(shù)據(jù)到磁盤的磁頭元件。磁頭元件包括記錄元件，其響應(yīng)記錄數(shù)據(jù)到磁盤，將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)；還包括將來自磁盤的磁場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的再現(xiàn)元件。
磁盤驅(qū)動(dòng)器包括將磁頭滑動(dòng)器移動(dòng)磁盤上的期望位置的支架。支架被音圈電機(jī)(VCM)驅(qū)動(dòng)并圍繞樞軸樞轉(zhuǎn)，以在旋轉(zhuǎn)磁盤上，在磁盤的徑向上移動(dòng)磁頭滑動(dòng)器。以此方式，磁頭元件訪問磁盤上形成的期望磁道，以便可以從其讀出/寫入到其。
支架包括彈性懸架，以及磁頭滑動(dòng)器被固定到該懸架。由與磁盤相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的空氣支承面(ABS)和旋轉(zhuǎn)磁盤之間的空氣粘滯性引起的壓力與由懸架在磁盤的方向上施加的壓力平衡，以便磁頭滑動(dòng)器可以以與磁盤之間規(guī)定間隙在磁盤上方浮動(dòng)。由磁頭滑動(dòng)器和支撐該滑動(dòng)器的懸架制成的部件被稱作“磁頭萬(wàn)向架組件”(HGA)。
圖6是傳統(tǒng)HGA的視圖，示出了從磁盤的記錄面?zhèn)扔^察的HGA結(jié)構(gòu)。如圖6所示，HGA400包括磁頭滑動(dòng)器401、懸架402和引線403。引線403是用來在磁頭滑動(dòng)器401處形成的磁頭元件(未示出)和放大器部分(未示出)之間傳輸記錄信號(hào)和/或傳輸來自磁頭元件的再現(xiàn)信號(hào)的導(dǎo)線。
懸架402包括柔性撓曲部分404和負(fù)載橫梁405，柔性撓曲部分404在與磁盤相對(duì)的表面的側(cè)上保持磁頭滑動(dòng)器401，負(fù)載橫梁405在與磁盤相對(duì)的表面的側(cè)上保持該撓曲部分404。所示的HGA 400是加載/卸載型裝置，并在負(fù)載橫梁405的尖端處具有小突片406，用來將器件收回到坡道機(jī)構(gòu)中。
負(fù)載橫梁由例如三層結(jié)構(gòu)的層狀材料構(gòu)成，包括不銹鋼板或兩個(gè)不銹鋼板及在其間設(shè)置的聚酰亞胺樹脂層(例如參見專利文獻(xiàn)1)。邊緣部分在負(fù)載橫梁的縱向上彎曲，以便保證需要的剛性。負(fù)載橫梁的彎曲邊緣部分在下文中將被稱作凸緣。圖6所示的負(fù)載橫梁405具有凸緣407。
圖7是HGA 400的剖面圖。圖7中的截面是沿滑動(dòng)器401的中心并在HGA 400的縱向上得到的。在與磁頭滑動(dòng)器401相對(duì)的橫梁405的位置中形成朝撓曲部分404側(cè)升高(在圖中向上)的凹陷408。由于撓曲部分404利用其自己的彈性壓靠在凹陷408上，撓曲部分404在負(fù)載橫梁405上施加壓力。
如圖7所示，基于磁頭滑動(dòng)器401的高度、撓曲部分404的高度以及負(fù)載橫梁405的高度，來決定HGA 400的高度H。基于凹陷408的高度、形成負(fù)載橫梁405的薄板的厚度以及凸緣407的高度，來決定負(fù)載橫梁405的高度。這里，HGA 400的高度指與磁盤的記錄面正交的方向上的HGA的厚度。
JP-A-2005-190511[專利文獻(xiàn)2]JP-UM-A-63-58372發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問題近年來，隨著更薄的磁盤驅(qū)動(dòng)器的來臨，需求一種具有較小高度的HGA。為了減小如圖6和7所示的HGA 400的高度，負(fù)載橫梁405的高度可以被減小。但是，如果凸緣407的高度被減小以減小負(fù)載橫梁405的高度，那么負(fù)載橫梁405的剛性(彎曲的和扭曲的剛性)可以被減小，不能保證必要的剛性。因此，考慮到應(yīng)該確保的負(fù)載橫梁405的剛性，凸緣407的高度可以減小的程度被限制。
注意，由專利文獻(xiàn)2公開的HGA通過在與圖7中的凸緣407相反的方向上在負(fù)載橫梁的邊緣處彎曲凸緣來減小其高度，換言之，凸緣向其上固定滑動(dòng)器的側(cè)彎曲。但是，如果這種結(jié)構(gòu)被采用，那么將難以在滑動(dòng)器周圍設(shè)置凸緣以防止在負(fù)載橫梁的邊緣設(shè)置的凸緣和滑動(dòng)器之間的干擾，或防止在凸緣和撓曲部分或滑動(dòng)器周圍設(shè)置的引線之間的干擾。從而負(fù)載橫梁不能具有充分的剛性。
鑒于上述問題進(jìn)行本發(fā)明，本發(fā)明提供一種HGA，可以在保持負(fù)載橫梁的剛性的同時(shí)，具有減小的高度。
解決問題的方法根據(jù)本發(fā)明的HGA包括具有磁頭元件的磁頭滑動(dòng)器，磁頭元件進(jìn)行從磁盤讀取數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)到磁盤的至少一種；保持磁頭滑動(dòng)器的撓曲部分；以及固定有該撓曲部分的負(fù)載橫梁。該負(fù)載橫梁包括凸緣，在縱向上延伸的負(fù)載橫梁的邊緣處在一側(cè)上突出，該側(cè)與負(fù)載橫梁在與磁盤相對(duì)的側(cè)上的表面相對(duì)；以及凹陷部分，提供以向與磁盤相對(duì)的側(cè)面開口，并具有大于與撓曲部分相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的第一表面的面積的開口面積。磁頭滑動(dòng)器被放置在凹陷部分中，以便與磁盤相對(duì)的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面的位置，位于包括與磁盤相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的表面的虛擬表面和包括第一表面的虛擬表面之間。
以此方式，在根據(jù)本發(fā)明的HGA中，在負(fù)載橫梁處設(shè)置的凹陷部分中，偏離磁盤地設(shè)置磁頭滑動(dòng)器。此外，形成在遠(yuǎn)離磁盤的方向上突出的凸緣。因此，磁頭滑動(dòng)器的高度被凸緣的高度抵消磁頭滑動(dòng)器相對(duì)于磁盤的偏移量。以此方式，HGA的高度可以被降低至少磁頭滑動(dòng)器的高度的偏移量。在不減小凸緣的高度的條件下，可以減小HGA的高度，因此負(fù)載橫梁的剛性不被減小。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的HGA中，從磁盤側(cè)觀察的第一表面的位置期望位于與磁盤相對(duì)的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面和包括凸緣的尖端的虛擬表面之間。
在根據(jù)本發(fā)明的HGA中，期望負(fù)載橫梁由具有第一和第二板材料和其間的中間層的層狀材料形成，第一板材料形成負(fù)載橫梁的基板，中間層形成凹陷部分的側(cè)壁，以及第二板材料形成凹陷部分的底部。
注意中間層期望地由樹脂材料形成。樹脂材料用作阻尼材料，因此可以預(yù)期阻尼效應(yīng)。
此外，第一板材料和第二板材料可以是不銹鋼，以及中間層可以是聚酰亞胺樹脂。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明制造HGA的方法包括以下步驟。制備具有第一和第二板材料和其間的中間層的層狀材料。然后，從第一板材料側(cè)刻蝕第一板材料和中間層，以便形成具有用作底部的第二板材料和用作側(cè)壁的中間層的凹陷部分。然后，第二板材料和中間層從第二板材料側(cè)被刻蝕，至少除去在第二板材料中的形成凹陷部分的底部的區(qū)域，以便通過第一板材料形成負(fù)載橫梁的基板。基板的邊緣部分向中間層的側(cè)面彎曲，以形成凸緣。最后，設(shè)置撓曲部分和磁頭滑動(dòng)器，以便磁頭滑動(dòng)器被定位于凹陷部分中。
通過該制造方法，可以容易地提供在保持負(fù)載橫梁剛性的同時(shí)允許其高度減小的HGA。刻蝕被采用，以便可以由于防止沖壓-加工而發(fā)生的負(fù)載橫梁的寬度擴(kuò)大。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在不改變負(fù)載橫梁的凸緣部分的高度的條件下，可以減小HGA的總高度。以此方式，可以減小HGA的高度，同時(shí)可以保持負(fù)載橫梁的剛性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的磁盤驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的示例性視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的HGA結(jié)構(gòu)的示例性視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的HGA的示例性剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的HGA的示例性剖面圖。
圖5是用于在描述根據(jù)本發(fā)明的制造負(fù)載橫梁的步驟中使用的示例性視圖。
圖6是傳統(tǒng)HGA的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖7是傳統(tǒng)HGA的結(jié)構(gòu)的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的特定實(shí)施例。注意在圖中，相同元件由相同的參考字符表示，以及為了描述的清楚，將視情況而定地不重復(fù)該描述。下列實(shí)施例是本發(fā)明應(yīng)用于負(fù)載/卸載型磁盤驅(qū)動(dòng)器的情況。
本發(fā)明的第一實(shí)施例首先，為了更容易理解本發(fā)明，將描述磁盤驅(qū)動(dòng)器的通用結(jié)構(gòu)。圖1是根據(jù)該實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器100的結(jié)構(gòu)的示例性示意平面圖。磁盤驅(qū)動(dòng)器100包括磁盤101，作為用來記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)。磁盤101是非易失性存儲(chǔ)器，其使得其磁層磁化并由此記錄數(shù)據(jù)。在基板102中存儲(chǔ)磁盤驅(qū)動(dòng)器100的各個(gè)構(gòu)成元件。基板102通過覆蓋基板102的上開口的蓋(未示出)和墊圈(未示出)固定以形成外殼，以便可以以密封狀態(tài)存儲(chǔ)磁盤驅(qū)動(dòng)器100的各個(gè)構(gòu)成元件。
磁盤101被固定到主軸電機(jī)(SPM)103。磁頭滑動(dòng)器105包括從磁盤101讀數(shù)據(jù)/寫數(shù)據(jù)到磁盤101以至于輸入數(shù)據(jù)到主機(jī)(未示出)/從主機(jī)輸出數(shù)據(jù)的磁頭元件。磁頭元件具有寫元件和/或再現(xiàn)元件，寫元件響應(yīng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到磁盤101而將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)，再現(xiàn)元件將來自磁盤101的磁場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。
支架106保持并移動(dòng)磁頭滑動(dòng)器105。支架106圍繞樞軸107樞軸地支撐并由作為驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的VCM(音圈電機(jī))109驅(qū)動(dòng)。支架106在縱向上從尖端包括懸架110、臂111、線圈支撐件112以及扁平線圈113，其中設(shè)置磁頭滑動(dòng)器105，以及這些元件以提及的順序耦合。注意，之后將描述懸架110的結(jié)構(gòu)。VCM 109包括扁平線圈113、固定到上側(cè)定子磁鐵保持板114的定子磁鐵(未示出)以及固定到下側(cè)定子磁鐵保持板的定子磁鐵(未示出)。
在旋轉(zhuǎn)磁盤101的表面中的數(shù)據(jù)區(qū)上方，支架106移動(dòng)磁頭滑動(dòng)器105，以允許數(shù)據(jù)被寫到磁盤101/從磁盤101讀數(shù)據(jù)。支架106的樞軸移動(dòng)在磁盤101的表面的徑向上移動(dòng)磁頭滑動(dòng)器105。以此方式，磁頭滑動(dòng)器105可以訪問磁盤101上的期望磁道。
磁頭滑動(dòng)器105和控制器(未示出)之間的信號(hào)通過作為導(dǎo)電線的引線201和柔性印刷電路板(FPC)117傳送。由與磁盤101相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器105的空氣支承面(ABS)和磁盤101之間的空氣粘滯性引起的壓力與通過懸架在磁盤的方向上施加的作用力平衡，以便磁頭滑動(dòng)器105可以以規(guī)定間隙在磁盤101上方浮動(dòng)。
當(dāng)磁盤101的旋轉(zhuǎn)停止時(shí)，支架106從數(shù)據(jù)區(qū)收回磁頭105到坡道機(jī)構(gòu)115。支架106在坡道機(jī)構(gòu)115的方向上樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，設(shè)置在支架106的尖端處的突片116在坡道機(jī)構(gòu)115的表面上滑動(dòng)并停靠在坡道機(jī)構(gòu)115上的停放表面上，這樣磁頭滑動(dòng)器105被卸載。當(dāng)磁頭被加載時(shí)，在停放表面上支撐的磁頭滑動(dòng)器105脫離坡道機(jī)構(gòu)115并移到磁盤101上方。
現(xiàn)在，將描述根據(jù)該實(shí)施例的HGA 200。圖2是從磁盤101側(cè)觀察的HGA 200的必需結(jié)構(gòu)的示例性平面圖。HGA 200包括多個(gè)元件、磁頭滑動(dòng)器105、撓曲部分202、負(fù)載橫梁203以及引線201。注意，從圖2去除的部分具有與圖6所示的常規(guī)HGA 400相同的結(jié)構(gòu)，因此不提供該部分的詳細(xì)描述。
引線201是用來在磁頭滑動(dòng)器105處形成的磁頭元件(未示出)和磁盤驅(qū)動(dòng)器100中包括的放大器部分(未示出)之間傳送記錄信號(hào)和再現(xiàn)信號(hào)的導(dǎo)電線。在磁盤101的一側(cè)上，柔性撓曲部分202被固定到負(fù)載橫梁203上。撓曲部分202保持磁頭滑動(dòng)器105。由負(fù)載橫梁203、撓曲部分202以及引線201制成的組件是圖1所示的懸架110。
在負(fù)載橫梁203的尖端處形成突片116，以及在邊緣部分處形成凸緣204。通過將負(fù)載橫梁203的邊緣部分磁盤101的相對(duì)側(cè)彎曲而形成凸緣204，換言之，在2中的縱向上彎曲。負(fù)載橫梁203具有在遠(yuǎn)離磁盤101的記錄面的方向上換言之在圖2中的縱向上凹陷的凹陷部分206，，并且該凹陷部分206被設(shè)置以圍繞滑動(dòng)器105。在下面，將結(jié)合圖3和4來詳細(xì)描述根據(jù)該實(shí)施例的負(fù)載橫梁203的特征形狀。
圖3(a)是HGA 200沿圖2中的線A-A得到的示例性剖面圖，圖3(b)是HGA 200沿圖2中的線B-B得到的示例性剖面圖，以及圖4是HGA 200沿圖2中的線C-C得到的示例性剖面圖。如圖3(a)和4所示，負(fù)載橫梁203具有在遠(yuǎn)離磁盤101的記錄面的方向上凹陷的凹陷部分206(在圖中向下)。更具體地說，形成凹陷部分206和凸緣204以在遠(yuǎn)離磁盤101的記錄面的方向上突出。
磁盤101被定位于圖3(a)和3(b)中的上部中和圖4中的左側(cè)部分中。圖3(a)和4中的參考數(shù)字205表示支撐撓曲部分202的凹座。圖3和4中的參考數(shù)字202a指載物臺(tái)，是其中在撓曲部分202中設(shè)置磁頭滑動(dòng)器105的區(qū)域。
磁頭滑動(dòng)器105以從磁盤101偏離的狀態(tài)設(shè)置，似乎它被嵌入負(fù)載橫梁203中設(shè)置的凹陷部分206中。更具體地說，在與ABS 105a相對(duì)的側(cè)的并固定到載物臺(tái)202a的磁頭滑動(dòng)器105的表面(滑動(dòng)器后表面105b)被在遠(yuǎn)離磁盤101的方向上偏離設(shè)置，至少超過磁盤101側(cè)的負(fù)載橫梁203的表面203a。換句話說，磁頭滑動(dòng)器105被設(shè)置為以至于磁頭滑動(dòng)器后表面105b被定位于負(fù)載橫梁表面203a和包括凸緣204的尖端的虛擬表面301之間。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施例的HGA 200在負(fù)載橫梁203中具有凹陷部分206，磁頭滑動(dòng)器105被設(shè)置在從磁盤101偏離的部分中。凹陷部分206和凸緣204兩個(gè)都形成為在遠(yuǎn)離磁盤101的記錄面的方向上突出。因此，凹陷部分206的高度H2被凸緣204的高度H3抵銷，以及HGA 200的高度不被凹陷部分206增加。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施例的HGA 200可以具有使其高度H1比圖7中所示的常規(guī)HGA 400的高度H小了偏移磁頭滑動(dòng)器105的高度和撓曲部分202的厚度的總和。在不降低凸緣204的高度的條件下，可以降低HGA 200的高度，因此負(fù)載橫梁203的剛性不被降低。
如圖3(a)所示，凹陷部分206的高度H2可以等于或小于凸緣204的高度H3。無論凹陷部分206的高度H2是否超過凸緣204的高度H3，或H2等于H3，HGA 200的總高度H1基本上是相同的，因此大于H3的高度H2不有助于減小HGA 200的高度。
現(xiàn)在，將描述根據(jù)該實(shí)施例的負(fù)載橫梁203的材料及其制造方法。負(fù)載橫梁203由通過設(shè)置兩個(gè)不銹鋼板和其間的聚酰亞胺樹脂層而產(chǎn)生的層狀材料形成。圖3(a)、3(b)和4中所示的參考標(biāo)記2031和2033指不銹鋼板，以及參考數(shù)字2032指聚酰亞胺樹脂層。
更具體地說，通過聚酰亞胺樹脂層2032形成樹脂部分的側(cè)壁以及通過不銹鋼板2031形成凹陷部分206的底部。以此方式，在負(fù)載橫梁203中，兩個(gè)不銹鋼板2031和2033被聚酰亞胺樹脂層2032分開。通過聚酰亞胺樹脂層2032的厚度可以調(diào)整凹陷部分206的深度。
注意通過聚酰亞胺樹脂層2032形成的凹陷部分206的側(cè)壁無須被設(shè)置在四個(gè)方向的每一個(gè)中，以及可以如圖3和4的剖面圖被部分地設(shè)置。由不銹鋼板2031形成的凹陷部分206的底部可以設(shè)有孔，如圖4中的剖面圖所示的開口。滑動(dòng)器105的樞軸107的側(cè)面上的凸出2035形成滑動(dòng)器限制器的一部分。當(dāng)滑動(dòng)器105移動(dòng)離開凹座205時(shí)，在撓曲部分202上捕捉負(fù)載橫梁203的側(cè)面上的凸出2035，并防止脫離。
下面將結(jié)合圖5描述制造負(fù)載橫梁203的步驟。圖5(a)示出了在處理之前包括三個(gè)層的層狀材料50的示例性狀態(tài)，包括不銹鋼層2031、聚酰亞胺層2032以及不銹鋼層2033。在第一步驟中，通過光刻蝕處理不銹鋼2031和2033的金屬層。更具體地說，在不銹鋼2031和2033的表面上形成其形狀適合于希望通過處理獲得的形狀的抗蝕劑膜，然后通過已知的濕法或干法刻蝕技術(shù)來刻蝕不銹鋼層2031和2033，然后除去抗蝕劑膜。
圖5(b)示出了執(zhí)行如上所述的第一步驟之后的層狀材料50的示例性狀態(tài)。注意在處理不銹鋼層2031和2033的時(shí)候，層狀材料50必須從兩側(cè)被刻蝕。因此，如果兩個(gè)方向上的刻蝕不能同時(shí)進(jìn)行，那么不銹鋼層2031和2033可以被順序地刻蝕。
在第二和第三步驟中，處理聚酰亞胺樹脂2033。在第二步驟中，通過已知的濕法或干法刻蝕技術(shù)，從在圖中的上部刻蝕并除去聚酰亞胺樹脂2032(圖5(c))，以及在第三步驟中，聚酰亞胺樹脂2032從圖中的下面刻蝕并除去。圖5(d)示出了在執(zhí)行第一至第三步驟之后層狀材料50的示例性狀態(tài)，以及形成凹陷部分206。
如上所述，通過蝕刻技術(shù)處理層狀材料，以便可以在不執(zhí)行擠壓加工的情況下形成凹陷部分206。上述制造步驟只不過是一個(gè)例子，執(zhí)行該步驟的順序不局限于描述的順序。
注意諸如不銹鋼板的一個(gè)薄板可以經(jīng)受擠壓加工和可以形成具有用來偏置磁頭滑動(dòng)器105的凹陷部分206的負(fù)載橫梁。為了通過擠壓加工來形成凹陷部分206，必須在負(fù)載橫梁的縱向上的兩個(gè)或更多位置處彎曲負(fù)載橫梁。經(jīng)受彎曲處理的位置需要指定彎曲曲率。因此，具有通過擠壓加工形成的凹陷部分206的負(fù)載橫梁具有大的寬度。負(fù)載橫梁的寬度增加是不希望的，因?yàn)樗拗拼疟P驅(qū)動(dòng)器的布局和增加HGA的重量。
與之對(duì)比，根據(jù)該實(shí)施例的負(fù)載橫梁203通過刻蝕三層結(jié)構(gòu)的層狀材料的表面來設(shè)有凹陷部分206。因此，與通過擠壓加工形成負(fù)載橫梁的情況相比，不具有通過擠壓加工而產(chǎn)生的擴(kuò)大負(fù)載橫梁的寬度，負(fù)載橫梁可以具有較小的寬度。
中間具有聚酰亞胺樹脂層的層狀材料的使用允許聚酰亞胺樹脂用作阻尼部件，以便可以預(yù)期阻尼效應(yīng)。注意可以使用其它樹脂材料來代替聚酰亞胺樹脂作為形成負(fù)載橫梁203的層狀材料的中間層。
注意本發(fā)明可以被應(yīng)用于CSS(接觸起動(dòng)停止)型磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)不進(jìn)行數(shù)據(jù)寫/讀時(shí)，磁頭滑動(dòng)器105退入在磁盤101的內(nèi)圓周處設(shè)置的區(qū)中。在上述磁盤驅(qū)動(dòng)器中，為了簡(jiǎn)化，磁盤101是一個(gè)單側(cè)記錄磁盤，而磁盤驅(qū)動(dòng)器100可以具有一個(gè)或多個(gè)雙面記錄磁盤。
其他實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的HGA 200僅僅在與負(fù)載橫梁203的磁頭滑動(dòng)器105相對(duì)的區(qū)域中設(shè)有凹陷部分206。但是，它僅僅需要凹陷部分206的開口面積大于磁頭滑動(dòng)器105的后表面105b的面積，以便磁頭滑動(dòng)器105可以偏離磁盤101。
因此，凹陷部分206可以具有較大的開口面積，例如，在負(fù)載橫梁203的縱向上，可以對(duì)于包括與磁頭滑動(dòng)器105相對(duì)的位置的整個(gè)負(fù)載橫梁203形成凹陷部分206。此時(shí)，負(fù)載橫梁203在縱向上可以被凹陷至其端部，以便凹陷部分206的側(cè)壁可以具有打開形狀。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的負(fù)載橫梁203由包括不銹鋼板和聚酰亞胺樹脂的層狀材料形成，而其他種類的金屬板可以被使用來代替不銹鋼板，其他代用材料可以被使用，只要諸如重量、剛性和污染的條件可以被滿足。其他材料可以被使用來代替聚酰亞胺樹脂。
負(fù)載橫梁203的材料不局限于結(jié)合本發(fā)明的第一實(shí)施例描述的層狀材料。制造負(fù)載橫梁203的方法不局限于通過刻蝕制造。例如，可以通過擠壓加工為單塊金屬板，來形成具有凹陷部分206的負(fù)載橫梁203。可以應(yīng)用控制刻蝕的深度的半蝕刻技術(shù)，以便可以由單塊不銹鋼板形成具有凹陷部分206的負(fù)載橫梁203。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的形成負(fù)載橫梁203的層狀材料中包括的層數(shù)目不局限于三個(gè)。該層數(shù)目可以更大。知道本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍的條件下可以進(jìn)行各種改進(jìn)。
100磁盤驅(qū)動(dòng)器，101磁盤，105磁頭滑動(dòng)器，105a空氣支承面(ABS)，105b磁頭滑動(dòng)器后表面，106支架，110懸架，111臂，116突片，200磁頭萬(wàn)向架組件(HGA)，201引線，202撓曲部分，202a載物臺(tái)，203負(fù)載橫梁，203a負(fù)載橫梁表面，204凸緣，205凹座，206凹陷部分，2031，2032不銹鋼板，2032聚酰亞胺樹脂層
權(quán)利要求
1.一種磁頭萬(wàn)向架組件，包括磁頭滑動(dòng)器，具有用于從磁盤讀取數(shù)據(jù)和/或?qū)憯?shù)據(jù)到磁盤的磁頭元件；撓曲部分，用于保持磁頭滑動(dòng)器；以及負(fù)載橫梁，固定有該撓曲部分，并包括在縱向上延伸的負(fù)載橫梁的邊緣處在一側(cè)上突出而形成的凸緣，該側(cè)與在與磁盤相對(duì)的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面相對(duì)，以及包括凹陷部分，其向與磁盤相對(duì)的側(cè)提供開口并具有大于與該撓曲部分相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的第一表面的面積的開口面積，其中與磁盤相對(duì)的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面的位置位于包括與磁盤相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的表面的虛擬表面和包括第一表面的虛擬表面之間，該磁頭滑動(dòng)器被設(shè)置在該凹陷部分中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭萬(wàn)向架組件，其中第一表面的位置位于在與磁盤相對(duì)的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面和包括凸緣的尖端的虛擬表面之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭萬(wàn)向架組件，其中該凹陷部分包括底部，該底部具有升高到其上放置有磁頭滑動(dòng)器的側(cè)面的凹座，以及該撓曲部分與凹座接觸地支撐。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭萬(wàn)向架組件，其中該負(fù)載橫梁由層狀材料形成，該層狀材料在第一板和第二板之間具有中間層，第一板形成負(fù)載橫梁的基板，中間層形成凹陷部分的側(cè)壁，以及第二板形成凹陷部分的底部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的磁頭萬(wàn)向架組件，其中該中間層由樹脂形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的磁頭萬(wàn)向架組件，其中該第一板和第二板是不銹鋼，以及中間層是聚酰亞胺樹脂。
7.一種制造磁頭萬(wàn)向架組件的方法，該磁頭萬(wàn)向架組件包括具有磁頭元件的磁頭滑動(dòng)器、保持該磁頭滑動(dòng)器的撓曲部分以及固定有該撓曲部分的負(fù)載橫梁，該方法包括以下步驟制備在第一板和第二板之間具有中間層的層狀材料；從第一板側(cè)刻蝕第一板和中間層，由此形成凹陷部分，其具有用作底部的第二板和用作側(cè)壁的中間層；從第二板側(cè)刻蝕第二板和中間層，至少去除在第二板中形成凹陷部分的底部的區(qū)域，由此利用第一板形成負(fù)載橫梁的基板；將基板的邊緣部分向中間層側(cè)彎曲，由此形成凸緣；以及設(shè)置撓曲部分和磁頭滑動(dòng)器，以便將磁頭滑動(dòng)器放置在凹陷部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的制造方法，其中該磁頭滑動(dòng)器被設(shè)置為使得基板的位置位于包括與磁盤相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的表面的虛擬表面和包括與該撓曲部分相對(duì)的表面的虛擬表面之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的制造方法，其中該磁頭滑動(dòng)器被設(shè)置為使得與該撓曲部分相對(duì)的磁頭滑動(dòng)器的表面位于包括凸緣的根部的虛擬表面和包括該凸緣的尖端的虛擬表面之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的制造方法，其中該中間層是樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的制造方法，其中第一板和第二板是不銹鋼，以及中間層是聚酰亞胺樹脂。
12.一種用于保持具有磁頭元件的磁頭滑動(dòng)器的懸架，包括具有載物臺(tái)的撓曲部分，在該載物臺(tái)處放置磁頭滑動(dòng)器；以及在其處固定該撓曲部分的負(fù)載橫梁，包括凸緣，該凸緣形成以在與在一側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面相對(duì)的側(cè)上突出，在該所述前一側(cè)上在負(fù)載橫梁的縱向上延伸的負(fù)載橫梁的兩個(gè)邊緣處設(shè)置撓曲部分，以及提供向其上設(shè)置有撓曲部分的側(cè)打開的凹陷部分，其中該撓曲部分被設(shè)置在凹陷部分中，以便包括載物臺(tái)的虛擬表面的位置位于包括凸緣的端部的虛擬表面和包括在其上設(shè)有撓曲部分的側(cè)上的負(fù)載橫梁的表面的虛擬表面之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的懸架，其中該凹陷部分具有底部，該底部具有升高至其上放置有磁頭滑動(dòng)器的側(cè)面的凹座，以及其中該撓曲部分與凹座接觸地支撐。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的懸架，其中該負(fù)載橫梁由層狀材料形成，該層狀材料在第一板和第二板之間具有中間層，第一板形成負(fù)載橫梁的基板，中間層形成凹陷部分的側(cè)壁，以及第二板形成凹陷部分的底部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的懸架，其中該中間層由樹脂形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的懸架，其中第一板和第二板是不銹鋼，以及中間層是聚酰亞胺樹脂。
全文摘要
為了在保持負(fù)載橫梁的剛性的同時(shí)減小磁頭萬(wàn)向架組件(HGA)的高度。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，HGA 200包括滑動(dòng)器105、撓曲部分202以及負(fù)載橫梁203。負(fù)載橫梁203包括在縱向上延伸的負(fù)載橫梁的邊緣處向關(guān)于磁盤的相對(duì)側(cè)而形成的凸緣204。負(fù)載橫梁203具有凹陷部分206，向與磁盤相對(duì)的側(cè)開口并具有大于與撓曲部分202相對(duì)的滑動(dòng)器105的后表面105b的面積的開口面積。磁頭滑動(dòng)器105被設(shè)置在凹陷部分206中，以便負(fù)載橫梁203的表面203a的位置位于包括與磁盤相對(duì)的滑動(dòng)器105的表面的虛擬表面和包括滑動(dòng)器后表面105b的虛擬表面之間。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101083124SQ20071010510
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2007年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日
發(fā)明者出口隆明, 太田睦郎, 木村伸一, 松田浩 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司