專利名稱：圓周方向的擦傷缺陷檢測方法和磁盤檢查裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種圓周方向的擦傷缺陷檢測方法和磁盤檢查裝置(下面稱為檢查裝置)，具體涉及一種磁盤檢查裝置中、可在電氣特性檢查中檢測沿圓周方向的擦傷缺陷(圓周擦傷)的檢查裝置。
背景技術：
計算機系統(tǒng)中使用的硬磁盤(下面簡稱為磁盤或盤)當磁性媒體有異常時，寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)中產(chǎn)生錯誤，所以利用檢查裝置將規(guī)定的測試數(shù)據(jù)、例如FFh數(shù)據(jù)寫入盤的規(guī)定軌道上，讀出該數(shù)據(jù)，證明磁性媒體是否良好(電氣特性檢查中的評價)。所述FFh的h表示16進制，所以FFh表示均為“1”的比特數(shù)據(jù)。
在由檢查裝置檢測的比特錯誤中，有比特的消失、即丟失錯誤(包含為規(guī)定閾值以下的電平的比特)、與比特的飛出(穿刺)引起的穿刺錯誤、正調(diào)制錯誤、負調(diào)制錯誤等。另外，此外還檢測在消失數(shù)據(jù)的狀態(tài)下是否讀出比特，將此時檢測的錯誤設為溢出(涌出)錯誤。
在磁盤驅動裝置(HDD)中，數(shù)據(jù)的寫入使用線圈形式的磁頭(感應頭)，讀出時使用MR頭。將這些寫入頭與讀出頭一體化為復合頭，盤記錄密度漸漸提高。
在所述缺陷檢查中，存在稱為同心圓檢查的缺陷檢查，即使磁頭尋軌磁盤的各軌道，由磁頭沿各軌道同心圓狀地掃描盤，檢測缺陷；和稱為螺旋檢查的缺陷檢查，即利用磁頭(頭托架)螺旋狀地掃描盤，檢測缺陷。
前者的同心圓檢查通常為了整個面檢查盤，費時，效率差。并且，最近，檢查軌道數(shù)量增大，盤的品質(zhì)也提高。實際上，具有缺陷的軌道對于全部軌道最多為100條至200條左右。因此，大多執(zhí)行部分抽取檢查軌道來執(zhí)行的抽取同心圓檢查或后者的螺旋檢查。另外，后者的螺旋檢查也以抽取間距來執(zhí)行螺旋檢查(專利文獻1、2、3)。
專利文獻1日本特開平10-275434號公報專利文獻2日本特開2000-57502號公報專利文獻3日本特開2000-57501號公報根據(jù)高記錄密度的要求，近年來HDD中使用的頭組件(磁頭+懸架彈簧)的實際大小相對于1.8英寸以下的盤，為15mm-20mm左右，設置在懸架彈簧頂端的磁頭大小也為0.5mm×0.5mm左右或以下，包含滑塊也不過3mm×3mm左右，非常小。并且，磁頭與磁盤的間隔接近從十幾nm至幾十nm的距離。
因此，若有圓周擦傷，則磁盤不好的可能性高。以前，該圓周擦傷利用光學缺陷檢查來檢測，但在最近的高記錄密度下，即便在光學檢查合格的磁盤中，也由于電氣特性檢查中圓周擦傷而出現(xiàn)不好的盤。因此，光學檢查中提高圓周擦傷的檢測精度，判定不合格盤，但即便這樣，原來具有圓周擦傷以外的缺陷的盤也不合格，存在盤生產(chǎn)中合格率降低的問題。
因此，盡管要求在電氣特性檢查中檢測圓周擦傷，但目前難以僅檢測圓周擦傷，而是檢測線性缺陷。線性缺陷中存在各種缺陷，若檢測線性缺陷，則存在檢測大量圓周擦傷以外的缺陷的問題。
由于通常的線性缺陷不是圓周狀，所以不對盤的電氣特性產(chǎn)生大的影響。因此，即便存在這種缺陷，電氣特性下盤也大多并非不合格。現(xiàn)狀是若從S字缺陷等曲線缺陷或多數(shù)線性缺陷中抽出圓周擦傷，則必需包含其曲率狀態(tài)或彎曲方向，難以判定，并且，判定費時。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決這種現(xiàn)有技術的問題，提供一種圓周方向的擦傷缺陷檢測方法和磁盤檢查裝置，可不使盤生產(chǎn)合格率降低，利用電氣特性檢查來高效檢測圓周擦傷。
本發(fā)明的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法或磁盤檢查裝置的結構中，檢查磁盤，采樣缺陷數(shù)據(jù)與在該磁盤上的位置，對于采樣的缺陷數(shù)據(jù)，沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長度，設定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對于檢查區(qū)域中的缺陷數(shù)據(jù)，以比檢查區(qū)域的規(guī)定寬度短的寬度，設置沿與該寬度成直角的方向、具有比所述規(guī)定長度短的長度的長方形檢索框，檢測在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷，與檢測出的所述連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動所述檢索框，以便所述檢測出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測移動前與移動后的所述檢索框的整個區(qū)域內(nèi)的、所述檢測出的連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量，檢測該長度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周擦傷(圓周方向的擦傷缺陷)。
這樣，本發(fā)明在設定的圓周狀檢查區(qū)域中，沿連續(xù)性缺陷使長方形檢索框追蹤移動，連續(xù)檢測連續(xù)性缺陷，直到在檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)性缺陷中斷為止。由此，得到連續(xù)性缺陷的總長度或總缺陷數(shù)，抽出該長度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為圓周擦傷。
通過限于所述規(guī)定寬度的檢索區(qū)域利用檢索框追蹤連續(xù)性缺陷，本發(fā)明可排除曲線狀連續(xù)性缺陷中未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷。其原因在于圓周擦傷以外的這些曲線被檢索區(qū)域切斷，成為比圓周擦傷小的斷片。因此，成為問題的圓周擦傷以外的這些曲線的連續(xù)性缺陷在下面說明的實施例中、通過檢索框的9次以下的移動，結束其檢測。
即，若對采樣的缺陷數(shù)據(jù)、沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長度來設定缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，則該檢查區(qū)域對于缺陷數(shù)據(jù)而言，構成沿磁盤的圓周方向且在徑向具有某個寬度的區(qū)域。位于該區(qū)域中的連續(xù)性缺陷可限制成包入該寬度中的線性缺陷與圓周擦傷缺陷。并且，由于圓周擦傷缺陷沿該區(qū)域的圓周方向包含于其中，所以與線性缺陷相比，圓周擦傷缺陷的缺陷長度或缺陷數(shù)量大。
因此。為了檢測該圓周擦傷缺陷，在該檢查區(qū)域中設定一定寬度與一定長度的細長檢索框，沿位于檢索框的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷的方向，使檢索框移動，追蹤該連續(xù)性缺陷，得到連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量。由此，有選擇地僅檢測磁盤具有的、接近圓的曲率較大的曲線狀連續(xù)性缺陷，抽出該連續(xù)性缺陷，作為圓周擦傷。
此時的一定寬度與一定長度的檢索框在實施例中設通過連續(xù)移動檢索框8次或以上，想檢測的最小長度、例如2mm的圓周擦傷的全體。因此，檢索框為大小(長度與寬度)包入想檢測的最小長度圓周擦傷的1/8或以下圓弧斷片的框。其中，圓周擦傷不在完整的圓上，在磁盤的內(nèi)周側與外周側，曲率多少有差異，所以包含該差異來確定檢索框的大小。
檢索框是包入規(guī)定曲率的圓周擦傷的圓弧斷片的模板框或基準框，想檢測的圓周擦傷以外的曲線的大部分的大小最好是通過移動檢索框4次-12次左右結束連續(xù)性缺陷。
加入本發(fā)明檢索框的具體移動方法的一例中，檢測具有越過檢索框的長度或缺陷數(shù)量的連續(xù)性缺陷，當相對于檢索框中的連續(xù)性缺陷的檢索開始點，將檢索框移動到下一開始點時，將其移動方向設定為連結檢索框的開始點與最后的缺陷(或從開始點起3個缺陷以下的之前缺陷)的方向上。由此，不構成圓周曲線狀的直線線性缺陷由于通過在下次檢索框的移動中檢索框越過檢查區(qū)域的寬度，結束連續(xù)性缺陷的檢索，所以排除各種線性缺陷。
并且，由于利用向所述方向的檢索框的移動，曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷對應于其曲率，在中途超出檢索框，所以下一開始點變?yōu)閷谇实姆较颉Ｓ纱耍瑱z索框的移動沿追蹤曲線曲率的方向移動，故變?yōu)樵竭^檢索區(qū)域的方向，加入檢索框的次數(shù)降低。
這樣，通過在檢查區(qū)域中依次追蹤移動檢索框，可以對應于檢索框長度的次數(shù)，沿連續(xù)性缺陷的曲線，追蹤檢測圓周狀的缺陷。結果，不會影響周圍的線性缺陷，利用檢測的連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量，將檢測的連續(xù)性缺陷實質(zhì)限定為圓周擦傷。
這里的檢索框的長度最好對應于磁盤的半徑或檢測的圓周擦傷的狀態(tài)來選擇。
結果，可利用電氣特性檢查來高效檢測圓周擦傷，不必在光學檢查中提高圓周擦傷的檢測精度，檢測不合格磁盤，可防止磁盤生產(chǎn)合格率降低。


圖1是適用本發(fā)明的檢查裝置的一實施例的結構圖。
圖2(a)是關于圓周擦傷檢測的檢查區(qū)域的說明圖，圖2(b)是關于檢索框的設定與其移動方向的說明圖。
圖3(a)是對于開始檢索的基準缺陷、檢索框的檢索方向確定的說明圖，圖3(b)是分塊檢索檢查區(qū)域的處理的說明圖。
圖4是圓周擦傷檢測處理的流程圖。
具體實施例方式
圖1是適用本發(fā)明的檢查裝置的一實施例的結構圖，圖2(a)是圓周擦傷檢測的檢查區(qū)域的說明圖，圖2(b)是檢索框的設定與其移動方向的說明圖，圖3(a)是對于開始檢索的基準缺陷、檢索框的檢索方向確定的說明圖，圖3(b)是分塊檢索檢查區(qū)域的處理的說明圖，圖4是圓周擦傷檢測處理的流程圖。
圖1中，磁盤1被安裝在旋轉機構2的主軸2a上旋轉。旋轉編碼器2b產(chǎn)生檢測主軸2a的旋轉狀態(tài)的INDX脈沖，其它脈沖等，將這些脈沖輸入檢查裝置5的缺陷檢測處理控制部54。接受該脈沖后，缺陷檢測處理控制部54檢測磁盤1的旋轉基準位置(索引，下面稱為INDX)與距其的旋轉角度θ(＝磁盤的旋轉量)，算出缺陷的位置坐標。
在缺陷檢查中，對于旋轉的磁盤1，設置在缺陷檢測處理控制部54內(nèi)部的MPU(宏處理器)541向寫入/讀出控制單元51提供確定磁盤徑向移動速度的測試間距信號與測試數(shù)據(jù)、例如所述的FFh數(shù)據(jù)。
寫入/讀出控制單元51內(nèi)置頭托架位置控制電路，驅動頭托架7，沿磁盤1上的徑向，以對應于從MPU541提供的測試間距的規(guī)定移動速度，使寫入側的感應磁頭3b尋軌。
另外，寫入/讀出控制單元51將從MPU541提供的測試數(shù)據(jù)變換為規(guī)定的電流值信號，將其以規(guī)定的定時發(fā)送到寫入/讀出電路50的寫入電路，經(jīng)其驅動磁頭3b。接受了表示旋轉基準位置的INDX信號的寫入/讀出控制單元51以此為起點，沿螺旋掃描中的軌跡，依次將測試數(shù)據(jù)寫入磁盤1的規(guī)定軌道中。
旋轉編碼器2b的輸出除被輸入寫入/讀出控制單元51外，還被輸入到錯誤檢測單元52與缺陷檢測處理控制部54。
沿螺旋掃描中的軌跡寫入的測試數(shù)據(jù)被頭單元4讀出。頭單元4被寫入/讀出控制單元51驅動，由控制其移動的頭托架6定位在磁盤1上寫入測試數(shù)據(jù)的規(guī)定軌道上。頭單元4中一體組裝感應磁頭3a與讀出MR頭3，頭單元4的讀出MR頭3讀出測試數(shù)據(jù)。
在磁盤1的背面?zhèn)龋苍O置與所述磁頭3b和頭單元4一樣的磁頭和頭單元。由于這些磁頭和頭單元與本發(fā)明無直接關系，所以圖中省略。同樣執(zhí)行這些磁頭的讀寫動作，采樣缺陷數(shù)據(jù)，但下面說明磁盤1的表面?zhèn)鹊娜毕輽z查，省略背面?zhèn)鹊恼f明。
將讀出的測試數(shù)據(jù)提供給寫入/讀出電路50，經(jīng)寫入/讀出電路50，作為讀出信號，送出至錯誤檢測單元52，這里執(zhí)行錯誤檢測。由錯誤檢測單元52檢測的錯誤比特數(shù)據(jù)被送出至檢查裝置5的缺陷檢測處理控制部54，這里，根據(jù)錯誤比特數(shù)據(jù)，為了檢測缺陷，執(zhí)行規(guī)定的解析處理與其它的數(shù)據(jù)處理。
8是半周延遲電路，是從寫入/讀出控制單元51接受移動托架的移動控制信號后、使移動控制信號延遲磁盤1的一個旋轉周期一半時間的電路。該電路被插入寫入/讀出控制單元51與頭托架6之間，將來自寫入/讀出控制單元51的移動控制信號延遲半周期后，送出至頭托架6。
結果，頭托架6、7從寫入/讀出控制單元51接受相同的移動控制信號，但由于頭托架6側的移動控制信號被延遲半周期，所以頭單元4的讀出MR頭3在磁盤1徑向上的存取位置延遲半周期到達由頭托架7定位的磁頭3b的存取位置。
如圖所示，寫入側磁頭3b位于距離磁盤1的外周為D的位置上，若寫入測試數(shù)據(jù)，則磁盤1旋轉半周，當寫入該測試數(shù)據(jù)的位置到達讀出MR頭3的位置時，讀出MR頭3也被定位在距磁盤1的外周為D的距離上。當讀出MR頭3讀出所述測試數(shù)據(jù)時，磁頭3b如虛線所示，移動到距磁盤1的外周為D+p/2的位置，寫入下一測試數(shù)據(jù)。其中，p為螺旋掃描的磁盤徑向的移動間距。這種測試數(shù)據(jù)的寫入與讀出利用寫入/讀出控制單元51對托架6、7的移動控制、在錯位半周期的狀態(tài)下連續(xù)進行。
由此，讀出MR頭3描繪與寫入側磁頭3a的螺旋掃描軌跡相同的軌跡，掃描磁盤1。
調(diào)整初始狀態(tài)的各個頭，以實質(zhì)上定位于磁盤上的相同軌道上，將各頭裝配在各頭托架6、7上。另外，螺旋掃描從磁盤1的外周向內(nèi)周進行，同時開始兩個頭托架6、7的驅動。
缺陷檢測處理控制部54利用總線545相互連接MPU541、存儲器542、CRT顯示器543、鍵盤544等。
存儲器542中存儲缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a、圓周擦傷檢索框設定程序542b、圓周擦傷檢測程序542c、圓周擦傷分類程序542d、盤是否合格判定程序542e，設置存儲了檢索框大小(寬度W、長度L)、徑向缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW、圓周擦傷的分類基準值1mm、10mm等的參數(shù)區(qū)域542f以及作業(yè)區(qū)域542g等。
在本實施例中，設檢測的缺陷平均直徑為10微米左右。此時，制約缺陷數(shù)據(jù)徑向檢索范圍的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(參照圖2(a))在檢查2.5英寸盤的情況下為1mm左右，對應于徑向的連續(xù)性缺陷(多個缺陷構成列連續(xù)時的各缺陷)的缺陷數(shù)量為100個左右。檢查區(qū)域P的寬度、即缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW在這里對應于將分類的中間尺寸的圓周擦傷的最小長度設為1mm(這相當于想檢測的中間尺寸圓周擦傷的最小長度(＝2mm)的1/2)時(如后所述)。
檢索框(檢索框9(參照圖2(b)))為長方形的追蹤框，在檢查2.5英寸盤的情況下，其大小為寬度W(垂直軸)為50微米，徑向上連續(xù)的缺陷為5個左右，長度L(水平軸)為250微米，圓周方向上連續(xù)的缺陷為25個左右。
這種大小的檢索框如圖2(b)所示，是包入圓周擦傷的部分圓弧斷片的大小的框。如上所述，追蹤連續(xù)性缺陷的檢索框是包入規(guī)定曲率圓周擦傷的圓弧斷片的模板框，圓周擦傷以外的曲線大部分在移動檢索框9八次或八次以下后，連續(xù)性缺陷結束。
對缺陷數(shù)據(jù)設定檢索框9例如通過從檢索區(qū)域P中抽出檢索框9內(nèi)的區(qū)域的缺陷數(shù)據(jù)，存儲在作業(yè)區(qū)域542g的特定部位，對該存儲的缺陷數(shù)據(jù)進行處理來執(zhí)行。此時，也可包含位于檢索框9的框上的缺陷數(shù)據(jù)。
這里，將寬度W(垂直軸)設為50微米(＝10微米×5)是在將想檢測的中間尺寸圓周擦傷的最小長度設為2mm時，沿檢索框9的中心軸O包入其1/8圓弧斷片250微米或以下的圓弧斷片，在寬度方向的前后，具有包入1個以上多余缺陷的余裕的大小。其原因在于圓周擦傷不在完整的圓上，存在從磁盤內(nèi)周至外周曲率多少有差異的多種圓周擦傷。必需是包入這種圓周擦傷的寬度。設為該大小時，徑向上連續(xù)的缺陷必需是5個左右。作為檢索框9的大小，最好是包入想檢測的中間尺寸圓周擦傷的最小長度的1/4圓弧斷片到1/12圓弧斷片的范圍。在所述1/8圓弧斷片的情況下，圓周擦傷以外的曲線大部分在移動檢索框9八次或八次以下后，連續(xù)性缺陷結束。
這里，如圖2(b)所示，檢索框9的寬度W比缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW小，最好為50微米-100微米左右的范圍。其長度對應于磁盤的半徑或檢測的圓周擦傷的狀態(tài)來確定，最好為150微米-500微米左右的范圍。另外，缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(檢查區(qū)域P的寬度)同樣對應于磁盤的半徑或檢測的圓周擦傷的狀態(tài)來確定，最好為0.5mm-2mm左右。該范圍被設定為形成為圓周擦傷或類似的拋物線瑕疵的、影響數(shù)據(jù)讀出/寫入的曲線瑕疵變化的范圍。
因此，這里檢測的圓周擦傷中可包含與圓周擦傷類似的拋物線瑕疵等、在數(shù)據(jù)的讀/寫中成問題的缺陷。
MPU541執(zhí)行缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a，執(zhí)行螺旋掃描，檢查磁盤1的全部軌道，對應于來自旋轉編碼器2b的脈沖信號與磁盤1的徑向的頭4的當前位置，算出檢測缺陷的坐標值，將該坐標值與表示缺陷種類的數(shù)據(jù)一起，作為缺陷數(shù)據(jù)(關于各種缺陷的數(shù)據(jù))，存儲在存儲器的作業(yè)區(qū)域542g中。
作為這里的缺陷數(shù)據(jù)，最好以檢測為穿刺錯誤、正調(diào)制錯誤、負調(diào)制錯誤、丟失錯誤、溢出錯誤等錯誤的全部缺陷為對象，但也可對任一檢測的缺陷或其中的幾個檢測的缺陷檢測連續(xù)性缺陷。
MPU541對應于與圓周擦傷檢測相對應的規(guī)定功能鍵輸入，執(zhí)行圓周擦傷檢索框設定程序542b，根據(jù)從鍵盤544輸入的參數(shù)區(qū)域542f的數(shù)據(jù)，在磁盤上生成W×L的長方形面積的檢索框(參照圖2(b)的檢索框9))的坐標值數(shù)據(jù)，并存儲在存儲器的作業(yè)區(qū)域542g中，調(diào)用圓周擦傷檢測程序542c。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢測程序542c，從作業(yè)區(qū)域542g中抽出事先沿徑向設定的缺陷數(shù)據(jù)檢查寬度RW的磁盤1周大小的檢查區(qū)域P(參照圖2(a))，作為檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)，單獨存儲在作業(yè)區(qū)域542g的規(guī)定區(qū)域中，讀出存儲在作業(yè)區(qū)域542f中的檢索框9的坐標值數(shù)據(jù)，參照檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)，抽出位于檢索框9的區(qū)域中的缺陷數(shù)據(jù)，檢測位于檢索框9的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷。使由檢索框9的坐標數(shù)據(jù)形成的檢索框9(參照圖2(b))向圓周方向、這里為時針方向依次移動，以便沿缺陷的連續(xù)性缺陷加上檢索框9。
對于由檢索框追蹤的連續(xù)性缺陷，檢測包入移動前與移動后的移動的框的整體區(qū)域范圍中的缺陷數(shù)據(jù)個數(shù)與長度，當存在規(guī)定值以上的連續(xù)缺陷時或存在規(guī)定長度以上的缺陷時，作為圓周擦傷，將該長度與坐標數(shù)據(jù)存儲在作業(yè)區(qū)域542g的規(guī)定面積中，檢測檢查區(qū)域P中的全部連續(xù)性缺陷。并且，更新檢查區(qū)域P，在磁盤的整個面中檢測連續(xù)性缺陷。
若如此完成磁盤整個面中的連續(xù)性缺陷檢測，則調(diào)用圓周擦傷分類程序542d。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷分類程序542d，參照參數(shù)區(qū)域542f的圓周缺陷的尺寸分類基準值(1mm、10mm)，分類成短圓周擦傷(下面稱為短尺寸)、中間圓周擦傷(下面稱為中間尺寸)、長圓周擦傷(下面稱為長尺寸)等3種缺陷。
短、中間、長的尺寸分類以連續(xù)性缺陷的長度為1mm(＝10微米×100個)以下為短，連續(xù)性缺陷的長度為10mm(＝10微米×1000個)以上為長，其間的為中間，分別分類，將缺陷數(shù)據(jù)的個數(shù)與長度及其坐標(開始點與結束點的坐標)存儲在作業(yè)區(qū)域542g中。之后，調(diào)用盤是否合格判定程序542e。
所述圓周擦傷的尺寸分類值也可不是一個圓周擦傷的長度，而是圓周擦傷的連續(xù)性缺陷的缺陷列中的總缺陷數(shù)量。此時，其基準值為100個以下與1000個以上，100個以下為短，1000個以上為長，其間的為中間。
另外，在與檢索框9的長度L的關系下，這里使檢索框9移動多次、例如4次左右、追蹤檢測到的連續(xù)性缺陷在所述判定中為短圓周擦傷，檢測為圓周擦傷的一部分，但短中包含大量未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷的斷片。不必將其處理成有問題的圓周擦傷。有問題的圓周擦傷或大部分圓周擦傷被尺寸分類為具有1mm或以上長度的中間、長圓周擦傷。
成問題的中間尺寸、長尺寸的連續(xù)性缺陷為通過使檢索框9移動5次或以上來包入圓周擦傷整體的長度。檢索框9移動5次或以上檢測的連續(xù)性缺陷的最大長度實質(zhì)上為5×(250微米-10微米)。這里，檢索框9的長度被確定為(250微米-10微米)的原因在于檢索框中的連續(xù)的最后缺陷是接著設定的檢索框9的開始點。這一點如后所述。
5×(250微米-10微米)的長度為1mm以上，但4×(250微米-10微米)的長度為1mm以下。如上所述，雖然想檢測的中間尺寸圓周擦傷的最小長度為2mm，但在本例中，中間尺寸圓周擦傷的最小長度為1mm。因此，作為在1mm-2mm長度范圍下檢測的連續(xù)性缺陷，圓周擦傷與各種缺陷所構成的線性缺陷被分類成中間圓周擦傷。將中間尺寸的圓周擦傷的最小長度設為1mm的原因在于確保合格盤判定的可靠性。根據(jù)這點，將檢索框9的長度L(＝250微米)作為包入1mm長度的圓周擦傷的1/4圓弧斷片的長度來確定。檢索框9加入8次后檢測的連續(xù)性缺陷的最大長度實質(zhì)上為8×(250微米-10微米)，為2mm以下，處理為想檢測的中間尺寸圓周擦傷的最小長度2mm的范圍的圓周擦傷。
成問題的圓周擦傷的判定分類也可采用缺陷長度與缺陷數(shù)量兩者。只要對應于其與條件、或條件來適當分類即可。尺寸分類數(shù)量不限于短、中間、長等3類。
接著，MPU541執(zhí)行盤是否合格判定程序542e，參照作業(yè)區(qū)域542g，首先，判定是否有長尺寸的圓周擦傷。當判定結果即便有1個時，也將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲在NG盒中。
否則(當沒有長的圓周擦傷時)，接著判定中間尺寸的圓周擦傷是否為規(guī)定數(shù)量以上。規(guī)定數(shù)量例如為10個，當有10個以上時，將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲在NG盒中。
這里，設為有10個以上時的原因在于，包含在1mm-2mm長度范圍中的圓周擦傷與各種缺陷所構成的線性缺陷，通過對中間尺寸執(zhí)行合格盤的判定，使該判定具有可靠性。
否則，接著判定短尺寸的圓周擦傷是否為規(guī)定數(shù)量以上。該規(guī)定數(shù)量例如為30個，當有30個以上時，與成問題的圓周擦傷的有無無關，將檢查磁盤判定為NG，將檢查磁盤存儲在NG盒中。否則，判定為合格(GD)，將檢查磁盤存儲在合格盒中。
下面，參照圖2、圖3的圓周擦傷檢測的說明圖與圖4的圓周擦傷檢測處理的流程圖，說明圓周擦傷檢測處理。
圖2(a)是對應于磁盤1的徑向、具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域P，通過將檢索框9的移動限制成檢查區(qū)域P，將檢索缺陷數(shù)據(jù)的范圍限制成檢索寬度RW的范圍。檢索框9在檢查區(qū)域P的范圍內(nèi)沿其追蹤移動連續(xù)性缺陷。
檢查區(qū)域P的檢索寬度RW切斷曲線狀連續(xù)性缺陷中未沿圓周方向的曲線缺陷、曲率小的曲線缺陷、相反曲率過大的曲線缺陷。圓周擦傷以外的這些曲線為比圓周擦傷小的斷片。因此，這些曲線的連續(xù)性缺陷在本實施例中通過移動檢索框9八次或以下，結束連續(xù)性缺陷的檢測。
圖2(b)是對應于徑向、在缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P的范圍內(nèi)移動的檢索框9的移動的說明圖。
檢索框9具有寬度W與長度L，這些寬度W與長度L的值從鍵盤544輸入后，存儲在參數(shù)區(qū)域542f中。這些值可對應于檢測的缺陷最小值與盤的半徑等變更。如上所述，寬度W為寬度RW的1/2以下，比缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW小，為包入檢查區(qū)域P的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW中的大小。
檢索框9的移動方向在圖2(b)中為時針方向，對應于磁盤1的圓周方向。其起始點為檢索框9a(9)中的連續(xù)性缺陷的開始點，其為基準缺陷Ks。因此，設定最初的檢索框9，使基準缺陷Ks與檢索框9左端一邊(在時針方向的框移動中為框的寬度方向的邊)的中央一致。檢索框9的移動方向也可如后所述為逆時針方向，或分別采用兩者作為移動方向。
基準缺陷Ks在檢索框的移動過程中為未登錄的最初缺陷。在檢索框9內(nèi)發(fā)現(xiàn)的缺陷將其位置坐標存儲在存儲器542的規(guī)定區(qū)域中，登錄后，成為登錄缺陷。因此，未存儲在存儲器542的規(guī)定區(qū)域中的缺陷成為未登錄缺陷。
檢索框9對應于徑向，在具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P中，沿連續(xù)性缺陷，追蹤沿時針方向采樣的缺陷數(shù)據(jù)，移動磁盤1周(軌道1周)，若無連續(xù)性缺陷，則對1周的缺陷數(shù)據(jù)查找未登錄缺陷，接著以其為開始點，重復移動。
若1周的缺陷數(shù)據(jù)中無未登錄缺陷，則檢查區(qū)域P再從磁盤的內(nèi)周移動到外周，對采樣的磁盤上的缺陷數(shù)據(jù)，更新設定檢查區(qū)域P。在該更新后的檢查區(qū)域P中，同樣移動檢索框9，檢測連續(xù)性缺陷。
這里，說明檢查區(qū)域P從內(nèi)周向外周的移動。
若對應于徑向、具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P的1周缺陷數(shù)據(jù)中無未登錄缺陷，則對于1周的缺陷數(shù)據(jù)，檢索框9的檢索完成。之后，沿徑向以RW-α大小向外周側更新具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P。由此，以缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW僅局部(α大小)重復的方式，從內(nèi)周向外周移動檢查區(qū)域P。重復寬度α最好是包入2-3個左右缺陷的寬度。重復寬度在檢測的缺陷為10微米左右時，為20-30微米左右。
在設定各檢索框9的范圍內(nèi)檢測的1個-5個左右孤立或連續(xù)性缺陷作為無連續(xù)性的缺陷(孤立缺陷)，登錄缺陷的各坐標值，忽視其結果。構成之外的連續(xù)性缺陷的各個缺陷數(shù)據(jù)依次在作業(yè)區(qū)域542g中作為連續(xù)性缺陷，登錄各坐標值，其余的構成未登錄缺陷。
連續(xù)性缺陷例如通過建立表示連續(xù)性的標志、作為連續(xù)性缺陷、存儲位置坐標來登錄，與孤立缺陷相區(qū)分。或與孤立缺陷相分離地登錄在連續(xù)性缺陷的區(qū)域中。
如圖2(b)所示，以基準缺陷Ks(開始點的缺陷)為基準的最初檢索框9a(9)的方向首先設定成檢索框9a的長度L的方向之中心線O與連續(xù)性缺陷的方向一致。中心線O是檢索框9a(9)的長度方向的框的中心線。圖2(b)的基準缺陷Ks(檢索框9a的開始點)位于檢索框9a的寬度方向一邊與中心線O的交點上。圖2(b)所示的移動后的檢索框9b的基準缺陷Kb(開始點)也一樣。
此時，當多個連續(xù)性缺陷包入檢索框9中時，采用長度最長的連續(xù)性缺陷或缺陷個數(shù)最多的連續(xù)性缺陷。當缺陷數(shù)量或長度相同時，還采用包含基準缺陷Ks(開始點的缺陷)與距包入檢索框9的開始點最遠的缺陷(缺陷列在檢索框內(nèi)的最后缺陷距開始點最遠)的連續(xù)性缺陷。
這里所謂的連續(xù)性缺陷中，在連續(xù)性缺陷中途缺失規(guī)定數(shù)量以下的缺陷、例如以3個或以下單位缺失缺陷而不連續(xù)的也視為連續(xù)性缺陷。將忽視3個或以下的中途缺陷丟失來制作缺陷列的缺陷設為連續(xù)性缺陷。其原因在于將超過5個的連續(xù)性缺陷中中途的該程度的缺陷丟失判定為檢查上的檢測錯誤。在10微米左右的缺陷檢測中，產(chǎn)生通常3個左右的檢測缺失。
作為檢索框的移動方向，第2個之后的檢索框9的方向、即檢索框9的連續(xù)性缺陷的追蹤方向(移動方向)為檢測距開始點最遠的缺陷、連結開始點與最遠缺陷的直線上M的方向。由此，可對應于磁盤的半徑或檢測的圓周擦傷的曲線狀態(tài)來追蹤。
以上執(zhí)行圓周擦傷檢索框設定程序的處理。
下面說明其細節(jié)。
首先，參照圖3(a)，說明以基準缺陷Ks為起始的最初的檢索框9的方向確定。
如圖3(a)所示，以基準缺陷Ks為中心，在±90°(180°)的半圓范圍Q中使檢索框9旋轉，檢索位于缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的范圍中的缺陷數(shù)據(jù)中有連續(xù)性的缺陷，在這些缺陷回歸的直線上或連結這些多個缺陷的直線上，設定最初的檢索框9(圖2(b)的檢索框9a)的中心線O。即，使該長度L方向的中心線O的方向與缺陷形成的直線方向一致，定向檢索框9(9a)。此時，基準缺陷Ks位于檢索框9(9a)左端寬度方向的框線上的中央。表示該狀態(tài)的是圖2(b)的檢索框9a。
在指向時針方向的半圓范圍Q中檢索連續(xù)性缺陷是由于以檢索方向為時針方向。半圓的角度稍傾斜是由于在其旋轉角的位置發(fā)現(xiàn)未登錄缺陷的缺陷列的方向。
下面，說明檢索框9對連續(xù)性缺陷的追蹤移動。
在設定的檢索框9(圖2(b)的檢索框9a)中，當在檢索框9的框區(qū)域中缺陷有連續(xù)性時，追蹤該連續(xù)性缺陷的下一檢索框9(圖2(b)的檢索框9b)以加入最初的檢索框9(檢索框9a)的形式(連接的形式)設定。該加入基于缺陷列在檢索框內(nèi)的最后缺陷是下一檢索框的開始點。
檢索框9的追蹤移動基于檢索框9中缺陷是否有連續(xù)性。該判定中、檢索框9中缺陷是否有連續(xù)性的判定基于從檢索框9的開始點缺陷起、至有開始點的檢索框的去除1邊后的剩余3邊之一邊的附近(至框線為止包入3個左右缺陷的長度)、缺陷是否連續(xù)。換言之，所謂越過檢索框9的缺陷基于檢索框內(nèi)的缺陷列的最后缺陷的坐標是否位于距檢索框線的坐標3個(＝30微米)或以上、接近框的位置。不用說，此時的3個是由于在10微米左右的缺陷檢測中通常會產(chǎn)生3個左右的檢測缺失，所以視為連續(xù)性缺陷中途的缺陷缺失在框的附近引起。另外，若在檢索框9的框上有最后的缺陷，則該缺陷恐怕穿越框，構成越過下一框的缺陷。
當越過檢索框9后缺陷有連續(xù)性時，如圖2(b)的檢索框9a所示，從缺陷坐標中檢索距基準缺陷Ks最遠的缺陷，檢測最遠的缺陷Ka。將缺陷Ka作為下一檢索框9b的開始點，將連結前一個框的開始點的缺陷(基準缺陷Ks)與最后缺陷Ka的直線M確定為檢索框9b(檢索框9)的方向。將下一檢索框9b的中心線O設定在該方向上，將檢索框9從檢索框9a的位置移動到檢索框9b的位置。換言之，接著構成連續(xù)性缺陷的檢索對象的缺陷數(shù)據(jù)抽出檢索框9b的位置的數(shù)據(jù)來執(zhí)行。
如圖2(b)所示，即便檢索框9b中，也由于越過檢索框9b的框后連續(xù)性缺陷連續(xù)，所以同樣檢索距缺陷Ka(開始點的缺陷)最遠的缺陷之缺陷坐標，檢測最遠的缺陷Kb，將其作為下一檢索框9c的開始點，將連結前一個檢索框9b的開始點的缺陷(缺陷Ka)與最后缺陷Kb的直線M確定為檢索框9c(檢索框9)的方向。之后同樣邊檢測越過檢索框9的框的缺陷的連續(xù)性，邊使檢索框9移動，追蹤連續(xù)性缺陷。
這樣，只要連續(xù)性缺陷連續(xù)，則在缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的范圍中依次加入檢索框9。該加入移動的結束基于是否無連續(xù)性、或走過3個后連續(xù)性中斷。另外，檢索框9中的缺陷在超過缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW(檢查區(qū)域P)的范圍時也結束。在檢查區(qū)域P中，檢索下一未登錄的基準缺陷Ks。
如圖3(a)所示，如上所述，最初的檢索框9的檢索方向以基準缺陷Ks為中心，以長度L的半徑，使檢索框9在半圓Q的范圍內(nèi)旋轉，但此時，在最初的檢索框9中，超過5個后連續(xù)的連續(xù)缺陷還在其它方向上時，在該方向上也依次加入并設定檢索框9，檢索連續(xù)性缺陷。
這樣，檢測在檢查區(qū)域P的范圍中依次加入檢索框9后的范圍內(nèi)的各缺陷，作為圓周擦傷，將作業(yè)區(qū)域542a中分別連續(xù)的各缺陷與各連續(xù)性缺陷的各自的缺陷坐標一起作為一個圓周擦傷，依次存儲登錄在存儲器542的規(guī)定區(qū)域中。
不僅基準缺陷Ks在檢索框9a的范圍內(nèi)的長度、留在該范圍中的連續(xù)性缺陷也為規(guī)定值以上，這里，因為將缺陷數(shù)量超過5個的作為連續(xù)性缺陷，之后執(zhí)行分類處理，故作為圓周擦傷處理。
這樣，在徑向上有寬度的檢索框9的范圍中，一旦檢測連續(xù)性缺陷后，通過加入檢索框，并且檢測缺陷的連續(xù)性，可檢測包入檢查區(qū)域P中的曲線狀連續(xù)性缺陷。并且，通過將該曲線狀連續(xù)性缺陷限定在檢索框9中追蹤，可不影響周圍的線性缺陷，將檢測的缺陷實質(zhì)上限定為圓周擦傷。
圖4是該圓周擦傷檢測的整體處理流程。
首先，由MPU541執(zhí)行缺陷數(shù)據(jù)采樣程序542a，在作業(yè)區(qū)域542g中，與缺陷坐標一起，采樣磁盤整個面的缺陷數(shù)據(jù)(步驟101)。
接著包入是否檢測圓周擦傷的功能鍵輸入判定(步驟102)。當輸入對應于圓周擦傷檢測的規(guī)定功能鍵以外的鍵時，變?yōu)镹O，移動到對應于該功能鍵的缺陷檢測處理(步驟103a)。
若輸入對應于圓周擦傷檢測的規(guī)定功能鍵，則這里變?yōu)閅ES，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢索框設定程序542b，生成檢索框9的數(shù)據(jù)，制作檢索框9(步驟103)。
接著，MPU541執(zhí)行圓周擦傷檢測程序542c，對應于徑向，將具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P設定在磁盤的最內(nèi)周(步驟104)，從作業(yè)區(qū)域542g中，抽出磁盤1周的缺陷數(shù)據(jù)(步驟105)，從未登錄的缺陷中檢索基準缺陷Ks(步驟106)。
對基準缺陷Ks設定最初的檢索框9(步驟107)，參照位于設定的檢索框9的區(qū)域范圍中的缺陷數(shù)據(jù)，判定是否有越過檢索框9的連續(xù)性缺陷(步驟108)。這里若為NO，則算出檢索框9中缺陷數(shù)量與缺陷長度，存儲在存儲器542的規(guī)定作業(yè)區(qū)域542g中(步驟109)。
另外，當步驟108的判定為YES時，檢測檢索框9的最后缺陷(步驟113)，以最后缺陷的位置為開始點，移動檢索框9(步驟114)，返回到步驟108。另外，在下一步驟109中與上述不同，算出移動前的檢索框9與移動后的檢索框9中的總缺陷數(shù)量與總缺陷長度的合計，存儲在存儲器542的規(guī)定作業(yè)區(qū)域542g中。
在步驟109之后，根據(jù)有元未登錄缺陷，判定1周的缺陷數(shù)據(jù)的檢索是否結束(步驟110)，這里為NO時，返回步驟106，重復同樣的處理。在步驟110的判定中為YES時，對應于徑向，將具有缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的檢查區(qū)域P向外周側移動RW-α，更新檢索范圍(步驟111)，判定直至磁盤的外周是否結束(步驟112)，這里若為NO，則移動到步驟105的處理，重復與上述一樣的處理。
在步驟112的判定中若為YES，則執(zhí)行擦傷缺陷分類處理，包入磁盤的是否合格判定處理(步驟115)。
以上利用檢查區(qū)域P圓周狀地依次更新1周的缺陷數(shù)據(jù)，但可在螺旋或塊對應下，來限制缺陷數(shù)據(jù)的范圍，檢測圓周擦傷。
圖3(b)是表示該實施例的說明圖。這是與圖2(b)相反、使檢索框9沿逆時針方向移動的實例。
對應于螺旋掃描，將檢查區(qū)域P設定為螺旋狀的檢查區(qū)域Pa，不是1周，而是相對檢查區(qū)域P，沿圓周方向如檢索塊1、檢索塊2、檢索塊3...地，采樣重復區(qū)域Da，進行塊分割，在各塊對應下抽出缺陷數(shù)據(jù)。之后，對每個塊的缺陷數(shù)據(jù)，與圖2(b)反方向，同樣使檢索框9追蹤，在各塊對應下檢測圓周擦傷。
此時的檢查區(qū)域P為比相對磁盤一周的缺陷數(shù)據(jù)的檢索框長度長5倍或以上的規(guī)定長度的塊。對于依次設定的檢索塊1、檢索塊2、檢索塊3...的各塊內(nèi)的缺陷數(shù)據(jù)，檢索框9在該塊的范圍中移動。
本實施例的缺陷數(shù)據(jù)檢索寬度RW的螺旋狀檢查區(qū)域Pa的寬度為檢索框9的寬度W的2倍以上，將其塊長度作為檢索框9的5倍-10倍的范圍，依次讀出后，將檢查區(qū)域作為塊，在該塊對應下執(zhí)行圓周擦傷的檢測處理。
在所述各實施例中，檢索框9的寬度W與長度L不影響周圍的線性缺陷，選擇成可追蹤圓周擦傷的大小。圓周擦傷不在完整的圓上，在磁盤的內(nèi)周側與外周側，曲率多少有差異。因此，考慮這個因素后，確定檢索框9的寬度W與長度L。通過檢索框9具有一定程度的寬度，也可由此檢測拋物線狀的缺陷。
這里的檢索框9是包入各種圓周擦傷的圓弧斷片的大小(長度與寬度)的框、即模板框，所以可檢測從磁盤的內(nèi)周至外周曲率多少有差異的多種圓周擦傷。
結果，可積極地檢測對磁盤的是否合格判定有影響的一定程度長度的圓周擦傷和與其一樣的拋物線等。
并且，在所述實施例中，即便檢測越過目前檢索框的長度或缺陷數(shù)量的連續(xù)性缺陷，也設定下一檢索框9的區(qū)域的方向，作為連結檢索框9的區(qū)域開始點與最后缺陷的方向，所以被檢查區(qū)域P的寬度RW限制后不構成圓周曲線狀的線性缺陷接著在下一檢索框9超出框，在8次左右的檢索框的移動中檢測為長度短的缺陷。
并且，在所述實施例中，當缺陷的連續(xù)性越過檢索框9的區(qū)域時，將距開始點最遠的缺陷作為下一檢索框9的區(qū)域的下一開始點。但是，在本發(fā)明中，下一檢索框9的區(qū)域的下一開始點也可以是最遠的缺陷之后的下一缺陷，不限于最遠的缺陷。
在所述實施例中，通過在檢查區(qū)域P的寬度RW中依次移動檢索框9的區(qū)域，可以檢索框的長度沿該曲線追蹤圓周狀的缺陷。由此，可不影響周圍的線性缺陷，將檢測的較長長度的缺陷實質(zhì)上檢測為圓周擦傷。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，但在實施例中，將連續(xù)性的缺陷為3個或以下的作為有連續(xù)性，通過從檢索框9的開始點的缺陷起至任一邊附近(至框線為止包入3個左右缺陷的長度)缺陷是否連續(xù)，認定為越過框的連續(xù)性缺陷。因此，本發(fā)明無論有無缺陷的缺失，均可將從框起3個以下的目前的缺陷作為下一檢索框的開始點的缺陷，替換最遠的缺陷。不用說，基于同樣的理由，檢索框的移動方向也可以是連結前一開始點的缺陷與3個以下的目前的缺陷的方向。
另外，在實施例中，使檢查區(qū)域P從磁盤的內(nèi)周向外周移動來設定，但不用說，本發(fā)明也可相反從外周向內(nèi)周依次移動檢查區(qū)域P來設定。
并且，在實施例中，缺陷檢測中螺旋掃描磁盤，但本發(fā)明不限于螺旋掃描磁盤。
權利要求
1.一種磁盤檢查裝置的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，該磁盤檢查裝置具有寫入頭與讀出頭，掃描磁盤并利用所述寫入頭寫入測試數(shù)據(jù)，利用所述讀出頭讀出所述測試數(shù)據(jù)，由此檢測所述磁盤的缺陷，其特征在于所述擦傷缺陷檢測方法檢查所述磁盤，采樣所述缺陷數(shù)據(jù)與在該所述磁盤上的位置，對于采樣的缺陷數(shù)據(jù)，沿所述磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿所述磁盤的圓周方向繞所述磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長度，設定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對于所述檢查區(qū)域中的所述缺陷數(shù)據(jù)，以比所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度短的寬度，設置沿與該寬度成直角的方向、具有比所述規(guī)定長度短的長度的長方形檢索框，檢測在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷，與檢測出的連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動所述檢索框，以便所述檢測出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測移動前與移動后的所述檢索框的整個區(qū)域內(nèi)的、所述檢測出的連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量，檢測該長度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周方向的擦傷缺陷。
2.根據(jù)權利要求1所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于所述連續(xù)性缺陷是以缺陷個數(shù)超過5個的數(shù)量形成列的缺陷，所述檢索框的大小具有包入想檢測的最小所述圓周方向的擦傷缺陷長度的1/4的圓弧、或更小的圓弧的長度與寬度，通過移動所述檢索框5次或5次以上，檢測圓周方向的擦傷缺陷。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于所述連續(xù)性缺陷選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個缺陷作為所述檢索框的開始點，檢測所述某個缺陷之后的缺陷，所述檢索框的移動檢測所述檢索框內(nèi)的所述連續(xù)性缺陷長度或缺陷數(shù)量，在存在越過所述檢索框的所述連續(xù)性缺陷的情況下，以距所述開始點最遠的缺陷或距所述開始點3個缺陷以下的之前缺陷為下一所述檢索框的下一開始點缺陷，接著移動所述檢索框。
4.根據(jù)權利要求3所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于所述檢索框的開始點的位置為所述長方形寬度方向的一邊與所述長度方向上的框的中心線的交點，所述檢索框的移動方向由所述中心線在連結移動前的所述檢索框的所述開始點與所述最后缺陷或所述3個缺陷以下的之前缺陷的方向上來確定。
5.根據(jù)權利要求4所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于采樣的所述缺陷數(shù)據(jù)通過檢查所述磁盤的整個面來得到，所述連續(xù)性缺陷還包含在所述缺陷列的中途缺失缺陷的規(guī)定數(shù)量或以下的缺陷，所述檢查區(qū)域沿所述徑向從所述磁盤的內(nèi)周向外周或反向依次設定。
6.根據(jù)權利要求5所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于所述缺陷的規(guī)定數(shù)量為3個或3個以下。
7.根據(jù)權利要求6所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于檢測為所述連續(xù)性缺陷的缺陷通過被存儲在存儲器中來登錄，所述某個缺陷是未登錄的缺陷，所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度為0.5mm-2mm的范圍，所述檢查區(qū)域的長度比所述規(guī)定寬度大，所述檢索框的寬度為50微米-100微米的范圍，其長度為150微米-500微米的范圍。
8.根據(jù)權利要求4所述的圓周方向的擦傷缺陷檢測方法，其特征在于對于所述磁盤一周大小的所述缺陷數(shù)據(jù)，將所述檢查區(qū)域分割成長度為所述檢索框長度的5倍或以上的多個塊，對該分割的塊的所述缺陷數(shù)據(jù)，設定所述檢索框，且檢索框在所述塊的范圍內(nèi)移動。
9.一種磁盤檢查裝置，該磁盤檢查裝置具有寫入頭與讀出頭，掃描磁盤并利用所述寫入頭寫入測試數(shù)據(jù)，利用所述讀出頭讀出所述測試數(shù)據(jù)，由此檢測所述磁盤的缺陷，其特征在于具備缺陷數(shù)據(jù)采樣部件，檢查所述磁盤，采樣所述缺陷數(shù)據(jù)與在該所述磁盤上的位置；檢查區(qū)域設定部件，沿所述磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿所述磁盤的圓周方向繞所述磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長度，設定所述缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域；長方形檢索框，對于所述檢查區(qū)域中的所述缺陷數(shù)據(jù)，寬度比所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度短，沿與該寬度成直角的方向，比所述規(guī)定長度短；連續(xù)性缺陷檢測部件，檢測在所述檢索框的區(qū)域內(nèi)、多個缺陷排成列后連續(xù)的連續(xù)性缺陷；和檢索框移動部件，與檢測出的所述連續(xù)性缺陷連續(xù)的方向相一致，依次移動所述檢索框，以便所述檢測出的連續(xù)性缺陷只要在所述檢查區(qū)域內(nèi)連續(xù)，則包入所述檢索框的區(qū)域內(nèi)，檢測移動前與移動后的所述檢索框的整個區(qū)域內(nèi)的、所述檢測出的連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量，檢測該長度或缺陷數(shù)量為規(guī)定值以上的缺陷，作為所述檢查區(qū)域中的圓周方向的擦傷缺陷。
10.根據(jù)權利要求9所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述連續(xù)性缺陷是以缺陷個數(shù)超過5個的數(shù)量形成列的缺陷，所述檢索框的大小具有包入想檢測的最小所述圓周方向的擦傷缺陷長度的1/4的圓弧、或更小的圓弧的長度與寬度，通過移動所述檢索框5次或5次以上，檢測圓周方向的擦傷缺陷。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述連續(xù)性缺陷檢測部件選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個缺陷作為所述檢索框的開始點，檢測所述某個缺陷之后的缺陷，所述檢索框移動部件檢測所述檢索框內(nèi)的所述連續(xù)性缺陷的長度或缺陷數(shù)量，在存在越過所述檢索框的所述連續(xù)性缺陷的情況下，以距所述開始點最遠的缺陷或距所述開始點3個缺陷以下的之前缺陷為下一所述檢索框的下一開始點缺陷，接著移動所述檢索框。
12.根據(jù)權利要求10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述檢索框的開始點的位置為所述長方形寬度方向的一邊與所述長度方向上的框的中心線的交點，所述檢索框的移動方向由所述中心線在連結移動前的所述檢索框的所述開始點與所述最后缺陷或所述3個缺陷以下的之前缺陷的方向上來確定。
13.根據(jù)權利要求12所述的磁盤檢查裝置，其特征在于采樣的所述缺陷數(shù)據(jù)通過檢查所述磁盤的整個面來得到，所述連續(xù)性缺陷還包含在所述缺陷列的中途缺失缺陷的規(guī)定數(shù)量或以下的缺陷，所述檢查區(qū)域沿所述徑向從所述磁盤的內(nèi)周向外周或反向依次設定。
14.根據(jù)權利要求13所述的磁盤檢查裝置，其特征在于所述缺陷的規(guī)定數(shù)量為3個或3個以下。
15.根據(jù)權利要求14所述的磁盤檢查裝置，其特征在于檢測為所述連續(xù)性缺陷的缺陷通過被存儲在存儲器中來登錄，所述某個缺陷是未登錄的缺陷，所述檢查區(qū)域的所述規(guī)定寬度為0.5mm-2mm的范圍，所述檢查區(qū)域的長度比所述規(guī)定寬度大，所述檢索框的寬度為50微米-100微米的范圍，其長度為150微米-500微米的范圍。
16.根據(jù)權利要求10所述的磁盤檢查裝置，其特征在于具有處理器與存儲器，所述連續(xù)性缺陷檢測部件具有所述檢索框設定部件，選擇所述檢查區(qū)域的所述缺陷數(shù)據(jù)中某個缺陷作為所述檢索框的開始點，檢測所述某個缺陷之后的缺陷，所述缺陷數(shù)據(jù)采樣部件、所述連續(xù)性缺陷檢測部件與所述檢索框移動設定部件通過所述處理器執(zhí)行存儲在所述存儲器中的程序來實現(xiàn)。
全文摘要
提供一種圓周方向的擦傷缺陷檢測方法和磁盤檢查裝置，可不使盤生產(chǎn)合格率降低，利用電氣特性檢查來高效檢測圓周擦傷。本發(fā)明沿磁盤的徑向以規(guī)定寬度、沿磁盤的圓周方向繞磁盤一周或沿圓周方向以規(guī)定長度，設定缺陷數(shù)據(jù)的檢查區(qū)域，對該檢查區(qū)域限制缺陷數(shù)據(jù)，使細長的檢索框在其中移動，追蹤檢測檢索框的區(qū)域內(nèi)的連續(xù)性缺陷，從而僅有選擇地檢測磁盤具有的、接近圓的曲率較大的曲線狀連續(xù)性缺陷，將其作為圓周狀的缺陷。
文檔編號G11B5/00GK101079303SQ20071010509
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月22日 優(yōu)先權日2006年5月22日
發(fā)明者前田純博, 德丸保博 申請人:日立高新技術有限公司