專利名稱：有機發光顯示設備及其制造方法
技術領域：
本發明涉及有機發光顯示設備及其制造方法，更具體地涉及具有簡化的制造工藝和在焊盤部分中具有改善的電阻均勻性，使得亮度得到改善的有機發光顯示設備及其制造方法。
背景技術：
諸如有機發光顯示設備或液晶顯示設備之類的平板顯示設備被制造在基板上，基板上形成有包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及連接TFT和電容器的布線的圖案。一般而言，為了在制造平板顯示設備的基板上形成包括TFT的精細圖案，通過利用形成有精細圖案的掩膜將圖案傳遞到基板。使用掩膜傳遞圖案的工藝一般使用光刻工藝。根據包括一系列子步驟的光刻工藝，在即將形成圖案的基板上均勻地涂覆光刻膠。使用諸如步進機之類的曝光設備將光刻膠曝光。在正性光刻膠的情況下，對曝光的光刻膠進行顯影。在將光刻膠顯影之后，使用剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕圖案，從而去除不需要的光刻膠。在使用掩膜傳遞圖案的工藝中，需要其上具有必要圖案的掩膜。因此，隨著使用掩膜的步驟的數目增多，用于制備掩膜的制造成本也增加。并且，由于需要以上所述的復雜步驟，因此制造工藝復雜，制造時間延長，并且制造成本升高。

發明內容
為了解決上述和/或其它問題，本發明提供一種具有簡化的制造工藝且在焊盤部分中具有改善的電阻均勻性，使得亮度得以提高的有機發光顯示設備及其制造方法。根據本發明的方面，一種有機發光顯示設備，包括薄膜晶體管，包括有源層、包括柵下電極和柵上電極的柵電極、源電極以及漏電極；有機發光器件，電連接至所述薄膜晶體管，其中由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的像素電極、包括發光層的中間層以及對電極被順序沉積；第一焊盤電極，由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中； 第二焊盤電極，形成在所述第一焊盤電極的至少一部分上，并且由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中；以及第三焊盤電極，接觸所述第二焊盤電極的至少一部分并且由與所述源電極相同的材料形成在同一層中。所述有機發光顯示設備進一步包括介入所述第二焊盤電極與所述第三焊盤電極之間的層間絕緣層，其中所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極經由形成在所述層間絕緣層中的接觸孔彼此接觸。所述層間絕緣層可以暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極可以沿所述層間絕緣層形成并且可以接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。所述第三焊盤電極的兩個端部可以分別接觸所述第二焊盤電極的兩個端部。所述第一焊盤電極的一個端部可以暴露于外部，并且可以電連接至供應電流以驅動所述有機發光顯示設備的驅動器IC。所述柵下電極、所述像素電極和所述第一焊盤電極可以包括IT0、IZ0、ai0和In2O3 中至少之一。所述柵上電極和所述第二焊盤電極可以包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、 Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所組成的組中選擇的至少一種材料。所述柵上電極和所述第二焊盤電極可以包括鉬(Mo)-鋁(Al)-鉬(Mo)的三層結構。所述源電極、所述漏電極和所述第三焊盤電極可以包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、 Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所組成的組中選擇的至少一種材料。所述源電極、所述漏電極和所述第三焊盤電極可以包括鉬(Mo)-鋁(Al)-鉬(Mo)
的三層結構。根據本發明的另一方面，一種有機發光顯示設備，包括形成在基板上的第一絕緣層；形成在所述第一絕緣層上的薄膜晶體管的有源層；覆蓋所述有源層的第二絕緣層；形成在所述第二絕緣層上的像素電極；柵下電極，通過與所述像素電極分隔開預定的距離在所述有源層上由與所述像素電極相同的材料形成在同一層中；第一焊盤電極，通過與所述柵下電極分隔開預定的距離由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中；形成在所述柵下電極上的柵上電極；第二焊盤電極，在所述第一焊盤電極上由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中；第三絕緣層，覆蓋所述像素電極、所述柵上電極和所述第二焊盤電極的至少一部分；源電極和漏電極，形成在所述第三絕緣層上并接觸所述像素電極；以及第三焊盤電極，由與所述源電極和漏電極相同的材料形成在同一層中，并且接觸所述第二焊盤電極。所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極可以經由形成在所述第三絕緣層中的接觸孔彼此接觸。所述第三絕緣層可以暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極可以沿所述第三絕緣層形成并且可以接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。 所述第三焊盤電極的兩個端部可以分別接觸所述第二焊盤電極的兩個端部。根據本發明的又一方面，一種制造有機發光顯示設備的方法包括第一掩膜工藝操作用于在基板上形成薄膜晶體管的有源層；第二掩膜工藝操作用于在所述有源層上形成柵電極，并且用于形成第一焊盤電極、第二焊盤電極以及形成像素電極的電極圖案；第三掩膜工藝操作用于形成具有暴露所述有源層的兩側、所述第二焊盤電極的一部分以及所述電極圖案的一部分的開口的層間絕緣層；第四掩膜工藝操作用于形成接觸所述有源層的被暴露的兩側的源電極和漏電極、接觸所述第二焊盤電極的被暴露的部分的第三焊盤電極以及所述像素電極；并且第五掩膜工藝操作用于形成暴露所述像素電極的至少一部分的像素限定層。所述第二掩膜工藝操作可以包括在所述有源層上順序沉積第二絕緣層、第一導電層和第二導電層；形成包括構成所述第一導電層的一部分的柵下電極以及構成所述第二導電層的一部分的柵上電極的所述柵電極；并且通過圖案化所述第一導電層和所述第二導電層，同時形成包括形成為所述第一導電層的一部分的第一焊盤電極以及形成為所述第二導電層的一部分的第二焊盤電極的焊盤電極。所述第三掩膜工藝操作可以包括在所述柵電極、所述第二焊盤電極和所述電極圖案上沉積第三絕緣層；并且通過圖案化所述第三絕緣層，形成暴露所述有源層的源區和漏區的部分、所述第二焊盤電極的一部分以及所述電極圖案的一部分的開口。所述第四掩膜工藝操作可以包括在所述層間絕緣層的上表面上沉積第三導電層；并且通過圖案化所述第三導電層形成所述源電極和漏電極以及所述第三焊盤電極。所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極可以經由形成在所述層間絕緣層中的接觸孔彼此接觸。所述層間絕緣層可以暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極可以沿所述層間絕緣層形成并且可以接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。所述第五掩膜工藝操作可以包括在所述基板的整個表面上沉積第四絕緣層；并且通過圖案化所述第四絕緣層形成所述像素限定層。


由于通過參考以下結合附圖考慮時的詳細描述，本發明變得更好理解，因此本發明的更完整理解以及伴隨本發明的諸多優點會變得更容易明顯，在附圖中相同的附圖標記指代相同或相似的部件，附圖中圖1是示意性示出根據本發明實施例的有機發光顯示設備的結構的平面圖；圖2是沿圖1的線II-II截取的截面圖；圖3至圖11是示意性示出制造圖2的有機發光顯示設備的工藝的截面圖；以及圖12是示出傳統焊盤電極的電阻測量結果與根據本發明的焊盤電極的電阻測量結果相比的曲線圖。
具體實施例方式為了獲得對本發明、其優點和本發明的實施方式所完成的目標的充分理解，參考示出本發明示例性實施例的附圖。下文將參考附圖通過解釋本發明的示例性實施例來詳細描述本發明。附圖中相同的附圖標記表示相同的元件。圖1是示意性示出根據本發明實施例的有機發光顯示設備的結構的平面圖。參見圖1，根據本實施例的有機發光顯示設備1包括包括薄膜晶體管(TFT)和發光像素的第一基板10以及經由密封聯結至第一基板10的第二基板20。TFT、有機電致發光器件EL和存儲電容器Cst可以形成在第一基板10上。并且， 第一基板10可以是低溫多晶硅(LTPQ基板、玻璃基板、塑料基板或不銹鋼(SUQ基板。第二基板20可以是布置在第一基板10的頂面上以將提供在第一基板10上的TFT 和發光像素與外部濕氣或空氣屏蔽的封裝基板。第二基板20被設置為面對第一基板10，并且第一基板10和第二基板20分別經由沿其邊緣布置的密封件90彼此結合。第二基板20 可以是透明玻璃或塑料基板。第一基板10包括發射光的發光區DA和設置在發光區DA外部的非發光區NDA。根據本發明的實施例，由于密封件90布置在發光區DA外部的非發光區NDA中，因此第一基板 10和第二基板20各自結合在一起。如上所述，ELjga EL的TFT以及電連接至這些部件的布線形成在第一基板10的發光區DA中。非發光區NDA可以包括焊盤區5，在焊盤區5中設置從發光區DA的布線延伸的焊盤電極。圖2是沿圖1的線II-II截取的截面圖。參見圖2，根據本實施例的有機發光顯示設備1包括溝道區2、存儲區3、發光區4 以及焊盤區5。在根據本實施例的有機發光顯示設備中，焊盤區5特征性地包括第一焊盤電極 514、第二焊盤電極515和第三焊盤電極517。下面將詳細描述具有上述結構的焊盤區5的結構。TFT作為驅動器件被提供在溝道區2中。TFT分別包括有源層212、柵電極21以及源電極271a和漏電極217b。柵電極21包括柵下電極214和柵上電極215。柵下電極214 可以由透明導電材料形成。用于提供柵電極21與有源層212之間的絕緣的第二絕緣層13 被提供在柵電極21與有源層212之間。注入高濃度雜質的源區21 和漏區212b分別形成在有源層212的兩側，并且分別連接至源電極217a和漏電極217b。存儲電容器Cst提供在存儲區3中。存儲電容器Cst包括電容器下電極312和電容器上電極314。第二絕緣層13介于電容器下電極312與電容器上電極314之間。電容器下電極312可以由與TFT的有源層212相同的材料形成在同一層中。電容器上電極314可以由與TFT的柵下電極214、EL的像素電極414和第一焊盤電極514相同的材料形成在同一層中。EL提供在發光區4中。EL包括分別連接至TFT的源電極271a和漏電極217b之一的像素電極414、面對像素電極414的對電極420以及介于像素電極414與對電極420之間的中間層419。像素電極414可以由透明導電材料形成，并且可以由與TFT的柵下電極 214和第一焊盤電極514相同的材料形成在同一層中。焊盤區5包括第一焊盤電極514、第二焊盤電極515和第三焊盤電極517。第一焊盤電極514可以由與TFT的柵下電極214、電容器上電極314和EL的像素電極414相同的材料形成在同一層中。此外，第二焊盤電極515可以由與柵上電極215相同的材料形成在同一層中。并且，第三焊盤電極517可以分別由與源電極217a和漏電極217b相同的材料形成在同一層中。下面將詳細描述焊盤區5。在傳統有機發光顯示設備中，存在形成具有如下結構的焊盤電極的努力包括鉬(Mo)-鋁(Al)-鉬(Mo)的第二導電層形成在包括ITO的第一導電層一側的上表面上。具有上面結構的焊盤電極通過對形成柵上電極的第二導電層以及形成源電極和漏電極的第三導電層執行批蝕刻而形成。然而，在批蝕刻期間，由于第二導電層的歪斜，在層間絕緣層下方產生金屬底切(metal undercut) 0相應地，由于金屬底切，產生與歪斜相對應的額外電阻分量。結果，在通過驅動IC供應的電流進入面板之前，產生壓降，因而降低亮度。而且，第二導電層的歪斜會根據第二導電層的厚度而變化。盡管厚度相同，也會根據位置產生歪斜差，使得進入面板的電流量會根據焊盤電極的位置而變化。相應地，焊盤電極的亮度的均勻性降低，使得可能產生大范圍均勻性(LRU)分散。
為了解決上述問題，在根據本實施例的有機發光顯示設備中，執行接觸孔的功能的開口 H6形成在層間絕緣層416中，并且由第二導電層15(參見圖幻形成的第二焊盤電極515和由第三導電層17(參見圖9)形成的第三焊盤電極517通過開口 H6連接。同時， 第二焊盤電極515和第三焊盤電極517的端部通過將第三焊盤電極517圖案化至第二焊盤電極515的端部而彼此連接。根據上述結構，可以基本上防止分別在第二導電層15和第三導電層17的批蝕刻期間，在層間絕緣層416下方產生金屬底切。因此，根據本發明，可以獲得防止由于金屬底切而導致的額外壓降以及電阻分散根據焊盤電極的位置產生的效果。下面將描述制造圖2的底發射型有機發光顯示設備的工藝。圖3-11是示意性示出制造圖2的有機發光顯示設備的工藝的截面圖。首先，如圖3所示，第一絕緣層11形成在基板10上。詳細地說，第一基板10可以由具有主要成分SW2的透明玻璃材料形成。基板 ο不限于此，并且可以使用由諸如透明塑性材料或金屬件之類的各種材料形成的各種基板。第一絕緣層11，例如用于防止雜質離子的擴散，防止濕氣或外部空氣的侵入，并且平坦化基板10的表面的阻擋層和/或緩沖層，可以被提供在基板10的上表面上。第一絕緣層11可以通過諸如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法、常壓CVD(APCVD)方法或者低壓CVD (LPCVD)方法之類的各種沉積方法，使用S^2和/或SiNx被沉積。接下來，如圖4所示，TFT的有源層212和存儲電容器Cst的電容器下電極312形成在第一絕緣層11的上表面上。詳細地說，非晶硅首先沉積在第一絕緣層11的上表面上， 然后非晶硅被結晶以形成多晶硅層(未示出)。非晶硅可以通過諸如快速熱退火(RTA)方法、固相結晶(SPC)方法、準分子激光退火(ELA)方法、金屬誘導結晶(MIC)方法、金屬誘導橫向結晶(MILC)方法或者順次橫向固化(SLQ方法之類的各種方法被結晶。多晶硅層經由使用第一掩膜(未示出)的掩膜工藝被圖案化為TFT的有源層212和存儲電容器Cst的電容器下電極312。在本實施例中，有源層212和電容器下電極312彼此分隔開形成，但有源層212和電容器下電極312可以一體形成。接下來，如圖5所示，第二絕緣層13、第一導電層14和第二導電層15順序沉積在形成有有源層212和電容器下電極312的基板10的整個表面上。第二絕緣層13可以通過使用諸如PECVD方法、APCVD方法或者LPCVD方法之類的方法，沉積諸如SiNx或SiOx之類的無機絕緣層形成。第二絕緣層13介入TFT的有源層212 和柵電極21 (參見以下討論的圖6)之間，并且充當TFT的柵絕緣層。第二絕緣層13還介入電容器上電極314(參見以下討論的圖6)和電容器下電極312之間，并且充當存儲電容器Cst的介電層。第一導電層14可以包括從包括ΙΤ0、IZO、ZnO或In2O3的透明材料所組成的組中選擇的一種或多種材料。第一導電層14隨后可以被圖案化成像素電極414、柵下電極214、 電容器上電極314和第一焊盤電極514(參見以下討論的圖6)。第二導電層15 可以包括從 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、 W、Moff和Al/Cu所組成的組中選擇的一種或多種材料。第二導電層15可以被圖案化成鉬 (Mo)-鋁(Al)-鉬(Mo)的三層結構。第二導電層15隨后可以被圖案化成柵上電極215和第二焊盤電極515(參見以下討論的圖6)。接下來，如圖6所示，柵電極21、電極圖案30和40、第一焊盤電極514和第二焊盤電極515形成在基板10上。詳細地說，順序沉積在基板10的整個表面上的第一導電層14 和第二導電層15，通過使用第二掩膜(未示出)的掩膜工藝被圖案化。柵電極21形成在溝道區2中的有源層212的上表面上。柵電極21包括構成第一導電層14的一部分的柵下電極214和構成第二導電層15的一部分的柵上電極215。柵電極21形成在與有源層212的中央相對應的位置。源區21 和漏區212b通過利用柵電極 21作為掩膜將η型或ρ型雜質摻入有源層212中而分別形成在有源層212的與柵電極21 的兩側相對應的兩個邊緣，并且溝道區2分別形成在源區21 與漏區212b之間。隨后用于形成電容器上電極314的電極圖案30形成在存儲區3中電容器下電極 312的上表面上。隨后用于形成像素電極414的電極圖案40形成在發光區4中。形成為第一導電層14的一部分的第一焊盤電極514以及形成為第二導電層15的一部分的第二焊盤電極515形成在焊盤區5中。接下來，如圖7所示，第三絕緣層16沉積在形成柵電極21的基板10的整個表面上。第三絕緣層16由從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環丁烯和酚醛樹脂所組成的組中選擇的一種或多種有機絕緣材料通過諸如旋涂之類的方法來形成。第三絕緣層16形成至足夠的厚度，例如比第二絕緣層13要厚，并且充當TFT的柵電極21與源電極217a和漏電極217b之間的層間絕緣層416。第三絕緣層16不僅可以由上述有機絕緣材料形成，而且可以由諸如第二絕緣層13之類的無機絕緣材料形成，或者可以通過交替布置有機絕緣材料和無機絕緣材料而形成。接下來，如圖8所示，具有用于分別暴露電極圖案30和40、第二焊盤電極515以及源區21 和漏區212b的部分的開口 H1、H2、H3、H4、H5、H6和H7的層間絕緣層416，通過圖案化第三絕緣層16而形成。詳細地說，第三絕緣層16通過利用第三掩膜(未示出)的掩膜工藝而被圖案化，從而形成開口 HI、H2、H3、H4、H5、H6和H7。開口 Hl和H2分別暴露源區21 和漏區212b的部分。開口 H3和H4暴露構成電極圖案40上部的第二導電層15 的一部分。開口 H5暴露構成電極圖案30上部的第二導電層15的一部分。開口 H6和H7 暴露第二焊盤電極515的一部分。接下來，如圖9所示，在基板10的整個表面上沉積第三導電層17以覆蓋層間絕緣層416。第三導電層17可以分別由與以上所述的第一導電層14或第二導電層15相同的導電材料形成。然而，本發明不限于此，并且第三導電層17可以由從多種導電材料中選擇的一種材料形成。導電材料被沉積至足以填充以上所述的開口 H1、H2、H3、H4、H5、H6和H7 的至少一部分的厚度。接下來，如圖10所示，通過圖案化第三導電層(指圖9的元件17)分別形成源電極 217a和漏電極217b以及第三焊盤電極517。詳細地說，通過在使用第四掩膜(未示出)的掩膜工藝中圖案化第三導電層(指圖9的元件17)來分別形成源電極217a和漏電極217b 以及第三焊盤電極517。源電極217a和漏電極217b之一，即本實施例中的源電極217a，在即將形成像素電極414的電極圖案(指圖9的元件40)的第二上導電層415的邊緣區域處經由開口 H3連接至像素電極414。第三焊盤電極517的一個端部沿開口 H7形成，并且連接至第二焊盤電極515。也就是說，第三焊盤電極517的一個端部經由開口 H6連接至第二焊盤電極515。第三焊盤電極517的另一端部沿開口 H7形成，并且連接至第二焊盤電極515。因此，第三焊盤電極517CN 102544386 A的兩個端部連接至第二焊盤電極515。根據上述結構，可以基本上防止在第二導電層15的刻蝕期間在層間絕緣層416下方產生金屬底切。因此，可以獲得防止由于金屬底切而導致的額外壓降和電阻分散根據焊盤電極位置產生的效果。在分別形成源電極217a和漏電極217b之后，像素電極414和電容器上電極314 通過額外的刻蝕而形成。詳細地說，像素電極414通過去除電極圖案(指圖9的元件40) 的由開口 H4暴露的第二導電層415來形成。電容器上電極314通過去除電極圖案(指圖9 的元件30)的由開口 H5暴露的第二導電層315來形成。第一焊盤電極514通過去除電極圖案(指圖9的元件50)的由開口 H7暴露的第二導電層515而形成。因此，柵下電極214、電容器上電極314、像素電極414和第一焊盤電極514由相同的材料形成，并且形成在同一層中。可以通過開口 H5注入η型或ρ型雜質對電容器下電極 312進行摻雜。在摻雜期間注入的雜質可以與有源層212的摻雜期間使用的雜質相同或不同。接下來，如圖11所示，在基板10上形成像素限定層(PDL)418。詳細地說，在分別形成有像素電極414、源電極217a和漏電極217b、電容器上電極314和第三焊盤電極517的基板10的整個表面上沉積第四絕緣層(未示出)。第四絕緣層可以以諸如旋涂之類的方法由從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環丁烯和酚醛樹脂所組成的組中選擇的一種或多種有機絕緣材料而形成。而且，除了上述有機絕緣材料之外，第四絕緣層還可以由從Si02、 SiNx, A1203、CuOx, Tb4O7, Y203> Nb2O5和Pr2O3所組成的組中選擇的無機絕緣材料形成。第四絕緣層可以形成在有機絕緣材料和無機絕緣材料被交疊布置的多層結構中。通過在使用第五掩膜(未示出)的掩膜工藝中圖案化第四絕緣層來形成用于限定像素的PDL 418，以形成暴露像素電極414的中央部分的開口 Η9并同時形成暴露第一焊盤電極514的中央部分的開口 Η8。然后，如圖2所示，中間層419 (包括有機發光層EL)以及對電極420形成在暴露像素電極414的開口 Η9中。中間層419可以以單結構或包括諸如發射層EML之類的至少一個功能層以及諸如空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL 之類的至少一個其它功能層的組合結構形成。中間層419可以由低分子有機材料或聚合物有機材料形成。當中間層419由低分子有機材料形成時，在中間層419中，HTL和HIL沉積在相對于有機發光層朝向像素電極 414的方向上，并且ETL和EIL沉積在相對于有機發光層朝向對電極420的方向上。并且，可以根據需要沉積多層。可用的有機材料可以包括銅鈦菁(CuPc)、Ν，N’-二(萘-1-基)-N， N，-聯苯-聯苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。當中間層419由聚合物有機材料形成時，在中間層419中，HTL僅可以包括在相對于有機發光層的像素電極414的方向上。HTL可以通過諸如噴墨印刷或旋涂之類的方法，使用聚_(2，4)_乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)，形成在像素電極414的上表面上。可用的有機材料可以包括聚苯乙烯撐(PPV)基或聚芴基聚合物有機材料。顏色圖案可以通過諸如噴墨印刷、旋涂或使用激光的熱傳遞方法之類的典型方法來形成。對電極420可以通過沉積在基板10的整個表面上形成為公共電極。在根據本實施例的有機發光顯示設備中，像素電極414用作陽極，并且對電極420用作陰極。而且，可以反向方式應用電極的極性。
在朝向基板10的方向上呈現圖像的底發射型有機發光顯示設備中，像素電極414 是透明電極，并且對電極420是反射電極。反射電極可以通過稀疏地沉積例如Ag、Mg、Al、 Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或其組合物的具有低功函數的金屬來形成。
在用于形成上述有機發光顯示設備的各個掩膜工藝期間，沉積層可以通過干法刻蝕或濕法刻蝕去除。根據依據本實施例的底發射型有機發光顯示設備，可以獲得防止由于金屬底切而導致的額外壓降和電阻分散根據焊盤電極位置產生的效果。
圖12為示出傳統焊盤電極的電阻測量結果與根據本發明的焊盤電極的電阻測量結果相比的曲線圖。
參見圖12，線A指示根據本發明的焊盤電極的電阻測量結果，而其它的線指示傳統焊盤電極結構中焊盤電極的電阻測量結果。如圖12所示，可以看出，與傳統焊盤電極結構相比，在本發明的焊盤電極結構中，電阻和位置分散被降低。
表1示出與根據本發明的焊盤電極相比，傳統焊盤電極的亮度大范圍均勻性 (LRU)的測量結果。如表1所示，可以看出，當使用本發明的焊盤電極結構時，與傳統焊盤電極結構相比，LRU增加20%以上。
[表 1]
權利要求
1.一種有機發光顯示設備，包括薄膜晶體管，包括有源層、包括柵下電極和柵上電極的柵電極、源電極以及漏電極； 有機發光器件，電連接至所述薄膜晶體管，其中由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的像素電極、包括發光層的中間層以及對電極被順序沉積； 第一焊盤電極，由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中； 第二焊盤電極，形成在所述第一焊盤電極的至少一部分上，并且由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中；以及第三焊盤電極，接觸所述第二焊盤電極的至少一部分并且由與所述源電極相同的材料形成在同一層中。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，進一步包括介入所述第二焊盤電極與所述第三焊盤電極之間的層間絕緣層，其中所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極經由形成在所述層間絕緣層中的接觸孔彼此接觸。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示設備，其中所述層間絕緣層暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極沿所述層間絕緣層形成并且接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第三焊盤電極的兩個端部分別接觸所述第二焊盤電極的兩個端部。
5.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一焊盤電極的一個端部暴露于外部，并且電連接至供應電流以驅動所述有機發光顯示設備的驅動器集成電路。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述柵下電極、所述像素電極和所述第一焊盤電極包括 το、IZO、ZnO和h203中至少之一。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述柵上電極和所述第二焊盤電極包括從 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Moff 和 Al/Cu 所組成的組中選擇的至少一種材料。
8.根據權利要求7所述的有機發光顯示設備，其中所述柵上電極和所述第二焊盤電極包括鉬-鋁-鉬的三層結構。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述源電極、所述漏電極和所述第三焊盤電極包括從 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Moff 和 Al/Cu 所組成的組中選擇的至少一種材料。
10.根據權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述源電極、所述漏電極和所述第三焊盤電極包括鉬-鋁-鉬的三層結構。
11.一種有機發光顯示設備，包括 形成在基板上的第一絕緣層；形成在所述第一絕緣層上的薄膜晶體管的有源層； 覆蓋所述有源層的第二絕緣層； 形成在所述第二絕緣層上的像素電極；柵下電極，通過與所述像素電極分隔開預定的距離在所述有源層上由與所述像素電極相同的材料形成在同一層中；第一焊盤電極，通過與所述柵下電極分隔開預定的距離由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中；形成在所述柵下電極上的柵上電極；第二焊盤電極，在所述第一焊盤電極上由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中；第三絕緣層，覆蓋所述像素電極、所述柵上電極和所述第二焊盤電極的至少一部分； 源電極和漏電極，形成在所述第三絕緣層上并接觸所述像素電極；以及第三焊盤電極，由與所述源電極和漏電極相同的材料形成在同一層中，并且接觸所述第二焊盤電極。
12.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極經由形成在所述第三絕緣層中的接觸孔彼此接觸。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示設備，其中所述第三絕緣層暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極沿所述第三絕緣層形成并且接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。
14.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中所述第三焊盤電極的兩個端部分別接觸所述第二焊盤電極的兩個端部。
15.一種制造有機發光顯示設備的方法，所述方法包括以下步驟 第一掩膜工藝操作用于在基板上形成薄膜晶體管的有源層；第二掩膜工藝操作用于在所述有源層上形成柵電極，并且用于形成第一焊盤電極、第二焊盤電極以及形成像素電極的電極圖案；第三掩膜工藝操作用于形成具有暴露所述有源層的兩側、所述第二焊盤電極的一部分以及所述電極圖案的一部分的開口的層間絕緣層；第四掩膜工藝操作用于形成接觸所述有源層的被暴露的兩側的源電極和漏電極、接觸所述第二焊盤電極的被暴露的部分的第三焊盤電極以及所述像素電極；并且第五掩膜工藝操作用于形成暴露所述像素電極的至少一部分的像素限定層。
16.根據權利要求15所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述第二掩膜工藝操作包括在所述有源層上順序沉積第二絕緣層、第一導電層和第二導電層； 形成包括構成所述第一導電層的一部分的柵下電極以及構成所述第二導電層的一部分的柵上電極的所述柵電極；并且通過圖案化所述第一導電層和所述第二導電層，同時形成包括形成為所述第一導電層的一部分的第一焊盤電極以及形成為所述第二導電層的一部分的第二焊盤電極的焊盤電極。
17.根據權利要求15所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述第三掩膜工藝操作包括在所述柵電極、所述第二焊盤電極和所述電極圖案上沉積第三絕緣層；并且通過圖案化所述第三絕緣層，形成暴露所述有源層的源區和漏區的部分、所述第二焊盤電極的一部分以及所述電極圖案的一部分的開口。
18.根據權利要求15所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述第四掩膜工藝操作包括在所述層間絕緣層的上表面上沉積第三導電層；并且通過圖案化所述第三導電層形成所述源電極和漏電極以及所述第三焊盤電極。
19.根據權利要求18所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述第二焊盤電極和所述第三焊盤電極經由形成在所述層間絕緣層中的接觸孔彼此接觸。
20.根據權利要求19所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述層間絕緣層暴露所述第二焊盤電極的一個端部，并且所述第三焊盤電極沿所述層間絕緣層形成并且接觸所述第二焊盤電極的被暴露的端部。
21.根據權利要求15所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述第五掩膜工藝操作包括在所述基板的整個表面上沉積第四絕緣層；并且通過圖案化所述第四絕緣層形成所述像素限定層。
全文摘要
本發明公開一種有機發光顯示設備及其制造方法。該有機發光顯示設備，包括薄膜晶體管，包括有源層、包括柵下電極和柵上電極的柵電極、源電極以及漏電極；以及有機發光器件，電連接至所述薄膜晶體管。由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的像素電極、包括發光層的中間層以及對電極被順序沉積。第一焊盤電極由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中，第二焊盤電極形成在所述第一焊盤電極的至少一部分上，并且由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中，并且第三焊盤電極接觸所述第二焊盤電極的至少一部分并且由與所述源電極相同的材料形成在同一層中。
文檔編號H01L27/32GK102544386SQ20111036192
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月15日 優先權日2010年12月8日
發明者文相皓, 柳春基 申請人:三星移動顯示器株式會社