專利名稱：電抗器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電抗器。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)設(shè)計方案中，整體鐵芯使用取向硅鋼片，再加上取向硅鋼的低飽和磁密的局限性，電抗器的實際磁密Bm比較低，所以產(chǎn)品的線性度較差(一般1.2倍)，產(chǎn)品的體積、重量比較大，成本比較高。用取向硅鋼制作的電抗器，主要適用于低頻領(lǐng)域，僅對低次諧波有比較明顯的效果，當(dāng)系統(tǒng)電路中存在高次諧波或高頻直流分量時，取向硅鋼電抗器的濾波效果不明顯，而且容易產(chǎn)生噪音，鐵芯柱發(fā)熱很高，功率損耗增大。用取向硅鋼制作的電抗器，在制作過程中，大部分依靠手工疊片的操作，工藝復(fù)雜，生產(chǎn)效率低下。目前取向硅鋼片的加工方法一般采用單片沖壓的方式，硅鋼片的毛刺比較大，片與片之間存在不可避免的尺寸誤差，再加上電抗器制作過程中，采用手工疊片的方式，最終加工成的塊狀鐵芯厚度不均，造成電抗器的氣隙高度的不穩(wěn)定，以致電抗器的性能的一致性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠降低噪音、提高產(chǎn)品線性度及一致性、降低功率消耗、使用壽命長的電抗器。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種電抗器，包括上鐵芯、下鐵芯及設(shè)置在上鐵芯、下鐵芯之間的納米晶鐵芯柱，所述納米晶鐵芯柱外層包覆有抗拉伸層，納米晶鐵芯柱上設(shè)置有若干道氣隙。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述上鐵芯、下鐵芯和納米晶鐵芯柱之間通過焊接連接。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述納米晶鐵芯柱上設(shè)置有三道氣隙。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述氣隙間采用高溫固化膠粘結(jié)。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述抗拉伸層與納米晶鐵芯柱之間通過樹脂澆筑層粘接。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述上鐵芯、下鐵芯為電工娃鋼鐵芯。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明采用納米晶鐵芯柱，縮小了產(chǎn)品的體積，降低了產(chǎn)品的功率損耗，提高了產(chǎn)品的線性度、一致性、抗高頻直流載波的能力；納米晶鐵芯柱外層通過樹脂澆筑層包覆有抗拉伸層，使得電抗器震動明顯減小，噪聲顯著降低，同時，樹脂澆筑層還具有良好的耐熱性，其玻璃化溫度高，在180°c以下不會變軟，而由電抗器的納米晶鐵芯柱發(fā)熱引起的溫升達(dá)不到樹脂澆筑層的玻璃化溫度，因此從本質(zhì)上解決了樹脂澆筑層變軟問題，保證了電抗器產(chǎn)品的質(zhì)量。


圖1是本發(fā)明電抗器一較佳實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖；附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、上鐵芯，2、下鐵芯，3、鐵芯柱，4、抗拉伸層，5、樹脂澆筑層，6、氣隙。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，本發(fā)明實施例包括:一種電抗器，包括上鐵芯1、下鐵芯2及設(shè)置在上鐵芯1、下鐵芯2之間的納米晶鐵芯柱3，所述納米晶鐵芯柱3外層包覆有抗拉伸層4，納米晶鐵芯柱3上設(shè)置有若干道氣隙6。所述上鐵芯1、下鐵芯2為電工娃鋼鐵芯，上鐵芯1、下鐵芯2和納米晶鐵芯柱3之間通過焊接連接，納米晶鐵芯柱3上設(shè)置有三道氣隙6，所述氣隙6間采用高溫固化膠粘結(jié)。與傳統(tǒng)的設(shè)計方案相比，用納米晶作為電抗器的鐵芯柱，提高了電抗器的整體設(shè)計磁密，縮小了產(chǎn)品的體積10%以上，降低了產(chǎn)品的材料成本。而且降低了產(chǎn)品的損耗20%以上，提高了產(chǎn)品的線性度(一般1.4倍以上)，增加了產(chǎn)品的抗高頻直流載波的能力。同時使用低成本的電工硅鋼片，作為電抗器的頂部、底部材料，起到了整個電抗器的固定作用，也進(jìn)一步降低了整個產(chǎn)品的成本。而且納米晶可以直接制作成需要的塊狀鐵芯，無需另外疊片，至少提高30%的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。因其一次成型的加工工藝，鐵的切斷面非常整齊，有效的控制了產(chǎn)品氣隙的高度，提高了批量產(chǎn)品性能的一致性。三道氣隙6的結(jié)構(gòu)使氣隙分段，有效地降低了損耗，并且提高了電抗器的抗高頻能力。納米晶鐵芯柱3外層通過樹脂澆筑層5粘接有抗拉伸層4，使得電抗器震動明顯減小，噪聲顯著降低，同時，樹脂澆筑層5還具有良好的耐熱性，其玻璃化溫度高，在180°C以下不會變軟，而由電抗器的納米晶鐵芯柱3發(fā)熱引起的溫升達(dá)不到樹脂澆筑層5的玻璃化溫度，因此從本質(zhì)上解決了樹脂澆筑層5變軟問題，保證了電抗器產(chǎn)品的質(zhì)量，延長了電抗器的使用壽命。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電抗器，其特征在于:包括上鐵芯(I)、下鐵芯(2)及設(shè)置在上鐵芯(I)、下鐵芯(2)之間的納米晶鐵芯柱(3)，所述納米晶鐵芯柱(3)外層包覆有抗拉伸層(4)，納米晶鐵芯柱(3)上設(shè)置有若干道氣隙(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于:所述上鐵芯(I)、下鐵芯(2)和納米晶鐵芯柱(3)之間通過焊接連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于:所述納米晶鐵芯柱(3)上設(shè)置有三道氣隙(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于:所述氣隙(6)間采用高溫固化膠粘結(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于:所述抗拉伸層(4)與納米晶鐵芯柱(3)之間通過樹脂澆筑層(5)粘接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于:所述上鐵芯(I)、下鐵芯(2)為電工硅鋼鐵芯。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電抗器，包括上鐵芯、下鐵芯及設(shè)置在上鐵芯、下鐵芯之間的納米晶鐵芯柱，所述納米晶鐵芯柱外層包覆有抗拉伸層，納米晶鐵芯柱上設(shè)置有若干道氣隙。本發(fā)明采用納米晶鐵芯柱，縮小了產(chǎn)品的體積，降低了產(chǎn)品的功率損耗，提高了產(chǎn)品的線性度、一致性、抗高頻直流載波的能力；納米晶鐵芯柱外層通過樹脂澆筑層包覆有抗拉伸層，使得電抗器震動明顯減小，噪聲顯著降低，同時，樹脂澆筑層還具有良好的耐熱性，其玻璃化溫度高，在180℃以下不會變軟，而由電抗器的納米晶鐵芯柱發(fā)熱引起的溫升達(dá)不到樹脂澆筑層的玻璃化溫度，因此從本質(zhì)上解決了樹脂澆筑層變軟問題，保證了電抗器產(chǎn)品的質(zhì)量。
文檔編號H01F27/26GK103107000SQ201110361948
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者葛玉江 申請人:瑞力盟數(shù)控技術(shù)(常州)有限公司