專利名稱：超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻及其制造方法
技術領域：
本發明為一種片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻，尤其是一種節省裝配空間，提高產量且不影響電性能的超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻及其制造方法。
背景技術：
如今電子行業發展迅速，電子產品五花八門層出不窮，對產品的要求也越來越高， 小型化是電子產品發展的一個趨勢，因此陶瓷PTC也需要順應潮流朝著小型化，薄型化的方向發展。但陶瓷PTC由于其本身生產工藝，傳統的壓片成型的工藝在模具和設備的精度方面很難做到小型化，薄型化，目前尚無超薄陶瓷PTC電阻面市。

發明內容
本發明目的在于提供一種超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻，以滿足目前產品小型化的需求。本發明再一目的在于提供所述超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制造方法。本發明目的通過下述技術方案實現一種超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻，以傳統鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統 PTC熱敏電阻相同，其中尺寸以mm計，為(3. 10 3. 13) * (1. 58 1. 61)*0· 50 士 0. 01。 滿足了片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻小型化，薄型化的市場需求。本發明還提供所述超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，傳統鈦酸鋇陶瓷 PTC薄膜為中間基體進行配料、制成PTC粉料，其中將所述PTC粉料制成有成膜性的漿料， 將漿料流延成膜、燒結制成芯材，芯材二面涂覆電極，其中，該漿料由PTC粉料40 50%、溶劑30 40%、粘合劑13 23%、余量為其他助劑組成。在上述方案基礎上，所述的常規？1^粉料為徹、1^11、51~、1^或01金屬氧化物中的一種或多種的混合物。在上述方案基礎上，所述的有機溶劑材料為乙醇、正丁醇、異丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一種或多種的混合物。在上述方案基礎上，所述的有成膜性的漿料是按配方稱取各組分球磨混合制漿， 球料比控制在2:1，以180轉/分鐘的速率球磨M個小時后出料。具體超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法依序按下述步驟
第一，將所述的有成膜性的漿料在流延設備上流延至不大于Imm的生膜、烘干，將膜切割成不小于單個PCT芯片長寬尺寸的單片薄膜； 第二，單片薄膜經排膠、燒結制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆銀漿并燒結得超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻。或者，具體超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法也可依序按下述步驟 第一，將所述的有成膜性的漿料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘
3干，將膜切割成不小于單個PCT芯片長寬尺寸的單片薄膜； 第二，單片薄膜經排膠、燒結制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆銀漿并燒結得超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻。為保證尺寸穩定并符合設計的小型化、超簿化需要，所述生膜厚度0.58 0. 62mm0本發明的有益效果是提供了一種超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻，以滿足市場需求，另外，本發明提供了新的片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻生產工藝，采用該工藝采用流延成膜或涂覆成膜工藝，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，燒結后芯片尺寸能做到0603型產品甚至更小，適用于更小的裝配空間。


圖1為本發明生膜片的俯視結構示意圖。圖2為本發明的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的側剖結構示意圖。圖3為本發明的另一種形式超薄陶瓷正溫度系數熱敏電阻的側剖結構示意圖。附圖中標號說明
100 - PTC生膜片；101 —標記點；
102,102' 一片式PTC; 103—表面電極； 104—歐姆電極。
具體實施例方式以下結合具體實施方式
和附圖，對本發明的技術解決方案做進一步說明。實施例1
以某款用于成熟產品的PTC粉料為原料，加入分析純有機溶劑M8C添加劑，按PTC粉料40 %，溶劑40%,粘合劑18%，分散劑0. 5%，增塑劑1. 45%，消泡劑0. 05%的比例，共稱取 IOOg放入球磨罐中，球料比控制在2:1，以180轉/分鐘的速率球磨M個小時后出料。將流延料用流延設備涂覆在平板上，單層膜面厚度測得20-30um，流延至 0. 58-0. 62mm并烘干后成PTC生膜片100，如圖1為本發明生膜片的俯視結構示意圖所示， 在PTC生膜片100上注標記點101，將PTC生膜片100切割成3. 76*1. 88mm的片式PTC102， 剝離后以510°C排膠8小時，然后在1350°C燒結，形成片式PTC102陶瓷，最后在片式PTC102 陶瓷表面涂覆銀漿并燒結得歐姆電極104和表面電極103，如2為本發明的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的側剖結構示意圖所示。其尺寸收縮率和電性能與傳統工藝制備的 PTC對比如下
權利要求
1.一種超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻，以傳統鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統PTC熱敏電阻相同，其特征在于尺寸以 mm 計，為(3.10 3. 13) * (1. 58 1. 61) *0· 50 士 0. 01。
2.根據權利要求1所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，傳統鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體進行配料、制成PTC粉料，其特征在于將所述PTC粉料制成有成膜性的漿料，將漿料流延成膜、燒結制成芯材，芯材二面涂覆電極，其中，該漿料由PTC粉料40 50%、溶劑30 40%、粘合劑13 23%、余量為其他助劑組成。
3.根據權利要求2所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述的常規PTC粉料為Ba、TLMrKSrJb或Ca金屬氧化物中的一種或多種的混合物。
4.根據權利要求2所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于 所述的有機溶劑材料為乙醇、正丁醇、異丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一種或多種的混合物。
5.根據權利要求2至4之一所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述的有成膜性的漿料是按配方稱取各組分球磨混合制漿，球料比控制在2:1，以 180轉/分鐘的速率球磨M個小時后出料。
6.根據權利要求5所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于， 依序按下述步驟將所述的有成膜性的漿料在流延設備上流延至不大于Imm的生膜并烘干，將膜切割成不小于單個PCT芯片長寬尺寸的單片薄膜；單片薄膜經排膠、燒結制成芯片；在芯片表面涂覆銀漿并燒結得超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻。
7.根據權利要求5所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于， 依序按下述步驟將所述的有成膜性的漿料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘干，將膜切割成不小于單個PCT芯片長寬尺寸的單片薄膜；單片薄膜經排膠、燒結制成芯片；在芯片表面涂覆銀漿并燒結得超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻。
8.根據權利要求6或7所述的超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于，所述生膜厚度0. 58 0. 62mm。
全文摘要
本發明為一種片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻，尤其是一種節省裝配空間，提高產量且不影響電性能的超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻及其制造方法。一種超薄型陶瓷正溫度系數熱敏電阻，以傳統鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統PTC熱敏電阻相同，其尺寸以mm計，為(3.10～3.13)×(1.58～1.61)×0.50±0.01。本發明還提供了所述的超薄型片式陶瓷正溫度系數熱敏電阻的制造方法，采用流延成膜或涂覆成膜工藝，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，燒結后芯片尺寸能做到0603型產品甚至更小，適用于更小的裝配空間。
文檔編號H01C7/02GK102426889SQ20121000846
公開日2012年4月25日 申請日期2012年1月12日 優先權日2012年1月12日
發明者張子川, 楊彬, 錢朝勇 申請人:上海長園維安電子線路保護有限公司