專利名稱：封裝基板及其制法的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種封裝基板及其制法，尤指一種用以承載半導體芯片的封裝基板及其制法。
背景技術：
隨著電子產品朝多功能、高性能的發展，半導體封裝結構對應開發出不同的封裝型態，例如倒裝芯片封裝(Flip Chip Package)、打線接合(Wire Bond)等。在現行技術中，半導體集成電路(IC)芯片的表面上配置有電極墊(electronic pad),而封裝基板也具有相對應的電性接觸墊，在該芯片與封裝基板之間可以焊錫凸塊(倒裝芯片式)或金線(打線式)，使該芯片電性連接該封裝基板上。一般封裝基板的電性接觸墊上會先形成表面處理層以防止氧化，再進行后續的打線或倒裝芯片工藝。
請參閱圖1A及圖1B，其為現有封裝基板I的制法。如圖1A所示，提供一具有相對的第一表面IOa及第二表面IOb的基板本體10，該基板本體10的第一及第二表面10a，IOb上具有線路層12，且于該基板本體10中形成電性連接該線路層12的導電通孔120，又該線路層12具有多個電性接觸墊122與一外接部121。
接著，進行圖案化工藝，于該基板本體10的第一及第二表面10a，IOb上形成光阻(圖未示)，且外露出該電性接觸墊122及其周圍線路表面，再于該外接部121上電性連接電鍍裝置(圖未示)，以借該導電通孔120導通該第一及第二表面10a，IOb上的線路層12，而于該電性接觸墊122上電鍍形成表面處理層14。
接著，于該基板本體10及該線路層12上形成絕緣保護層13，且該絕緣保護層13形成有多個開孔130，令該電性接觸墊122與外接部121對應外露于各該開孔130。
如圖1B所示，移除該外接部121。于后續封裝工藝中，可于該封裝基板I的其中一側的絕緣保護層13上設置半導體芯片(圖未示)，并且該電性接觸墊122以倒裝芯片或打線方式電性連接半導體芯片，再于該絕緣保護層13上形成封裝膠體(圖未示)以包覆半導體芯片；而該封裝基板I的另一側的電性接觸墊122則植設多個焊球(圖未示)以電性連接如電路板的電子裝置(圖未示)。
當進行植設焊球或倒裝芯片工藝時，通常須于該封裝基板I的電性接觸墊122(可為植球墊或倒裝芯片焊墊)上預先形成預焊錫凸塊，并在足以使該預焊錫凸塊熔融的回焊(solder reflow)溫度條件下,將預焊錫凸塊回焊至相對應的金屬凸塊,從而形成焊錫接，以實現封裝基板與其它組件的耦合，確保封裝基板的電性連接的完整性與可靠性。
然而，現有封裝基板I的制法中，移除該外接部121后，使得該絕緣保護層13的表面出現凹陷h，當后續工藝中，芯片設于該絕緣保護層13上時，應力將會集中于該凹陷h的周圍，導致該絕緣保護層13于該凹陷h周圍處出現破裂，因而影響產品的可靠度，嚴重時，產品需作廢。
此外，于后續工藝中形成封裝膠體時，膠材容易流至該凹陷h中，因而無法控制該膠材的流向，導致該封裝膠體的結構出現異常現象。
再者，現有封裝基板I的制法中，因先形成表面處理層14，再形成絕緣保護層13，所以絕緣保護層13會覆蓋該表面處理層14的部分材質，導致該絕緣保護層13因與該表面處理層14結合不良而易于該表面處理層14處脫層。
因此，如何克服上述現有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。發明內容
鑒于上述現有技術的缺失，本發明的主要目的在于提供一種封裝基板及其制法，保持該絕緣保護層表面的平整性，而提升產品的可靠度。
本發明所提供的封裝基板的制法為先形成絕緣保護層，再形成表面處理層，接著移除該外接部，再于該基板本體的外露表面與絕緣保護層上形成另一絕緣保護層，且該另一絕緣保護層形成有對應該絕緣保護層的開孔的另一絕緣保護層開孔，令該電性接觸墊外露于兩連通的開孔。
本發明依前述的制法提供一種封裝基板，其中，該另一絕緣保護層開孔之孔徑大于該絕緣保護層開孔之孔徑。
由上可知，本發明的封裝基板及其制法中，借由移除該外接部后，再形成另一絕緣保護層，以填平該絕緣保護層表面的凹陷，當后續工藝中，芯片設于該另一絕緣保護層上時，應力將不會集中于原本的凹陷周圍，因而可避免該絕緣保護層出現破裂，所以可提升產品可靠度，且可避免產品作廢。
此外，于后續工藝中形成封裝膠體時，膠材不會流至該凹陷中，因而可有效控制膠材的流向，以避免封裝膠體的結構出現異常現象。
再者，本發明的制法，先形成絕緣保護層，再形成表面處理層，所以該絕緣保護層不會覆蓋該表面處理層的部分材質，可避免如現有技術中的絕緣保護層脫層的問題。


圖1A至圖1B為現有封裝基板的制法的剖視示意圖；以及
圖2A至圖2F為本發明封裝基板的制法的剖視示意圖。
主要組件符號說明
1,2封裝基板
10,20基板本體
10a, 20a第一表面
10b, 20b第二表面
12線路層
120,220導電通孔
121，221外接部
122電性接觸墊
13絕緣保護層
130開孔
14，24表面處理層
200通孔
201第一金屬層
202第二金屬層
203導電層
210塞孔材料
22a第一線路層
22b第二線路層
222a第一電性接觸墊
222b第二電性接觸墊
23a, 23b第一絕緣保護層
230a, 230b, 231b 第一開孔
25a, 25b第二絕緣保護層
250a, 250b第二開孔
d, r孔徑
h凹陷
S區域。
具體實施方式
以下借由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發明可實施的范疇。
請參閱圖2A至圖2F，其為本發明封裝基板2的制法的剖視示意圖。
如圖2A所示，首先，提供一具有相對的第一表面20a及第二表面20b的基板本體20,該基板本體20的第一及 第二表面20a, 20b上具有一第一金屬層201,再形成多個貫穿該基板本體20的通孔200。
于本實施例中，該基板本體20為銅箔基板(Copper clad laminate, CCL)。
如圖2B所不，于該第一金屬層201與該通孔200的孔壁上形成一導電層203 (seedlayer)，以作為后述電鍍金屬材料所需的電流傳導路徑，且該導電層203可由電鍍銅、金屬、合金或沉積數層金屬層、或導電高分子材料所構成。
接著，于該導電層203上電鍍形成一第二金屬層202，再于該通孔200中填入塞孔材料210。有關塞孔材料210的種類繁多，例如導電膠、油墨等。又，于其它實施例中，也可直接于該通孔200中鍍滿金屬，就不需再填入塞孔材料。
另外，形成該第二金屬層202的材質為銅。
如圖2C所不，于該基板本體20的第一表面20a及第二表面20b上分別蝕刻形成第一與第二線路層22a，22b，且于該基板本體20中形成電性連接該第一與第二線路層22a，22b的導電通孔220。
于本實施例中，該第一與第二線路層22a，22b具有多個第一與第二電性接觸墊222a，222b，且該第二線路層22b具有一外接部221，該外接部221主要作為后續電鍍金屬材料所需的電流傳導路徑。
另外，有關制作線路的圖案化工藝的方式繁多，并不限于如圖2B至圖2C所示的工藝。
如圖2D所示，借由影像轉移或噴印圖案的方法，于該基板本體20的部分表面及該第一與第二線路層22a，22b上形成第一絕緣保護層23a，23b，且該第一絕緣保護層23a，23b形成有多個第一開孔230a，230b，231b，令該第一與第二電性接觸墊222a，222b與外接部221對應外露于各該第一開孔230a，230b, 231b。
接著，于該外接部221上電性連接電鍍裝置(圖未示)，以于該第一與第二電性接觸墊222a，222b上電鍍形成表面處理層24。
于本實施例中，形成該表面處理層24的材質為鎳/金(Ni/Au)、化鎳鈀浸金(Electroless Nicke 1/Electro I ess Palladium/Immersion Gold, ENEPIG)、及直接浸金(Direct Immersion Gold, DIG)的其中一者。
如圖2E所示，移除該外接部221，以外露出該基板本體20的第二表面20b的部分區域S。
如圖2F所示，借由影像轉移或噴印圖案的方法，于該基板本體20的第二表面20b的外露區域S與第一絕緣保護層23a，23b上形成第二絕緣保護層25a，25b，且該第二絕緣保護層25a，25b形成有對應該第一開孔230a，230b的多個第二開孔250a，250b，令該第一與第二電性接觸墊222a，222b外露于該第二開孔250a，250b。
于本實施例中，該第二開孔250a, 250b的孔徑d大于該第一開孔230a, 230b的孔徑r，且該第一絕緣保護層23a，23b與第二絕緣保護層25a，25b作為防焊層。
本發明還提供一種封裝基板2,包括:一具有相對的第一表面20a及第二表面20b的基板本體20、形成于該基板本體20的第一表面20a及第二表面20b上的第一與第二線路層22a，22b、形成于該基板本體20及該第一與第二線路層22a，22b上的第一絕緣保護層23a，23b、形成于該第一與第二線路層22a，22b上的表面處理層24、以及形成于該第一絕緣保護層23a，23b上的第二絕緣保護層25a，25b。
所述的基板本體20中具有多個導電通孔220，以電性連接該第一與第二線路層22a，22b。
所述的第一與第二線路層22a，22b具有多個第一與第二電性接觸墊222a，222b。
所述的第一絕緣保護層23a，23b形成有多個第一開孔230a，230b，令該第一與第二電性接觸墊222a，222b對應外露于各該第一開孔230a，230b。
所述的表面處理層24形成于該第一與第二電性接觸墊222a，222b上。
所述的第二絕緣保護層25b還形成于該基板本體20的第二表面20b，且該第二絕緣保護層25a，25b形成有對應該第一開孔230a，230b的多個第二開孔250a，250b，令該第一與第二電性接觸墊222a，222b外露于該第二開孔250a，250b。又該第二開孔250a，250b的孔徑d大于該第一開孔230a, 230b的孔徑r。
本發明的封裝基板2及其制法，借由形成第二絕緣保護層25b于該基板本體20的外露區域S，使該基板本體20的第二表面20b上方的絕緣保護層表面為平整，以當置放芯片(圖未示)時，應力將不會集中于基板本體20外露區域S周圍的第一絕緣保護層23b上，所以該第二絕緣保護層25b不會破裂。
此外，于后續工藝中形成封裝膠體時，因該第二絕緣保護層25a，25b的表面為平整，而可有效控制膠材的流向，所以可避免封裝膠體的結構出現異常現象。
再者，借由先形成第一絕緣保護層23a，23b，再形成表面處理層24，所以該第一絕緣保護層23a，23b不會覆蓋該表面處理層24的部分材質，因而該第一絕緣保護層23a，23b不會有因結合力不良而發生脫層的問題。
另外，借由該第二開孔250a，250b的孔徑d大于該第一開孔230a，230b的孔徑r，以增加開孔孔壁的外露面積，因而增加后續工藝中的焊錫凸塊(圖未示)與該開孔孔壁之間的接觸面積，以有利于提升焊錫凸塊的結合力。
上述實施例用以例示性說明本發明的原理及其功效，而非用于限制本發明。任何本領域技術人員均可在不違背本發明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
權利要求
1.一種封裝基板的制法，其包括: 于一基板本體的表面上形成線路層，且該線路層具有多個電性接觸墊與外接部； 于該基板本體的部分表面及該線路層上形成第一絕緣保護層，且該第一絕緣保護層形成有多個第一開孔，令該電性接觸墊與外接部外露于該第一開孔； 于該外接部上電性連接電鍍裝置，以于該電性接觸墊上電鍍形成表面處理層； 移除該外接部，以外露出該基板本體的部分表面；以及 于該基板本體的外露表面與第一絕緣保護層上形成第二絕緣保護層，且該第二絕緣保護層形成有對應該第一開孔的多個第二開孔，令該電性接觸墊外露于該第一與第二開孔。
2.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基板本體具有相對的第一表面及第二表面，且該線路層分別形成于該基板本體的第一表面及第二表面上。
3.根據權利要求2所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基板本體同時形成有多個導電通孔，以電性連接該基板本體的第一及第二表面上的線路層。
4.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該第二開孔的孔徑大于該第一開孔的孔徑。
5.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，是以影像轉移或噴印圖案的方法形成該第一與第二絕緣保護層。
6.一種封裝基板，其包括: 基板本體； 線路層，形成于該基板本體的部分表面上，且具有多個電性接觸墊； 第一絕緣保護層，形成于該基板本體的部分表面及該線路層上，且該第一絕緣保護層在該線路層上形成有多個第一開孔，令該電性接觸墊外露于該第一開孔； 表面處理層，形成于該電性接觸墊上；以及 第二絕緣保護層，形成于該基板本體的部分表面與第一絕緣保護層上，且該第二絕緣保護層形成有對應該第一開孔的多個第二開孔，令該電性接觸墊外露于該第一與第二開孔，且該第二開孔的孔徑大于該第一開孔的孔徑。
7.根據權利要求6所述的封裝基板，其特征在于，該基板本體具有相對的第一表面及第二表面，且該線路層分別形成于該基板本體的第一表面及第二表面上。
8.根據權利要求7所述的封裝基板，其特征在于，該基板本體中具有多個導電通孔，以電性連接該基板本體的第一及第二表面上的線路層。
9.根據權利要求8所述的封裝基板，其特征在于，該導電通孔中具有塞孔材料。
全文摘要
一種封裝基板及其制法，該封裝基板的制法包括于一基板本體的表面上形成具有電性接觸墊與外接部的線路層，再于該基板本體上形成第一絕緣保護層，且外露電性接觸墊與外接部；于該外接部上電性連接電鍍裝置，以于該電性接觸墊上電鍍形成表面處理層；移除該外接部；以及于該基板本體的外露表面與第一絕緣保護層上形成第二絕緣保護層，且外露該電性接觸墊。借由兩次形成絕緣保護層，以保持該絕緣保護層表面的平整性，而提升產品的可靠度。
文檔編號H01L23/498GK103208428SQ20121000845
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月12日 優先權日2012年1月12日
發明者劉智文, 游志勛 申請人:欣興電子股份有限公司