專利名稱：層疊陶瓷電子部件的制作方法
技術領域：
本發明涉及層疊陶瓷電子部件，尤其涉及層疊陶瓷電子部件所具備的外部電極的結構。
背景技術：
在搭載有高性能LSI的電路基板的電源電路中，如果由于存在于電源線或接地中的阻抗而電源線中的電壓變動變大，則進行驅動的電路的動作變得不穩定，或者經由電源電路而引起電路間的干擾，或者引起振蕩。因此，為了解決上述問題，通常在電源線與接地之間，并聯連接去耦電容器。去耦電容器實現以下作用，即除去在電源線中寄生的噪聲，并且在電源電壓變動時向負載迅速地供給電荷(快速供電，quick power supply),使電路的動作穩定化。為了實現后者的快速供電，需要在LSI的附近配置ESL(等效串聯電感)較低的電容器，例如在LSI封裝上配置ESL較低的層疊陶瓷電容器的情況較多。然而，隨著近年來的層疊陶瓷電容器的小型化、大容量化，存在層疊陶瓷電容器的內部電極變薄，內部電極的層疊枚數增加的傾向，還存在層疊陶瓷電容器的ESL以及 ESR(等效串聯電阻)降低的傾向。因此，例如存在以下問題，即LSI封裝上的電容器的ESR 變得過低，結果在與LSI芯片自身所具有的微小電容之間所產生的并聯諧振(反諧振)的諧振點上的阻抗變高。即，在靜電電容(自諧振頻率)不同的多個去耦電容器并聯連接的電源電路中，如果特定的電容器的ESR降低過多，則存在由于反諧振的影響而在特定的頻帶中去耦功能降低的問題。與此對應，例如在專利文獻I以及專利文獻2中，提出以下方案通過在成為電容器的端子的外部電極中形成與內部電極電連接的電阻電極層來增加ESR。在專利文獻I以及專利文獻2中記載的方法中，通過將包含電阻成分的漿料涂敷于陶瓷主體來形成電阻電極層，按照覆蓋電阻電極層的方式形成外側電極層。此外，電阻電極層按照從陶瓷主體的端面經由拐角部而卷繞(wrap around)到相鄰的側面為止的方式被形成。但是，在電阻電極層卷繞到側面的情況下，為了覆蓋電阻電極層，需要使外側電極層更深地卷繞到側面。此時，存在如下問題，即從外側電極層的卷繞部前端到電阻電極層的卷繞部前端為止的距離變短，從外側電極層的卷繞部前端與陶瓷主體之間進入的水分容易浸入到電阻電極層。另外，遭遇到同樣的問題的情況，不限于具備實施了上述那樣的ESR增加對策的電阻電極層的電容器。即如果為外部電極至少成為2層構造的層疊陶瓷電子部件，則可能遭遇到上述那樣的問題。專利文獻I :W02006/022258再公表專利公報專利文獻2 W02008/035727再公表專利公報

發明內容
因此，本發明的目的在于，提供一種能夠解決上述那樣的問題的層疊陶瓷電子部件。本發明用于層疊陶瓷電子部件，具備陶瓷主體，其具有互相對置的I對主面、互相對置的I對側面、以及互相對置的I對端面，由在主面的延伸方向上延伸且在連結I對主面的方向上層疊的多個陶瓷層構成；內部電極，其配置于陶瓷主體的內部，具有提供在端面露出的露出端的引出部；和外部電極，其按照與內部電極電連接的方式配置于端面上，為了解決上述的技術課題，特征在于具有以下那樣的結構。外部電極包括第I導電部和覆蓋第I導電部的第2導電部。第I導電部按照覆蓋內部電極的引出部的露出端并且不卷繞到陶瓷主體的側面的方式配置于陶瓷主體的端面上。第2導電部按照覆蓋第I導電部并且卷繞到陶瓷主體的主面以及側面的方式配置于陶瓷主體的端面上。在本發明中，優選外部電極還具備突起部，該突起部按照相對于第I導電部隔開規定的距離而相鄰的方式配置于陶瓷主體的端面上，第2導電部按照覆蓋第I導電部以及突起部的方式形成。在上述優選的實施方式的情況下，更優選在一個端面上，具有一個第I導電部和多個突起部，多個突起部被配置于以第I導電部為中心而對稱的位置。此外，在上述優選的實施方式中，更優選從連結I對端面的方向觀察，突起部的厚度與第I導電部的厚度相同或者在第I導電部的厚度以上。此外，在上述的優選實施方式中，更優選突起部由與第I導電部相同的材料構成。 在該情況下，更優選還具有偽電極(du_y electrode),該偽電極配置于陶瓷主體的內部, 具有在端面露出并被突起部覆蓋的露出端，由與內部電極相同的材料構成。在本發明中，在典型的實施方式中，構成第I導電部的材料具有電阻成分。此外，本發明有利地適用于沿著連結I對側面的方向的端面的尺寸比沿著連結I 對端面的方向的側面的尺寸長的層疊陶瓷電子部件中。此外，本發明有利地適用于如下層疊陶瓷電子部件中具備在陶瓷主體的層疊方向上排列的多個內部電極，各內部電極具有與引出部相連接并互相對置的對置部，引出部的寬度尺寸比對置部的寬度尺寸短。通過本發明，由于外部電極的第I導電部不會卷繞到陶瓷主體的側面，因此能夠減小第I導電部的形成面積。此外，外部電極的第2導電部不僅卷繞于陶瓷主體的端面，而且也卷繞到主面以及側面。根據上述內容，能夠使從第2導電部的卷繞部前端到第I導電部的端緣的距離比較長，由此能夠抑制從第2導電部的卷繞部前端與陶瓷主體之間進入的水分向第I導電部浸入。此外，如上所述，外部電極的第2導電部不僅卷繞于陶瓷主體的端面，而且也卷繞到主面以及側面而形成，因此外部電極對陶瓷主體的固著力提高。在本發明中，在陶瓷主體的端面上，如果突起部與第I導電部相鄰而配置，則能夠使將該端面朝向平板或平臺按壓時的陶瓷主體的姿態穩定。即在沒有配置突起部的情況下，在第I導電部局部地形成于端面上的情況下，存在引起以下的不良情況的可能性。
(I)第I導電部形成后，使陶瓷主體的端面與粘合平板等粘接而想要進行移動的情況下，如果局部地形成的第I導電部與粘合平板相抵接，則陶瓷主體傾斜。(2)在通過浸潰(dip)法形成第2導電部的情況下，如果局部地形成的第I導電部被按壓到平臺上，則陶瓷主體傾斜。(3)在上述(I)以及⑵的情況下，存在第2導電部的涂敷形狀劣化的危險。與此相對，在陶瓷主體的端面上，如果突起部與第I導電部相鄰而配置，則由于通過突起部而使陶瓷主體的姿態穩定，因此不會引起上述的不良情況。尤其，在一個端面上，多個突起部配置于以第I導電部為中心而對稱的位置，或者從連結I對端面的方向觀察，突起部的厚度與第I導電部的厚度相同或者在第I導電部的厚度以上時，能夠更顯著地發揮突起部所產生的上述效果。


圖I是表示作為本發明的第I實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。圖2為圖I所示的層疊陶瓷電容器的、沿著與陶瓷主體的側面相平行的面的截面圖。圖3為圖I所示的層疊陶瓷電容器的、沿著與陶瓷主體的主面相平行的面的截面圖，(A)表示第I內部電極所通過的截面，(B)表示第2內部電極所通過的截面。圖4為表示在圖I所示的層疊陶瓷電容器所具備的陶瓷主體上形成了第I導電部的狀態的端面圖。圖5為表示在圖I所示的層疊陶瓷電容器所具備的陶瓷主體上形成了第I導電部的狀態的平面圖。圖6為用于說明圖4以及圖5所示的沒有突起部的情況的問題點的圖，⑷表示通過支架(holder)保持陶瓷主體并且使陶瓷主體與粘合平板或者平臺那樣的水平載置面相抵接的狀態，(B)表示將水平載置面上的陶瓷主體從支架上解放后的狀態。圖7表示作為本發明的第2實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器，是與圖3(B)相對應的圖。圖8表示作為本發明的第3實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器中所具備的陶瓷主體，是與圖4相對應的圖。圖9表示作為本發明的第4實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器中所具備的陶瓷主體，是與圖4相對應的圖。圖10表示作為本發明的第5實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器中所具備的陶瓷主體，是與圖4相對應的圖。圖11表示作為本發明的第6實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器中所具備的陶瓷主體，是與圖4相對應的圖。圖12表示作為本發明的第7實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器中所具備的陶瓷主體，是與圖4相對應的圖。圖13表示作為本發明的第8實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器，是與圖3相對應的圖。
圖14表示作為本發明的第9實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器，是與圖13相對應的圖。圖15表示作為本發明的第10實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器， 是與圖3相對應的圖。圖16是表示作為本發明的第11實施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。圖17是圖16所示的層疊陶瓷電容器的、沿著與陶瓷主體的側面相平行的面的截面圖。圖18為圖16所示的層疊陶瓷電容器的、沿著與陶瓷主體的主面相平行的面的截面圖，(A)表示第I內部電極所通過的截面，(B)表示第2內部電極所通過的截面，(C)表示外層偽電極所通過的截面。圖19表示本發明的第12實施方式的層疊陶瓷電容器，是與圖18相對應的圖。符號說明I、la、Ib、Ic、Id、Ie、61、61a 層疊陶瓷電容器2、62a陶瓷主體3、4、63、64 內部電極5、6、65、66 外部電極7、8、67、68 主面9、10、69、70 側面11、12、71、72 端面13,73 陶瓷層14、17、74、77 對置部15、18、75、78 引出部16、19、76、79 露出端20、20b、21、37、39、40、45、88、89 第 I 導電部22 25、22a 25a、22b、23b、36、38、41 44、46、47、92 95 突起部26、27、90、91 第 2 導電部48 53偽電極
具體實施例方式以下，每當說明用于實施本發明的方式時，例示層疊陶瓷電容器作為層疊陶瓷電子部件。第I實施方式圖I 圖6是用于說明本發明的第I實施方式的圖。第I實施方式的層疊陶瓷電容器I為ESR控制型。層疊陶瓷電容器I具備陶瓷主體2、配置于陶瓷主體2的內部的內部電極3以及4、配置于陶瓷主體2的外表面上的外部電極5以及6。以下，分為(I)陶瓷主體、⑵內部電極、⑶外部電極來說明層疊陶瓷電容器I的結構的詳細內容，之后，對⑷ 制造方法進行說明。(I)陶瓷主體
如圖I 圖5所示，陶瓷主體2構成具有互相對置的I對主面7以及8、互相對置的I對側面9以及10、互相對置的I對端面11以及12的大致長方體狀。優選陶瓷主體2 在拐角部以及棱部帶有圓形。如圖2所示，陶瓷主體2具有由在主面7以及8的方向上延伸并且在連結I對主面 7以及8的方向上層疊的多個陶瓷層13構成的層疊結構。優選陶瓷層13的各厚度為O. 5 10 μ m。作為構成陶瓷層13的陶瓷材料，能夠采用例如以8&1103、0&1103、51'1103、0&21'03等作為主成分的電介質陶瓷。此外，也可以采用在這些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、 Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類元素化合物等副成分的物質。陶瓷主體2為沿著連結I對側面9以及10的方向的端面11以及12的各尺寸W比沿著連結I對端面11以及12的方向的側面9以及10的各尺寸L還長的所謂LW逆轉型。 在這種LW逆轉型中，由于能夠縮短內部電極3以及4的長度，并且擴大寬度，因此能夠降低層疊陶瓷電容器I的ESL。優選上述尺寸W成為上述尺寸L的I. 5 2. 5倍。在上述那樣的LW逆轉型中，由于容易引起陶瓷主體2的傾斜，從而后述的突起部的存在意義變大。(2)內部電極內部電極具備圖3(A)所示的多個第I內部電極3以及圖3(B)所示的多個第2內部電極4。多個第I內部電極3以及多個第2內部電極4在陶瓷主體2的層疊方向上交替地排列。第I內部電極3具有與第2內部電極4相對置的對置部14、和從對置部14引出到第I端面11的引出部15，其中該第2內部電極4與第I內部電極3相鄰。弓丨出部15提供露出到端面11的露出端16。另一方面，第2內部電極4具有與第I內部電極3相對置的對置部17、和從對置部17引出到第2端面12的引出部18，其中該第I內部電極3與第2內部電極4相鄰。引出部18提供露出到端面12的露出端19。優選引出部15以及18的各自的寬度尺寸比對置部14以及17的各自的寬度尺寸窄。由此，露出端16以及19容易分別被外部電極5以及6的后述的第I導電部可靠地覆蓋，可靠性得到了確保。此外，通過具有上述的尺寸關系，容易使電流路徑變得更窄，由此能夠提高電容器的ESR。作為構成內部電極3以及4的導電材料，例如能夠采用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag_Pd合金、 Au等。此外，優選內部電極3以及4的各厚度為O. 3 2.0 μ m。(3)外部電極外部電極5以及6均包括第I導電部、突起部、第2導電部、以及第3導電部。以下，分別進行說明。(3)-1.第 I 導電部如圖3 圖5所示，第I導電部20以及21分別覆蓋內部電極3以及4的引出部 15以及18的露出端16以及19，并配置在陶瓷主體2的端面11以及12上。第I導電部20 以及21按照卷繞到主面7以及8的方式形成為帶狀，但并不卷繞到側面9以及10。相對于沿著連結I對側面9以及10的方向上的尺寸W，第I導電部20以及21分別可以取得1/2W以下的寬度尺寸。此外，關于連結I對側面9以及10的方向，第I導電部20以及21可以配置為分別通過端面11以及12的中央。這種第I導電部20以及21的配置尤其容易引起陶瓷主體2的傾斜，因此在后面詳述的突起部的存在意義變大。優選第I 導電部20以及21的各厚度為5 100 μ m。在本實施方式中，第I導電部20以及21包括電阻成分。由此，電阻要素相對于層疊陶瓷電容器I所提供的電容串聯插入，從而能夠提高層疊陶瓷電容器I的ESR。優選層疊陶瓷電容器I的ESR為IOm Ω 1500m Ω，更優選為IOOm Ω IOOOm Ω。此外，優選第I導電部20以及21的比電阻為O. 001 1·0Ω · cm，更優選為O. 005 O. 1Ω · cm。上述電阻成分是指除了一般的外部端子電極中所包含的金屬和玻璃之外的、比電阻較高的成分，具體地為除了玻璃之外的金屬氧化物。這里，作為金屬氧化物，有利地利用例如In-Sn復合氧化物(ITO)、La-Cu復合氧化物、Sr-Fe復合氧化物、Ca-Sr-Ru復合氧化物等復合氧化物。由于這些復合氧化物與Ni的反應性良好，因此在采用這些復合氧化物的情況下，優選采用Ni或者Ni合金來作為用于上述的內部電極3以及4的導電材料。由此， 能夠提高外部電極5以及6、尤其是第I導電部20以及21與內部電極3以及4的連接可靠性。第I導電部20以及21中，除了電阻成分之外,還能添加玻璃。在此,作為玻璃,能夠采用B-Si系玻璃、B-Si-Zn系玻璃、B-Si-Zn-Ba系玻璃、B-Si-Zn-Ba-Ca-Al系玻璃等。 在對玻璃進行添加的情況下，優選電阻成分與玻璃的體積比例處于30 70 70 30的范圍。第I導電部20以及21中，還可添加Ni、Cu、Mo、Cr、Nb等金屬，也可添加A1203、 TiO2, ZrO2, ZnO等金屬氧化物。這些物質具有對第I導電部20以及21所提供的比電阻進行調整的功能，并且具有對致密性(compactness)進行調整的功能。即，在添加了上述金屬的情況下，比電阻降低，在添加了上述金屬氧化物的情況下，比電阻提高。此外，Ni、Cu、A1203 以及TiO2促進第I導電部20以及21的致密化，另一方面，Mo、Cr、Nb、ZrO2以及ZnO抑制第I導電部20以及21的致密化。另外，所謂致密化抑制具有防止第I導電部20以及21 的過燒結所引起的氣泡(blister)產生的含意。雖然沒有圖示，但針對一個端面也可形成多個第I導電部。(3)-2.突起部如圖3以及圖4所示，突起部22以及23和突起部24以及25分別按照相對于第 I導電部20以及21隔開規定的距離而相鄰的方式，配置于端面11以及12上。突起22 25按照在后面詳述的第2導電部的形成時，防止陶瓷主體2傾斜的方式發揮作用。突起部 22 25按照卷繞到主面7以及8上的方式形成為帶狀。相對于沿著連結I對側面9以及 10的方向上的尺寸W，突起部22 25分別可以取得1/4W以下的寬度尺寸。在本實施方式中，針對一個端面11，兩個突起部22以及23按照將第I導電部20 夾在中間的方式而配置，此外，針對另一個端面12，兩個突起部24以及25按照將第I導電部21夾在中間的方式而配置。由此，能夠提高防止陶瓷主體2傾斜的效果。此外，兩個突起部22以及23被配置于以第I導電部20為中心而對稱的位置。同樣地，兩個突起部24以及25被配置于以第I導電部21為中心而對稱的位置。在此，第I 導電部20與突起部22以及23之間的各距離實質上彼此相等，此外，第I導電部21與突起部24以及25之間的各距離實質上彼此相等。由此，能夠更加提高防止陶瓷主體2傾斜的效果。優選突起部22 25由與第I導電部20以及21相同的材料構成。由此，能夠在形成第I導電部20以及21的同時，形成突起部22 25。另外，突起部22 25也可以由與第I導電部20以及21不同的材料構成。例如，也可由將陶瓷材料與玻璃成分進行了混合后的材料等構成。在連結I對端面11以及12的方向上觀察，優選突起部22 25的各厚度為5 100 μ m，但優選突起部22以及23的各厚度與第I導電部20的厚度實質上相同或者在第I 導電部20的厚度以上，此外，優選突起部24以及25的各厚度與第I導電部21的厚度實質上相同或者在第I導電部21的厚度以上。這一點有助于更有效地防止陶瓷主體2的傾斜。另外，在連結I對側面9以及10的方向上觀察，優選突起部22以及23的各寬度與第I導電部20的寬度實質上相同或者在第I導電部20的寬度以下，同樣地優選突起部 24以及25的各寬度與第I導電部21的寬度實質上相同或者在第I導電部21的寬度以下。 此外，如果突起部22以及23的各寬度與第I導電部20的寬度實質上相同，則容易使突起部22以及23的各厚度與第I導電部20的厚度一致，此外，如果突起部24以及25的各寬度與第I導電部21的寬度實質上相同，則容易使突起部24以及25的各厚度與第I導電部 21的厚度一致。此外，在一個端面上，也可以形成三個以上的突起部，還可以只形成一個突起部。(3)-3.第 2 導電部第2導電部26按照覆蓋第I導電部20和突起部22以及23的方式形成于端面11 上，同樣，第2導電部27按照覆蓋第I導電部21和突起部24以及25的方式形成于端面12 上。此外，這些第2導電部26以及27按照卷繞到主面7以及8和側面9以及10上的方式形成。第2導電部26以及27按照使耐濕性提高的方式發揮作用。尤其，在第I導電部 20以及21以金屬氧化物或玻璃成分作為主成分的情況下，由于第I導電部20以及21容易變得多孔(porous)，因此第2導電部26以及27的重要性變得更高。如后所述，在通過鍍敷而形成第3導電部的情況下，第2導電部26以及27按照提高鍍敷貼附性的方式發揮作用。作為第2導電部26以及27中所包含的導電材料，能夠采用例如Cu、Ni、Ag、Pd、 Ag-Pd合金、Au等。此外，優選在第2導電部26以及27中添加玻璃成分。作為玻璃成分， 優選采用與在第I導電部20以及21中可能包含的玻璃相同或者主成分相同的材料。優選構成第2導電部26以及27的材料、與構成第I導電部20以及21的材料和構成突起部22 25的材料互相不同。由此，能夠由第I導電部20以及21和第2導電部 26以及27來分擔相互不同的作用。優選第2導電部26以及27的各厚度為5 100 μ m。(3)-4.第 3 導電部如圖2以及圖3所示，第3導電部28以及29按照需要以分別覆蓋第2導電部26 以及27的方式通過鍍敷而形成。在層疊陶瓷電容器I采用焊錫而被安裝的情況下，優選第3導電部28以及29成為由Ni鍍敷膜以及Ni鍍敷膜上的Sn鍍敷膜構成的2層結構。在層疊陶瓷電容器I采用
9導電性膠粘劑或引線接合(wire bonding)而被安裝的情況下，優選第3導電部28以及29 成為由Ni鍍敷膜以及Ni鍍敷膜上的Au鍍敷膜構成的2層結構。在層疊陶瓷電容器I被埋入到樹脂基板中的情況下，優選第3導電部28以及29的至少最外層成為Cu鍍敷膜。第3導電部28以及29不需要如上述那樣為2層結構，也可為I層，還可為3層以上。優選構成第3導電部28以及29的鍍敷膜的每I層的厚度為I 10 μ m。也可在第2導電部26以及27與第3導電部28以及29各自之間，形成應力緩和用的導電性樹脂層。(4)制造方法層疊陶瓷電容器I例如如下那樣被制造。(4)-1.準備應成為陶瓷層13的陶瓷生片(green sheet)、內部電極用導電性漿料、以及外部電極用導電性漿料。陶瓷生片和內部電極用以及外部電極用的各導電性漿料中包含粘合劑以及溶劑，能采用公知的有機粘合劑或有機溶劑。此外，作為外部電極用導電性漿料， 準備用于第I導電部20以及21和突起部22 25的導電性漿料、和用于第2導電部26以及27的導電性漿料。(4)-2.在陶瓷生片上通過例如絲網印刷等以規定的圖案對導電性漿料進行印刷，形成內部電極圖案。(4)-3.將沒有印刷內部電極圖案的外層用陶瓷生片層疊規定枚數，在其上依次層疊印刷了內部電極圖案的陶瓷生片，并在其上層疊規定枚數的外層用陶瓷生片，來制作母層疊體。(4)-4.將母層疊體通過等靜壓(isostatic press)等方法在層疊方向上按壓。(4)-5.將母層疊體切割為規定的尺寸，切割出未加工的陶瓷主體。此時,也可通過滾筒拋光(barrel polishing)等,使未加工的陶瓷主體的拐角部或棱部帶有圓形。(4)-6.對未加工的陶瓷主體進行燒制。由此，得到圖示的陶瓷主體2。燒制溫度雖然也由陶瓷或內部電極的材料決定，但優選為900 1300°C。(4)-7.通過在燒制后的陶瓷主體2的兩端面11以及12上對用于形成第I導電部20以及21和突起部22 25的每一個的導電性漿料進行涂敷并燒結，來形成第I導電層20以及21和突起部22 25。在該情況下，能夠采用使陶瓷主體2與狹縫相抵接，使導電性漿料經由狹縫而通過，并涂敷為帶狀的狹縫法(slit method)。由此，能夠同時形成第I導電部20、突起部22以及23，還能同時形成第I導電部21、突起部24以及25。優選燒結溫度為700 900°C。此外，作為燒結時的氣氛適當使用大氣或者N2等氣氛。(4)-8.通過在第I導電部20以及21上對用于第2導電部26以及27的導電性漿料進行涂敷并燒結，從而形成第2導電部26以及27。在這種情況下，能夠采用使陶瓷主體2與鋪上了漿料的平臺相抵接，然后舉起陶瓷主體2的浸潰法(dip method)。燒結溫度處于700 900°C的范圍，優選為比上述的第I導電部20以及21和突起部22 25的燒結溫度低的溫度。作為燒結時的氣氛，適當使用大氣或者N2等氣氛。另外，如上所述那樣，在使陶瓷主體2與平臺相抵接時，由于不僅第I導電部20以及21與平臺相抵接，而且突起部22 25也與平臺相抵接，因此能夠防止陶瓷主體2傾斜。 關于這一點，參照圖6而后述。(4)-9.根據需要，在第2導電部26以及27上通過鍍敷而形成第3導電部28以及29。如以上那樣，完成層疊陶瓷電容器I。接下來，參照圖6，對沒有突起部22 25的情況下的問題點進行說明。圖6 (A)中表示陶瓷主體2通過支架31而被保持的狀態。支架31具有將彈性體部32設置于內側的剛體部33，并使彈性體部32與陶瓷主體2相壓接，同時通過剛體部33 進行夾持來保持陶瓷主體2。在圖示的陶瓷主體2上形成有第I導電部20以及21，但沒有形成突起部。如圖6(A)所示，通過支架31保持陶瓷主體2，并且使陶瓷主體2抵接于粘合平板或平臺那樣的水平載置面34后，如該圖(B)所示，將水平載置面34上的陶瓷主體2從支架 31解放，由于陶瓷主體2沒有突起部，因此該姿態不穩定，陶瓷主體2發生了傾斜。如上那樣陶瓷主體2傾斜時，在例如上述“(4)_8”的工序中，存在用于第2導電部 26以及27的導電性漿料的涂敷形狀劣化的可能性。與此相對，如果突起部22 25與第I 導電部20以及21相鄰地配置于陶瓷主體2，則通過突起部22 25而使陶瓷主體2的姿態穩定，因此能夠使得不引起上述那樣的不良情況。第2實施方式本發明的第2實施方式如圖7所示。圖7為與圖3(B)相對應的圖。在圖7中，對與圖3(B)中所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖7所示的層疊陶瓷電容器Ia中，突起部22a 25a形成為不僅卷繞到端面11 以及12上，而且至少卷繞到側面9以及10上為止。雖然沒有圖示，但突起部22a 25a也可形成為卷繞到主面7以及8上為止。根據上述那樣的構成，雖造成水分更容易浸入到突起部22a 25a中的狀況，但即使水分浸入到突起部22a 25a，由于在它們的下面不存在內部電極3以及4的露出端16 以及19，因此沒有嚴重的問題。第3實施方式本發明的第3實施方式在圖8中表示。圖8為與圖4相對應的圖。圖8中，對與圖4所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖8所示的陶瓷主體2中，第I導電部20b、突起部22b以及23b只形成于端面 11上。關于位于圖8所示的陶瓷主體2的背面側即端面12上的第I導電部以及突起部，雖然沒有圖示，但也只形成于端面12上。根據這種構成，能夠抑制外部電極的T方向(參照圖I以及圖2)上的厚度，因此能夠減小層疊陶瓷電子部件的厚度。
第4實施方式本發明的第4實施方式在圖9中表示。圖9為與圖4相對應的圖。在圖9中，對與圖4所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖9所示的陶瓷主體2中，在端面11上只在單側配置一個突起部36。雖然關于位于圖9所示的陶瓷主體2的背面側即端面12上的第I導電部以及突起部沒有圖示，但既可以為同樣的形式，也可以為不同的形式。圖9所示的方式，能夠在第I導電部37有比較大的面積且在W方向(參照圖I以及圖3)上偏向一側配置的情況下采用。第5實施方式本發明的第5實施方式如圖10所示。圖10是與圖4相對應的圖。圖10中，對與圖4所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖10所示的陶瓷主體2中，在端面11上，突起部38配置為框狀，按照被突起部 38包圍的方式配置第I導電部39。關于位于圖10所示的陶瓷主體2的背面側即端面12上的第I導電部以及突起部，雖然沒有圖示，但既可以是相同的形式，也可以是不同的形式。第6實施方式本發明的第6實施方式如圖11所示。圖11是與圖4相對應的圖。在圖11中，對與圖4所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖11所示的陶瓷主體2中，第I導電部40被配置于端面11的中央，并且四個突起部41 44被配置于端面11的4個角附近。關于位于圖11所示的陶瓷主體2的背面側即端面12上的第I導電部以及突起部，雖然沒有圖示，但既可以是同樣的形式，也可以是不同的形式。第7實施方式本發明的第7實施方式如圖12所示。圖12是與圖4相對應的圖。在圖12中，對與圖4所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。在圖12所示的陶瓷主體2中，第I導電部45被配置于端面11的中央，并且兩個突起部46以及47被配置于端面11的對角位置。關于位于圖12所示的陶瓷主體2的背面側即端面12上的第I導電部以及突起部，雖然沒有圖示，但既可以是同樣的形式，也可以是不同的形式。第8實施方式本發明的第8實施方式如圖13所示。圖13是與圖3相對應的圖。圖13中，對與圖3所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。圖13所示的層疊陶瓷電容器Ic具有從圖3所示的層疊陶瓷電容器I中除去突起部22 25的結構。第9實施方式本發明的第9實施方式如圖14所示。圖14為與圖13相對應的圖。圖14中，對與圖13所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。簡單地說，圖14所示的層疊陶瓷電容器Id具有在圖3所示的層疊陶瓷電容器I 上附加偽電極54以及55的結構。偽電極54以及55按照在陶瓷主體2的端面11或者12上露出的方式被配置。偽電極54以及55能由與內部電極3以及4相同的材料構成。偽電極54以及55分別與第I導電部20以及21相連接。由此，偽電極54以及55 按照使第I導電部20以及21對陶瓷主體2的固著力提高，相應地使外部電極5以及6的固著力提高的方式發揮功能。因此，偽電極54以及55實質上對層疊陶瓷電容器Id的電氣特性的顯現沒有貢獻。優選偽電極54以及55具有與內部電極3以及4的引出部15以及18的每一個相同的寬度尺寸(沿W方向的尺寸)。此外，優選這些偽電極54以及55的露出端在端面11 以及12上分別與內部電極3以及4的露出端16以及19沿著T方向(參照圖I以及圖2) 排列。第10實施方式本發明的第10實施方式如圖15所示。圖15為與圖3相對應的圖。圖15中，對與圖3所示的要素相當的要素付與同樣的參照符號，省略重復的說明。簡單地說，圖15所示的層疊陶瓷電容器Ie具有在圖3所示的層疊陶瓷電容器I 上附加偽電極48 53的結構。偽電極48 53按照在陶瓷主體2的端面11或者12上露出的方式被配置。偽電極48 53能由與內部電極3以及4相同的材料構成。偽電極48 53中，偽電極48以及49分別與第I導電部20以及21相連接，偽電極50 53分別與突起部22 25相連接。由此，偽電極48 53按照使第I導電部20以及21和突起部22 25對陶瓷主體2的固著力提高，相應地使外部電極5以及6的固著力提高的方式發揮功能。因此，偽電極48 53實質上對層疊陶瓷電容器Ie的電氣特性的顯現沒有貢獻。優選與第I導電部20以及21分別連接的偽電極48以及49具有與內部電極3以及4的引出部15以及18的每一個相同的寬度尺寸(沿W方向的尺寸)。此外，優選這些偽電極48以及49的露出端在端面11以及12上分別與內部電極3以及4的露出端16以及 19沿著T方向(參照圖I以及圖2)排列。關于與突起部22 25分別連接的偽電極50 53的露出部，也優選在端面11以及12上沿T方向排列。第11實施方式圖16 圖18用于說明本發明的第11實施方式。第11實施方式的層疊陶瓷電容器61與導電性膠粘劑相對應。層疊陶瓷電容器61具備陶瓷主體62、配置于陶瓷主體62的內部的內部電極63以及64、配置于陶瓷主體62的外表面上的外部電極65以及66。以下, 將層疊陶瓷電容器61的詳細的結構分為(I)陶瓷主體、(2)內部電極、(3)外部電極來進行說明。(I)陶瓷主體如圖16 圖18所示，陶瓷主體62構成具有互相對置的I對主面67以及68、互相對置的I對側面69以及70、和互相對置的I對端面71以及72的大致長方體狀。優選陶瓷主體62在拐角部以及棱部帶有圓形。如圖17所示，陶瓷主體62具有由在主面67以及68的方向上延伸并且在連結I 對主面67以及68的方向上層疊的多個陶瓷層73構成的層疊結構。關于陶瓷層73的各厚度以及材料，可以與上述的第I實施方式的情況相同。陶瓷主體62的沿著連結I對側面69以及70的方向的端面71以及72的各尺寸 W比沿著連結I對端面71以及72的方向的側面69以及70的各尺寸L短。(2)內部電極內部電極具備圖18(A)所示的多個第I內部電極63以及圖18⑶所示的多個第 2內部電極64。多個第I內部電極63以及多個第2內部電極64在陶瓷主體62的層疊方向上交替地排列。第I內部電極63具有與第2內部電極64相對置的對置部74、和從對置部74引出到第I端面71的引出部75，其中該第2內部電極64與第I內部電極63相鄰。引出部75 提供露出到端面71的露出端76。另一方面，第2內部電極64具有與第I內部電極63相對置的對置部77、和從對置部77引出到第2端面72的引出部78，其中該第I內部電極63與第2內部電極64相鄰。引出部78提供露出到端面72的露出端79。根據與第I實施方式的情況相同的理由，優選引出部75以及78的各自的寬度尺寸比對置部74以及77的各自的寬度尺寸短。關于內部電極63以及64的材料以及各厚度，可以與第I實施方式的情況相同。在陶瓷主體62的內部，除了上述的內部電極63以及64之外，還配置有由與內部電極63以及64相同的材料構成的內層偽電極80以及81和外層偽電極82以及83。內層偽電極80以及外層偽電極82形成為露出到第I端面71，內層偽電極81以及外層偽電極 83形成為露出到第2端面72。優選內層偽電極80以及81和外層偽電極82以及83的各自的露出端的寬度尺寸 (沿W方向的尺寸)與內部電極63以及64的各自的引出部75以及78的露出端76以及 79的寬度尺寸相同。此外,優選內部電極63的露出端76、內層偽電極80的露出端、和外層偽電極82的露出端在端面71上沿著T方向排列。同樣地，優選內部電極64的露出端79、 內層偽電極81的露出端、外層偽電極83的露出端在端面72上沿著T方向排列。外層偽電極82以及83分別具有引出到端面71以及72的窄部84以及85、和與窄部84以及85相連接的寬部86以及87。外層偽電極82以及83按照在同一面內，寬部86 以及87互相對置的方式被配置。外層偽電極82以及83的寬部86以及87具有以下效果， 即對集中在外部電極65以及66的向主面67以及68和側面69以及70的卷繞部的前端、 和最外層的內部電極63以及64之間的電場進行緩和的屏蔽效果。(3)外部電極外部電極65以及66均包括第I導電部以及第2導電部。以下，分別對它們進行說明。(3)-1.第 I 導電部如圖17以及圖18所示，第I導電部88以及89分別按照覆蓋內部電極63以及64 的露出端76以及79的方式，并且按照覆蓋內層偽電極80以及81的露出端和外層偽電極 82以及83的露出端的方式，配置于陶瓷主體62的端面71以及72上。第I導電部88以及 89形成為在主面67以及68上、側面69以及70上都不卷繞。作為第I導電部88以及89的材料，能夠采用Cu、Ni等卑金屬。此外，第I導電部 88以及89可以包含玻璃成分。此外，第I導電部88以及89也可通過直接鍍敷來形成。在這種情況下，在第I導電部88以及89中不包含玻璃成分的情況較多。(3)-2.第 2 導電部第2導電部90以及91分別按照覆蓋第I導電部88以及89的方式形成于端面71 以及72上。此外，第2導電部90以及91按照卷繞到主面67以及68和側面69以及70上的方式形成。作為第2導電部90以及91的材料,能夠采用Ag、Pd、Ag_Pd、Au、Pt等貴金屬。此外,第2導電部90以及91可以包含玻璃成分。在該實施方式的層疊陶瓷電容器61中，第2導電部90以及91構成外部電極65以及66的最外層。原因是該層疊陶瓷電容器61適用于導電性膠粘劑所進行的安裝的緣故。 在這種情況下，外部電極65以及66的最外層不由Sn鍍敷膜形成，而由貴金屬構成。第12實施方式本發明的第12實施方式如圖19所示。圖19為與圖18相對應的圖。圖19中，對與圖18所示的要素相當的要素付與相同的參照符號，省略重復的說明。簡而言之，圖19所示的層疊陶瓷電容器61a具有在圖18所示的層疊陶瓷電容器 61上附加突起部92 95的結構。此外，與突起部92 95分別相對應地附加與突起部 92 95分別連接的內層偽電極96 99，并且在外層偽電極82a以及83a上還形成引出部 100 103。內層偽電極96 99由與內部電極63以及64相同的材料構成。更詳細地來說，突起部92與內層偽電極96以及引出部100連接，突起部93與內層偽電極97以及引出部101連接，突起部94與內層偽電極98以及引出部102連接，突起部95與內層偽電極99以及引出部103連接。圖19所示的結構在通過直接鍍敷而形成第I導電部88以及89和突起部92 95 的情況下有效。其他實施方式本發明不限于以上說明的層疊陶瓷電容器，也能夠適用于其他的層疊陶瓷電子部件。例如，在由壓電體陶瓷構成陶瓷主體的情況下，可以為作為壓電部件發揮功能的層疊陶瓷電子部件，在由半導體陶瓷構成陶瓷主體的情況下，可以為作為熱敏電阻發揮功能的層疊陶瓷電子部件，在由磁性體陶瓷構成陶瓷主體的情況下，可以為作為電感器發揮功能的層疊陶瓷電子部件。另外，在電感器的情況下，內部電極成為線圈狀的導體。
1權利要求
1.一種層疊陶瓷電子部件，具備陶瓷主體，其具有互相對置的I對主面、互相對置的I對側面以及互相對置的I對端面，由在上述主面的延伸方向上延伸并且在連結上述I對主面的方向上層疊的多個陶瓷層構成；內部電極，其配置于上述陶瓷主體的內部，具有提供在上述端面露出的露出端的引出部；和外部電極，其按照與上述內部電極電連接的方式配置于上述端面上，上述外部電極包括第I導電部，其按照覆蓋上述引出部的上述露出端并且不卷繞到上述側面的方式配置于上述端面上；和第2導電部，其按照覆蓋上述第I導電部并且卷繞到上述主面以及上述側面的方式配置于上述端面上。
2.根據權利要求I所述的層疊陶瓷電子部件，其中，上述外部電極還具備突起部，該突起部按照相對于上述第I導電部隔開規定的距離而相鄰的方式配置于上述端面上，上述第2導電部覆蓋上述第I導電部以及上述突起部。
3.根據權利要求2所述的層疊陶瓷電子部件，其中，在一個上述端面上，具有一個上述第I導電部和多個上述突起部，多個上述突起部被配置于以上述第I導電部為中心而對稱的位置。
4.根據權利要求2或3所述的層疊陶瓷電子部件，其中，從連結上述I對端面的方向觀察，上述突起部的厚度與上述第I導電部的厚度相同或者在上述第I導電部的厚度以上。
5.根據權利要求2 4中任一項所述的層疊陶瓷電子部件，其中，上述突起部由與上述第I導電部相同的材料構成。
6.根據權利要求5所述的層疊陶瓷電子部件，其中，還具有偽電極，該偽電極配置于上述陶瓷主體的內部，具有在上述端面露出并且被上述突起部覆蓋的露出端，且由與上述內部電極相同的材料構成。
7.根據權利要求I 6中任一項所述的層疊陶瓷電子部件，其中，構成上述第I導電部的材料具有電阻成分。
8.根據權利要求I 7中任一項所述的層疊陶瓷電子部件，其中，沿著連結上述I對側面的方向的上述端面的尺寸比沿著連結上述I對端面的方向的上述側面的尺寸長。
9.根據權利要求I 8中任一項所述的層疊陶瓷電子部件，其中，具備在上述陶瓷主體的層疊方向上排列的多個上述內部電極，各上述內部電極具有與上述引出部連接且互相對置的對置部，上述引出部的寬度尺寸比上述對置部的寬度尺寸短。
全文摘要
本發明提供一種具備能使耐濕性提高，并且能使對陶瓷主體的固著力提高的外部電極的、層疊陶瓷電容器那樣的層疊陶瓷電子部件。配置于陶瓷主體(2)的內部的內部電極(3、4)具有在端面(11、12)露出的露出端(16、19)。按照與內部電極電連接的方式配置于端面上的外部電極(5、6)覆蓋露出端(16、19)，包括按照不卷繞到側面(9、10)的方式配置于端面上的第1導電部(20、21)、和覆蓋第1導電部并且按照卷繞到主面(7、8)以及側面的方式配置于端面上的第2導電部(26、27)。在外部電極中，突起部(22～25)與第1導電部相鄰而配置于端面上，由于形成第2導電部時的陶瓷主體的姿態穩定，因此優選。
文檔編號H01G4/30GK102610387SQ20121000873
公開日2012年7月25日 申請日期2012年1月12日 優先權日2011年1月21日
發明者山本重克, 澤田隆司 申請人:株式會社村田制作所