發(fā)光器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方的有源層以及在有源層下方的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層;電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極;電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極;圍繞發(fā)光結(jié)構(gòu)的下部的溝道層;電連接至第二電極并且設(shè)置在第二電極下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件;與第一導(dǎo)電支承構(gòu)件電絕緣并且設(shè)置在第二電極下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件;以及電連接至第一電極和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件的第一連接部。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 實(shí)施方案涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單元。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)已被廣泛用作發(fā)光器件之一。LED通過(guò)利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成例如紅外光、可見(jiàn)光和紫外光等光的形式。
[0003]隨著發(fā)光器件的光效率增加，發(fā)光器件已被用于各種領(lǐng)域，例如顯示裝置和照明器具。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施方案提供能夠防止電流集中并且提高電可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單元。
[0005]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方的有源層以及在有源層下方的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極；電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極；圍繞發(fā)光結(jié)構(gòu)的下部的溝道層；電連接至第二電極并且設(shè)置在第二電極下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件；與第一導(dǎo)電支承構(gòu)件電絕緣并且設(shè)置在第二電極下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件；以及電連接至第一電極和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件的第一連接部。
[0006]實(shí)施方案提供能夠防止電流集中并且提高電可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單元。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖；
[0008]圖2為示出應(yīng)用于根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的第一和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件的形狀的視圖；
[0009]圖3至圖7為示出制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法的截面圖；
[0010]圖8和圖9為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)例的截面圖；
[0011]圖10至圖12為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的修改的截面圖；
[0012]圖13為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；
[0013]圖14為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示器件的視圖；
[0014]圖15為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示器件的另一實(shí)例的視圖；以及
[0015]圖16為示出根據(jù)實(shí)施方案的光單元的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為處于另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或另一圖案“上”或“下方”時(shí)，其可以“直接”或“間接”處于其他襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或圖案之上，或者還可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。參照附圖描述層的這種位置。
[0017]為了方便或清楚的目的，圖中示出的每層的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸不完全反映實(shí)際尺寸。
[0018]下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件、光單元及其制造方法。
[0019]圖1為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖。圖2為示出應(yīng)用于根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的第一和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件的形狀的視圖。
[0020]如圖1所示，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73、第一電極80以及第二電極87。 [0021]發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層
13。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11下方，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在有源層12下方。
[0022]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0023]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過(guò)使用化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過(guò)使用第I1-VI族化合物半導(dǎo)體或第II1-V族化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0024]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過(guò)使用具有InxAlyGanyN (0≤x≤1，0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含選自摻雜有N型摻雜劑(如S1、Ge、Sn、Se以及Te)的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。
[0025]經(jīng)由通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)和通過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合，有源層12發(fā)射具有如下波長(zhǎng)的光:該波長(zhǎng)與取決于構(gòu)成有源層12的材料的能隙差相對(duì)應(yīng)。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQff)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)和量子線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案并不限于此。
[0026]例如，有源層12可以通過(guò)使用化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。有源層12可以通過(guò)使用具有InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時(shí)，可以通過(guò)堆疊多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層來(lái)形成有源層12。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層的周期。
[0027]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)使用化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)使用第I1-VI族化合物半導(dǎo)體或第I1-V族化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0028]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)使用具有InxAlyGanyN (0≤x≤1，0 < y < 1,0 < x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含選自摻雜有P型摻雜劑(如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba)的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。
[0029]同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方另外設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，可以以均一或不均一的摻雜濃度將雜質(zhì)摻雜到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案并不限于此。
[0030]另外,可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或第一導(dǎo)電InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0031]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以設(shè)置為高于有源層12的頂表面。溝道層30可以圍繞有源層12。溝道層30可以圍繞第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的外周部。溝道層30的一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方。溝道層30的上述一端可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。溝道層30的上述一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和反射層17之間。溝道層30的上述一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和第二電極87之間。第二電極87可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個(gè)。
[0032]例如，溝道層30可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，溝道層30可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy、A1203、TiO2 以及 AlN 中的至少一種。溝道層 30 可被稱(chēng)為隔離層。之后，在對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行隔離工藝時(shí)，溝道層30可以用作蝕刻停止物。另夕卜，通過(guò)隔離工藝，可以防止發(fā)光器件的電氣特性劣化。
[0033]第一電極80可以電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極80可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11上。第一電極80可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11接觸。反射層17可以電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。反射層17可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方。反射層17可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方。
[0034]根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個(gè)。第二電極87可以電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第二電極87可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方。第二電極87可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方。
[0035]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在反射層17和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間的歐姆接觸層15。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。
[0036]歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。歐姆接觸層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸的區(qū)域。反射層17可以電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。另外，反射層7可以反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光，以增加提取到外部的光量。
[0037]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包含選自ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋅鋁)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AT0 (氧化銻錫)、GZO (氧化鋅鎵)、IZ0N(IZ0 氮化物)、Zn。、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及 Ti 中的至少一種。
[0038]反射層17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包含包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬以及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，該透射導(dǎo)電材料例如為ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZ0 (氧化鋅鋁)或ATO (氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
[0039]例如，反射層17可以具有其中交替形成有Ag層和Ni層的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni層或Ti層和Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17下方，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過(guò)反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10進(jìn)行歐姆接觸。
[0040]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在反射層17下方的第一金屬層35。第一金屬層35可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0041]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一金屬層35下方的第二金屬層50和第三金屬層53。
[0042]第二金屬層50和第三金屬層53可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及
Mo中的至少一種。第二金屬層50和第三金屬層53可以用作擴(kuò)散阻擋層。可以在第二金屬層50下方設(shè)置第一接合層60和第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。可以在第三金屬層53下方設(shè)置第二接合層63和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0043]在設(shè)置第一接合層60和第二接合層63的過(guò)程中，第二金屬層50和第三金屬層53可以防止包含在第一接合層60和第二接合層63中的材料擴(kuò)散到反射層17中。第二金屬層50和第三金屬層53可以防止包含在第一接合層60或第二接合層63中的材料如鋅(Zn)對(duì)反射層17產(chǎn)生影響。
[0044]第一接合層60和第二接合層63包括阻擋金屬或接合金屬。例如，第一接合層60和第二接合層63可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以在執(zhí)行散熱功能的同時(shí)支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接合層60和第二接合層63可以實(shí)現(xiàn)為籽層的形式。
[0045]第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W 或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，S1、Ge、GaN、GaAs, ZnO、SiC 以及 SiGe 襯底)中的至少一種。
[0046]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過(guò)第一電極80和第二電極87向發(fā)光結(jié)構(gòu)10施加電力。根據(jù)實(shí)施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層和上層。歐姆層可以包含選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進(jìn)行歐姆接觸。中間層可以通過(guò)使用選自N1、Au以及Al中的材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，上層可以包含Au。第一電極80可以包含選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0047]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)85。因此，可以在形成有粗糙結(jié)構(gòu)85的區(qū)域處增加向上提取的光量。
[0048]根據(jù)實(shí)施方案,設(shè)置在反射層17下方的第一金屬層35和第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70彼此電連接。第一金屬層35可以通過(guò)第二金屬層50和第一接合層60連接至第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0049]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一金屬層35和第三金屬層53之間的第一絕緣層40。可以在第一絕緣層40下方設(shè)置第二絕緣層43。第二絕緣層43可以設(shè)置在第二金屬層50和第三金屬層53之間。另外，第二絕緣層43可以設(shè)置在第一接合層60和第二接合層63之間。
[0050]第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第三金屬層53絕緣。第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73絕緣。例如，第一絕緣層40可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層40和第二絕緣層43 可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy' Al2O3' TiO2 以及 AlN 中的至少一種。
[0051]第一絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。第一絕緣層40的一部分可以與反射層17的側(cè)面接觸。第一絕緣層40的頂表面可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處露出。第一絕緣層40可以圍繞溝道層30的外周部。
[0052]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90。第一連接部90可以電連接至第一電極80和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。例如，第一連接部90可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0053]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以與第三金屬層53接觸。第一連接部90可以通過(guò)第三金屬層53和第二接合層63電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0054]第一連接部90可以設(shè)置為穿過(guò)第一絕緣層40。第一連接部90可以穿過(guò)第一絕緣層40電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。另外，第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30和第一絕緣層40電連接至第三金屬層53。
[0055]第一連接部90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面。第一連接部90可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面。第一連接部90可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面接觸。溝道層30可以使有源層12與第一連接部90絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13絕緣。第一連接部90可以與有源層12間隔開(kāi)至少3 u m。
[0056]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。因而，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0057]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0058]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0059]例如，如圖2所示，第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以圍繞第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70進(jìn)行設(shè)置。此外，可以在第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73之間設(shè)置第三絕緣層47。
[0060]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0061]在下文中，將參照?qǐng)D3至圖7來(lái)描述制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法。
[0062]根據(jù)制造實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法，如圖3所示，可以在襯底5上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層U、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以被定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0063]例如，襯底5可以包含藍(lán)寶石襯底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP以及Ge中的至少一種，但實(shí)施方案不限于此。可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和襯底5之間設(shè)置緩沖層。
[0064]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0065]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含N型半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含具有InxAlyGanyN(0≤x≤1，0≤y≤1,0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含選自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有N型摻雜劑，如S1、Ge、Sn、Se以及Te。
[0066]經(jīng)由通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)和通過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合，有源層12發(fā)射具有如下波長(zhǎng)的光:該波長(zhǎng)與取決于構(gòu)成有源層12的材料的能隙差相對(duì)應(yīng)。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQff)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)和量子線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案并不限于此。
[0067]有源層12可以通過(guò)使用具有InxAlyGanyN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時(shí)，可以通過(guò)堆疊多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層來(lái)形成有源層12。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層的周期。
[0068]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)使用P型半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)使用具有InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含選自InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN、AlInN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba。
[0069]同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上另外設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，可以以均一或不均一的摻雜濃度將雜質(zhì)摻雜到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案并不限于此。
[0070]另外,可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或第一導(dǎo)電InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0071]接下來(lái)，如圖4所示，通過(guò)對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行蝕刻方案，可以露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的一部分。在此情況下，蝕刻可以包括濕法蝕刻方案或干法蝕刻方案。
[0072]接下來(lái)，如圖5所示，可以在對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)10中設(shè)置溝道層30、歐姆接觸層15和反射層17。
[0073]例如，溝道層30 可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN中的至少一種。[0074]歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。
[0075]歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。反射層17可以電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0076]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包含選自ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋅鋁)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AT0 (氧化銻錫)、GZO (氧化鋅鎵)、IZ0N(IZ0 氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及 Ti 中的至少一種。
[0077]反射層17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包含包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬以及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，該透射導(dǎo)電材料例如為ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZ0 (氧化鋅鋁)或ATO (氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
[0078]例如，反射層17可以具有其中交替形成有Ag層和Ni層的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni層或Ti層和Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17下方，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過(guò)反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10進(jìn)行歐姆接觸。
[0079]如圖6所示，可以在反射層17上形成第一金屬層35、第一絕緣層40、第二金屬層50、第三金屬層53、第二絕緣層43、第一接合層60和第二接合層63以及第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0080]根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個(gè)。
[0081]第一金屬層35可以包含選自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0082]第一絕緣層40可以設(shè)置第一金屬層35和第三金屬層53之間。第二絕緣層43可以設(shè)置在第一絕緣層40上。第二絕緣層43可以設(shè)置在第二金屬層50和第三金屬層53之間。另外，第二絕緣層43可以設(shè)置在第一接合層60和第二接合層63之間。
[0083]第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第三金屬層53絕緣。第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73絕緣。第一絕緣層40可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層40和第二絕緣層43可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一種。
[0084]第一絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。第一絕緣層40的一部分可以與反射層17的側(cè)面接觸。第一絕緣層40可以圍繞溝道層30的外周部。
[0085]第二金屬層50和第三金屬層53可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。第二金屬層50和第三金屬層53可以用作擴(kuò)散阻擋層。
[0086]在設(shè)置第一接合層60或第二接合層63的過(guò)程中，第二金屬層50和第三金屬層53可以防止包含在第一接合層60或第二接合層63中的材料擴(kuò)散到反射層17中。第二金屬層50和第三金屬層53可以防止包含在第一接合層60或第二接合層63中的材料如鋅(Zn)對(duì)反射層17產(chǎn)生影響。[0087]第一接合層60或第二接合層63包含阻擋金屬或接合金屬。例如，第一接合層60或第二接合層63可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以在執(zhí)行散熱功能的同時(shí)支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接合層60或第二接合層63可以實(shí)現(xiàn)為籽層的形式。
[0088]例如，第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W 或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，S1、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC 以及SiGe襯底)中的至少一種。
[0089]接下來(lái)，從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11移除襯底5。根據(jù)一個(gè)實(shí)例，可以通過(guò)激光剝離(LLO)工藝移除襯底5。LLO工藝為通過(guò)對(duì)襯底5的底表面輻照激光來(lái)從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11分離襯底5的工藝。
[0090]另外，如圖7所示，通過(guò)隔離蝕刻工藝對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面進(jìn)行蝕刻，以露出溝道層30的一部分。在此情況下，可以露出第一絕緣層40的一部分。可以通過(guò)干法蝕刻工藝如電感耦合等離子體(ICP)來(lái)執(zhí)行隔離蝕刻工藝，但實(shí)施方案并不限于此。
[0091]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)85。因此，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置光提取圖案。可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置凹凸圖案。例如，設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上的光提取圖案可以通過(guò)PEC(光電化學(xué))蝕刻工藝來(lái)形成。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以增加外部光提取效果。
[0092]接下來(lái)，如圖7所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置第一電極80和第一連接部90。
[0093]第一電極80可以電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極80的一部分可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11接觸。根據(jù)實(shí)施方案，可以通過(guò)第一電極80和第二電極87向發(fā)光結(jié)構(gòu)10施加電力。第二電極87可以包括歐姆接觸層15、反射層17和第一金屬層35中的至少一個(gè)。
[0094]第一電極80可以包括歐姆層、中間層和上層。歐姆層可以包含選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進(jìn)行歐姆接觸。中間層可以通過(guò)使用選自N1、Au以及Al中的材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，上層可以包含Au。第一電極80可以包含選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al以及Au中的至少一種。
[0095]第一連接部90可以電連接至第一電極80和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。例如，第一連接部90可以包含選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0096]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以與第三金屬層53接觸。第一連接部90可以通過(guò)第三金屬層53和第二接合層63電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0097]第一連接部90可以設(shè)置為穿過(guò)第一絕緣層40。第一連接部90可以穿過(guò)第一絕緣層40電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30和第一絕緣層40電連接至第三金屬層53。
[0098]第一連接部90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面。第一連接部90可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面。第一連接部90可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13絕緣。第一連接部90可以與有源層12間隔開(kāi)至少3 u m。
[0099]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，第一連接部90可以通過(guò)設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73電連接至設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。因此，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0100]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過(guò)設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70電連接至第二電極87。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0101]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0102]例如，如圖2所示，第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以設(shè)置為圍繞第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。此外，可以在第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73之間設(shè)置第三絕緣層47。
[0103]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0104]同時(shí)，提供上述形成每層的過(guò)程是用于說(shuō)明性目的，并且其工藝順序可以進(jìn)行各種修改。
[0105]圖8為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的又一實(shí)例的截面圖。在關(guān)于圖8所示的發(fā)光器件的以下描述中，將不再描述與參照?qǐng)D1所描述的部件和結(jié)構(gòu)相同的部件和結(jié)構(gòu)，以
避免重復(fù)。
[0106]根據(jù)圖8所示的實(shí)施方案，溝道層30設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處，并且絕緣層40可以不在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處露出。
[0107]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以設(shè)置為高于有源層12的頂表面。溝道層30可以圍繞有源層12。溝道層30可以圍繞第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的外周部。溝道層30的一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方。溝道層30的上述一端可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。溝道層30的上述一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和反射層17之間。溝道層30的上述一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和第二電極87之間。第二電極87可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個(gè)。
[0108]例如，溝道層30可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，溝道層30可以包含選自 Si02、SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, A1203、TiO2 以及 AlN 中的至少一種。溝道層 30 可以被稱(chēng)為隔離層。之后，在相對(duì)于發(fā)光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行隔離工藝時(shí)，溝道層30可以用作蝕刻停止物。另外，通過(guò)隔離工藝，可以防止發(fā)光器件的電氣特性劣化。
[0109]根據(jù)實(shí)施方案，設(shè)置在反射層17下方的第一金屬層35和第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70彼此電連接。第一金屬層35可以通過(guò)第二金屬層50和第一接合層60電連接至第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0110]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一金屬層35和第三金屬層53之間的第一絕緣層40。可以在第一絕緣層40下方設(shè)置第二絕緣層43。第二絕緣層43可以設(shè)置在第二金屬層50和第三金屬層53之間。另外，第二絕緣層43可以設(shè)置在第一接合層60和第二接合層63之間。
[0111]第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第三金屬層53絕緣。第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73絕緣。例如，第一絕緣層40可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層40和第二絕緣層43 可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy' Al2O3' TiO2 以及 AlN 中的至少一種。
[0112]第一絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。第一絕緣層40的一部分可以與反射層17的側(cè)面接觸。
[0113]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90。第一連接部90可以電連接至第一電極80和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。例如，第一連接部90可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0114]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以與第三金屬層53接觸。第一連接部90可以通過(guò)第三金屬層53和第二接合層63電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0115]第一連接部90可以設(shè)置為穿過(guò)第一絕緣層40。第一連接部90可以穿過(guò)第一絕緣層40電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。另外，第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30和第一絕緣層40電連接至第三金屬層53。
[0116]第一連接部90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面。第一連接部90可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面。第一連接部90可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13絕緣。第一連接部90可以與有源層12間隔開(kāi)至少3 u m。
[0117]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。因而，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0118]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0119]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0120]例如，如圖2所示，第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以設(shè)置為圍繞第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。此外，可以在第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73之間設(shè)置第三絕緣層47。
[0121]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0122]圖9為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)例的截面圖。在關(guān)于圖9所示的發(fā)光器件的以下描述中，將不再描述與參照?qǐng)D1所描述的部件和結(jié)構(gòu)相同的部件和結(jié)構(gòu)，以避免重復(fù)。[0123]根據(jù)圖9所示的實(shí)施方案，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面10設(shè)置保護(hù)層45。另外，溝道層30可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的外周部處。保護(hù)層45可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和第一連接部90之間。保護(hù)層45可以使第一連接部90與有源層12絕緣。保護(hù)層45可以使第一連接部90與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13絕緣。
[0124]例如，保護(hù)層45可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，保護(hù)層45可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一種。
[0125]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置為圍繞在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部的溝道層30。溝道層30的一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方。溝道層30的上述一端可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。溝道層30的上述一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和反射層17之間。
[0126]例如，溝道層30可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，溝道層30可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4'SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一種。溝道層 30 可以被稱(chēng)為隔離層。之后在對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)10執(zhí)行隔離工藝時(shí)，溝道層30可以用作蝕刻停止物。另夕卜，通過(guò)隔離工藝，可以防止發(fā)光器件的電氣特性劣化。
[0127]設(shè)置在反射層17下方的第一金屬層35和第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70彼此電連接。第一金屬層35可以通過(guò)第二金屬層50和第一接合層60電連接至第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0128]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一金屬層35和第三金屬層53之間的第一絕緣層40。可以在第一絕緣層40下方設(shè)置第二絕緣層43。第二絕緣層43可以設(shè)置在第二金屬層50和第三金屬層53之間。另外，第二絕緣層43可以設(shè)置在第一接合層60和第二接合層63之間。
[0129]第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第三金屬層53絕緣。第一絕緣層40和第二絕緣層43可以使第一金屬層35與第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73絕緣。例如，第一絕緣層40可以通過(guò)使用氧化物或氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層40和第二絕緣層
43可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy' Al2O3' TiO2 以及 AlN 中的至少一種。
[0130]第一絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。第一絕緣層40的一部分可以與反射層17的側(cè)面接觸。
[0131]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90。第一連接部90可以電連接至第一電極80和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。例如，第一連接部90可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0132]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以與第三金屬層53接觸。第一連接部90可以通過(guò)第三金屬層53和第二接合層63電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。
[0133]第一連接部90可以設(shè)置為穿過(guò)第一絕緣層40。第一連接部90可以穿過(guò)第一絕緣層40電連接至第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。另外，第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30電連接至第三金屬層53。第一連接部90可以穿過(guò)溝道層30和第一絕緣層40電連接至第三金屬層53。
[0134]第一連接部90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面。第一連接部90可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面。第一連接部90可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的側(cè)面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13絕緣。第一連接部90可以與有源層12間隔開(kāi)至少3 u m。
[0135]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73。因而，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0136]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0137]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0138]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0139]圖10為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)例的截面圖。在關(guān)于圖10所示的發(fā)光器件的以下描述中，將不再描述與參照?qǐng)D1所描述的部件和結(jié)構(gòu)相同的部件和結(jié)構(gòu)，以避免重復(fù)。
[0140]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方設(shè)置歐姆反射層19。歐姆反射層19可以實(shí)現(xiàn)為使得歐姆反射層19用作反射層17和歐姆接觸層15兩者。因此，歐姆反射層19可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸，并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光。
[0141]在此情況下，歐姆反射層19可以包括多層。例如，歐姆反射層19可以具有其中交替形成有Ag層和Ni層的結(jié)構(gòu)，或者可以包括Ni/Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0142]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極87可以包括歐姆反射層19和第一金屬層35中的至少一個(gè)。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以通過(guò)設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73電連接至設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。因此，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0143]另外，根據(jù)實(shí)施方案，在發(fā)光器件中，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0144]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0145]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0146]圖11為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)例的截面圖。在關(guān)于圖11所示的發(fā)光器件的以下描述中，將不再描述與參照?qǐng)D8所描述的部件和結(jié)構(gòu)相同的部件和結(jié)構(gòu)，以避免重復(fù)。[0147]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下設(shè)置歐姆反射層19。歐姆反射層19可以實(shí)現(xiàn)為使得歐姆反射層19用作反射層17和歐姆接觸層15兩者。因此，歐姆反射層19可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸，并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光。
[0148]在此情況下，歐姆反射層19可以包括多層。例如，歐姆反射層19可以具有其中交替形成有Ag層和Ni層的結(jié)構(gòu)，或者可以包括Ni/Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0149]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極87可以包括歐姆反射層19和第一金屬層35中的至少一個(gè)。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以通過(guò)設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73電連接至設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。因此，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0150]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0151]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0152]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0153]圖12為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)例的截面圖。在關(guān)于圖12所示的發(fā)光器件的以下描述中，將不再描述與參照?qǐng)D9所描述的部件和結(jié)構(gòu)相同的部件和結(jié)構(gòu)，以避免重復(fù)。
[0154]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方設(shè)置歐姆反射層19。歐姆反射層19可以實(shí)現(xiàn)為使得歐姆反射層19用作反射層17和歐姆接觸層15兩者。因此，歐姆反射層19可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸，并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光。
[0155]在此情況下，歐姆反射層19可以包括多層。例如，歐姆反射層19可以具有其中交替形成有Ag層和Ni層的結(jié)構(gòu)，或者可以包括Ni/Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0156]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極87可以包括歐姆反射層19和第一金屬層35中的至少一個(gè)。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以通過(guò)設(shè)置在第二電極87下方的第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73電連接至設(shè)置在第二電極87上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。因此，通過(guò)將第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0157]另外，根據(jù)實(shí)施方案，第二電極87可以電連接至設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70。因而，通過(guò)將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接至接合焊墊的方案，可以將電力提供給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0158]設(shè)置在第二電極87下方的第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此絕緣。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73可以彼此間隔開(kāi)。第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73的下表面可以設(shè)置在同一平面上。
[0159]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過(guò)第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73向發(fā)光結(jié)構(gòu)10提供電力。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。由于第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73設(shè)置在同一平面上，所以可以容易地將第一導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二導(dǎo)電支承構(gòu)件73附接在接合焊墊上。
[0160]圖13為示出應(yīng)用根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0161]參照?qǐng)D13，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件包括:本體120;形成在本體120上的第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132;設(shè)置在本體120上且電連接至第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132的發(fā)光器件100;以及圍繞發(fā)光器件100的模制構(gòu)件140。
[0162]本體120可以包含硅樹(shù)脂、合成樹(shù)脂或金屬材料，并且在發(fā)光器件100的附近可以形成有傾斜表面。
[0163]第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132彼此電隔離以將電力提供給發(fā)光器件100。第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132可以通過(guò)對(duì)從發(fā)光器件100發(fā)射的光進(jìn)行反射來(lái)提高光效率。此外，第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132將從發(fā)光器件100生成的熱量散發(fā)到外部。
[0164]發(fā)光器件100可以被安裝在本體120、第一引線(xiàn)電極131或第二引線(xiàn)電極132上。
[0165]發(fā)光器件100可以通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)方案、倒裝芯片方案和芯片接合方案中之一電連接至第一引線(xiàn)電極131和第二引線(xiàn)電極132。
[0166]模制構(gòu)件140 可以圍繞發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。另外，模制構(gòu)件140可以包括磷光體以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。
[0167]根據(jù)實(shí)施方案的多個(gè)發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件可以在板上排列，并且可以在從發(fā)光器件封裝件發(fā)射的光的光路上設(shè)置包括透鏡、導(dǎo)光板、棱鏡片或擴(kuò)散片的光學(xué)構(gòu)件。發(fā)光器件封裝件、板、光學(xué)構(gòu)件可以用作光單元。光單元被實(shí)現(xiàn)為頂部發(fā)光型或側(cè)發(fā)光型，并且被不同地設(shè)置在便攜式終端和膝上型計(jì)算機(jī)的顯示器件中或者照明裝置和指示器裝置的顯示器件中。另外，根據(jù)另一實(shí)施方案的照明裝置可以包括根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件。例如，照明裝置可以包括燈、信號(hào)燈、電子標(biāo)識(shí)牌、車(chē)輛的前燈。
[0168]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以應(yīng)用于光單兀。光單兀具有其中排列有多個(gè)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。光單元可以包括如圖14和圖15所示的顯示器件以及如圖16所示的照明裝置。
[0169]參照?qǐng)D14，根據(jù)實(shí)施方案的顯示器件1000包括:導(dǎo)光板1041;用于將光提供給導(dǎo)光板1041的發(fā)光模塊1031;設(shè)置在導(dǎo)光板1041下方的反射構(gòu)件1022;設(shè)置在導(dǎo)光板1041上方的光學(xué)片1051;設(shè)置在光學(xué)片1051上方的顯不面板1061;以及用于容置導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、和反射構(gòu)件1022的底蓋1011。然而,實(shí)施方案并不限于上述結(jié)構(gòu)。
[0170]底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以構(gòu)成光單元1050。
[0171]導(dǎo)光板1041使光擴(kuò)散以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包含透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包含丙烯酰基樹(shù)脂(如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯))、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(環(huán)烯烴共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹(shù)脂中之
o
[0172]發(fā)光模塊1031將光提供至導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯不器件的光源。
[0173]至少一個(gè)發(fā)光模塊1031被設(shè)置為直接或間接地從導(dǎo)光板1041的一側(cè)提供光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033和上述根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件100或發(fā)光器件封裝件200。發(fā)光器件封裝件200可以在板1033上排列，同時(shí)以預(yù)定間隔彼此間隔開(kāi)。[0174]板1033可以是包括電路圖案的印刷電路板(PCB)。另外，板1033還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及PCB，但實(shí)施方案并不限于此。如果發(fā)光器件封裝件200被安裝在底蓋1011的側(cè)面上或散熱板上，那么可以略去板1033。散熱板可以與底蓋1011的頂表面局部接觸。
[0175]另外，發(fā)光器件封裝件200被安裝為使得發(fā)光器件封裝件200的出光面與導(dǎo)光板1041間隔開(kāi)預(yù)定距離，但實(shí)施方案并不限于此。發(fā)光器件封裝件200可以直接或間接地將光提供至作為導(dǎo)光板1041的一側(cè)的入光部，但實(shí)施方案并不限于此。
[0176]反射構(gòu)件1022可以設(shè)置在導(dǎo)光板1041下方。反射構(gòu)件1022將通過(guò)導(dǎo)光板1041的底表面向下行進(jìn)的光反射為向上，從而提高光單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC或PVC樹(shù)脂，但實(shí)施方案并不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面，但實(shí)施方案并不限于此。
[0177]底蓋1011可以在其中容置導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011具有如下容置部1012:其具有有敞開(kāi)頂表面的盒形，但實(shí)施方案并不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)耦接，但實(shí)施方案并不限于此。
[0178]底蓋1011可以通過(guò)使用金屬材料或樹(shù)脂材料、經(jīng)由壓制工藝或者擠出工藝來(lái)制造。另外，底蓋1011可以包含具有優(yōu)異熱導(dǎo)率的金屬或非金屬材料，但實(shí)施方案并不限于此。
[0179]顯示面板1061例如為液晶顯示面板，其包括彼此相對(duì)的第一和第二透明襯底以及設(shè)置在第一和第二襯底之間的液晶層。可以對(duì)顯示面板1061的至少一個(gè)表面附接起偏振片，但實(shí)施方案并不限于此。顯示面板1061通過(guò)使用經(jīng)過(guò)光學(xué)片1051的光來(lái)顯示信息。顯示器件1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本式計(jì)算機(jī)和膝上型計(jì)算機(jī)的顯示器以及電視。
[0180]光學(xué)片1051設(shè)置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透射片。例如，光學(xué)片1051包括擴(kuò)射片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)射，水平和/或垂直棱鏡片將入射光集中到顯示區(qū)域上，以及亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失的光來(lái)提高亮度。另外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但實(shí)施方案并不限于此。
[0181]導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以被設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路上作為光學(xué)構(gòu)件，但實(shí)施方案并不限于此。
[0182]圖15為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示器件的另一實(shí)例的截面圖。
[0183]參照?qǐng)D15，顯示器件1100包括底蓋1152、其上排列有發(fā)光器件100的板1020、光學(xué)構(gòu)件1154以及顯示面板1155。
[0184]板1020和發(fā)光器件100可以構(gòu)成發(fā)光模塊1060。另外,底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060以及光學(xué)構(gòu)件1154可以構(gòu)成光單兀。
[0185]底蓋1152可以在其中設(shè)置有容置部1153，但實(shí)施方案并不限于此。
[0186]在此情況下,光學(xué)構(gòu)件1154可以包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。導(dǎo)光板可以被略去。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)射，水平和垂直棱鏡片將入射光集中到顯示區(qū)域上，以及亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失的光來(lái)提高亮度。[0187]光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在發(fā)光模塊1060上方，以將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光。另外，光學(xué)構(gòu)件1154可以擴(kuò)射或者聚集光。
[0188]圖16為示出根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置的立體圖。
[0189]參照?qǐng)D16，根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置可以包括蓋2100、光源模塊2200、散熱器2400、電源部2600、內(nèi)殼體2700以及插座2800。根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置還可以包括構(gòu)件2300和保持器2500中的至少一個(gè)。光源模塊2200可以包括根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。
[0190]例如，蓋2100可以具有球狀或半球狀。蓋2100可以具有部分敞開(kāi)的中空結(jié)構(gòu)。蓋2100可以與光源模塊2200光學(xué)耦合。例如，蓋2100可以對(duì)從光源模塊2200提供的光進(jìn)行擴(kuò)散、散射或激發(fā)。蓋2100可以是光學(xué)構(gòu)件。蓋2100可以與散熱器2400耦接。蓋2100可以包括與散熱器2400耦接的耦接部。
[0191]蓋2100可以包括涂覆有乳白色涂料的內(nèi)表面。乳白色涂料可以包括擴(kuò)散光的擴(kuò)散材料。蓋2100的內(nèi)表面的粗糙度可以大于蓋2100的外表面的粗糙度。提供表面粗糙度是出于使來(lái)自光源模塊2200充分散射并擴(kuò)散的目的。
[0192]蓋2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在上述材料中，聚碳酸酯(PC)具有優(yōu)異的耐光性、耐熱性和強(qiáng)度。蓋2100可以是透明的使得用戶(hù)可以從外部觀(guān)看光源模塊2200，或者可以是不透明的。蓋2100可以通過(guò)吹塑方案形成。
[0193]光源模塊220可以設(shè)置在散熱器2400的一個(gè)表面處。因此，來(lái)自光源模塊220的熱量被傳遞到散熱器2400。光源模塊2200可以包括光源2210、連接板2230以及連接器2250。
[0194]構(gòu)件2300設(shè)置在散熱器2400的頂表面上，并且包括向其中插入多個(gè)光源2210和連接器2250的導(dǎo)向凹部2310。導(dǎo)向凹部2310與光源2210和連接器2250的板相對(duì)應(yīng)。
[0195]構(gòu)件2300的表面可涂覆有反光材料。例如，構(gòu)件2300的表面可以涂覆有白色涂料。構(gòu)件2300將被蓋2100的內(nèi)表面反射并且返回為朝向光源模塊2200的方向的光再次反射為朝向蓋2100的方向。因此，可以提高根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置的光效率。
[0196]例如，構(gòu)件2300可以包含絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包含導(dǎo)電材料。因此，散熱器2400可以電連接至連接板2230。構(gòu)件2300可以由絕緣材料形成，從而防止連接板2230與散熱器2400電短路。散熱器2400接收來(lái)自光源模塊2200和電源部2600的熱量并且耗散熱量。
[0197]保持器2500覆蓋內(nèi)殼體2700的絕緣部2710的容置凹部2719。因此，使容置在內(nèi)殼體2700的絕緣部2710中的電源部2600密封。保持器2500包括導(dǎo)向突起2510。導(dǎo)向突起2510具有孔，電源部2600的突起通過(guò)穿過(guò)該孔來(lái)延伸。
[0198]電源部2600對(duì)從外部接收的電信號(hào)進(jìn)行處理或轉(zhuǎn)換，并且將經(jīng)處理或轉(zhuǎn)換的電信號(hào)提供給光源模塊2200。電源部2600被容置在內(nèi)殼體2700的容置凹部2719中，并且通過(guò)保持器2500被密封在內(nèi)殼體2700內(nèi)部。
[0199]電源部2600可以包括突起2610、導(dǎo)向部2630、基部2650以及延伸部2670。
[0200]導(dǎo)向部2630具有從基部2650的一側(cè)向外部突出的形狀。導(dǎo)向部2630可以被插入到保持器2500中。可以在基部2650的一個(gè)表面上設(shè)置多個(gè)部件。例如，該部件可以包括:將從外部電源提供的交流(AC)電轉(zhuǎn)換成直流(DC)電的DC轉(zhuǎn)換器；控制光源模塊2200的驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)芯片；以及保護(hù)光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護(hù)裝置，但實(shí)施方案不限于此。
[0201]延伸部2670具有從基部2650的相反側(cè)向外部突出的形狀。延伸部2670被插入到內(nèi)殼體2700的連接部2750的內(nèi)部，并且接收來(lái)自外部的電信號(hào)。例如，延伸部2670的寬度可以小于或等于內(nèi)殼體2700的連接部2750的寬度。“+電線(xiàn)”和電線(xiàn)”的第一端子電連接至延伸部2670，并且“+電線(xiàn)”和電線(xiàn)”的第二端子可以電連接至插座2800。
[0202]內(nèi)殼體2700可以在其中包括模制部和電源部2600。模制部通過(guò)硬化模制液體來(lái)制備，并且電源部2600可以通過(guò)模制部而固定在內(nèi)殼體2700內(nèi)部。
[0203]本說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一個(gè)實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例性實(shí)施方案”等的引用意味著結(jié)合實(shí)施方案所描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方案中。在本說(shuō)明書(shū)的不同地方出現(xiàn)的這類(lèi)短語(yǔ)不一定都指相同的實(shí)施方案。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為其在本領(lǐng)域的技術(shù)人員結(jié)合實(shí)施方案中的其他實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。
[0204]雖然已經(jīng)參照多個(gè)示例性實(shí)施方案描述了實(shí)施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員設(shè)想的大量其他修改和實(shí)施方案將屬于本公開(kāi)內(nèi)容的精神和原理的范圍內(nèi)。更具體地，在本公開(kāi)內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合設(shè)置的部件部分和/或設(shè)置的各種變型和修改是可能的。除部件部分和/或設(shè)置的變型和修改之外，其他用途對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也將是明顯的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方的有源層以及在所述有源層下方的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第一電極，所述第一電極電連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第二電極，所述第二電極電連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 溝道層，所述溝道層圍繞所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下部； 第一導(dǎo)電支承構(gòu)件，所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件電連接至所述第二電極并且設(shè)置在所述第二電極下方； 第二導(dǎo)電支承構(gòu)件，所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件電絕緣于所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件并且設(shè)置在所述第二電極下方；和 第一連接部，所述第一連接部電連接至所述第一電極和所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接部穿過(guò)所述溝道層電連接至所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的頂表面高于所述有源層的頂表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件設(shè)置在所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件周?chē)?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件的底表面與所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件的底表面在同一平面上對(duì)齊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層圍繞所述有源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層圍繞所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括設(shè)置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方的第一金屬層，以及 其中所述第一金屬層電連接至所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一金屬層和所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件之間的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層的頂表面在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的底部的外周處露出。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接部穿過(guò)所述絕緣層而電連接至所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接部接觸所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的側(cè)面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一連接部和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的保護(hù)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層圍繞所述溝道層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上的粗糙結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的一端設(shè)置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的一端接觸所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的底表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第二電極下方的擴(kuò)散阻擋層和接口 /Z^ o
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層包含氧化物或氮化物。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的一端設(shè)置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二電極之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件與所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件間隔開(kāi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中在所述第一導(dǎo)電支承構(gòu)件與所述第二導(dǎo)電支承構(gòu)件之間設(shè)置有絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK103633221SQ201310367059
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
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