有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供有機(jī)發(fā)光晶體管。有機(jī)發(fā)光晶體管包含：基板；有機(jī)半導(dǎo)體層，布置于所述基板上；源電極和漏電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸且相互隔開(kāi)而布置；柵電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極及漏電極形成絕緣，且被布置為與所述有機(jī)半導(dǎo)體層疊置；以及輔助電極，與所述源電極或所述漏電極疊置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置，尤其涉及能夠提高注入到有機(jī)層的電荷量的有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]與在通常的薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)中將非晶硅或多晶硅用作半導(dǎo)體元件不同，有機(jī)發(fā)光晶體管是將有機(jī)物用作半導(dǎo)體元件的晶體管。在有機(jī)發(fā)光晶體管中作為半導(dǎo)體而使用的有機(jī)物，作為P型可以由共軛聚合物或噻吩等的聚合物、金屬酞菁化合物、并五苯等的縮合芳香族碳?xì)浠衔锏纫詥误w或與其他化合物混合的混合物的狀態(tài)來(lái)使用，作為η型可使用1，4，5，8-萘四甲酸酐(見(jiàn)^!^)、11，11，12，12-四氰基萘-2，6-喹啉甲烷(TCNNQD )、I，4，5，8-萘四甲酰基二酰亞胺(NT⑶I)以及氟化酞菁等。
[0003]由于有機(jī)發(fā)光晶體管能夠?qū)?yīng)于在源電極與漏電極之間流過(guò)的電流而發(fā)光，因而可利用多個(gè)有機(jī)發(fā)光晶體管形成顯示裝置。利用有機(jī)發(fā)光晶體管的顯示裝置有利于小型化、輕量化以及薄型化，而且相比于通常的TFT，有機(jī)發(fā)光晶體管的基板的選擇所受到的限制較少，容易實(shí)現(xiàn)柔性顯示器(flexible display)。
[0004]在有機(jī)發(fā)光晶體管中起到半導(dǎo)體作用的有機(jī)物層相比于通常的TFT的半導(dǎo)體層，電荷的遷移率低。因此，流過(guò)有機(jī)發(fā)光晶體管的源電極與漏電極之間的電流量較少，從而可能使得有機(jī)發(fā)光晶體管的發(fā)光程度不夠充分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于提供一種可控制有機(jī)層的電荷投入量的有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置。
[0006]本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題在于提供一種可控制有機(jī)層的電荷遷移率的有機(jī)發(fā)光晶體管及包含此的顯示裝置。
[0007]本發(fā)明的問(wèn)題并不局限于以上所提及的技術(shù)問(wèn)題，對(duì)于沒(méi)有提及的其他的技術(shù)問(wèn)題，本領(lǐng)域技術(shù)人員可從以下的記載中明確地得到理解。
[0008]用于解決上述問(wèn)題的根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管包含:基板；有機(jī)半導(dǎo)體層，布置于所述基板上；源電極和漏電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸且相互隔開(kāi)而布置；柵電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極及漏電極形成絕緣，且被布置為與所述有機(jī)半導(dǎo)體層疊置；以及輔助電極，與所述源電極或所述漏電極疊置。
[0009]用于解決上述問(wèn)題的本發(fā)明的另一實(shí)施例的顯示裝置包含:顯示面板，包含多個(gè)有機(jī)發(fā)光晶體管；驅(qū)動(dòng)部，用于驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光晶體管，所述有機(jī)發(fā)光晶體管包含:基板；有機(jī)半導(dǎo)體層，布置于所述基板上；源電極和漏電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸且相互隔開(kāi)而布置；柵電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極及漏電極形成絕緣，且被布置為與所述有機(jī)半導(dǎo)體層疊置；輔助電極，與所述源電極或所述漏電極疊置。
[0010]其他實(shí)施例的具體事項(xiàng)包含于詳細(xì)的說(shuō)明和附圖中。[0011 ]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，至少具有如下效果。
[0012]即，可提高或抑制注入到有機(jī)發(fā)光晶體管的有機(jī)層的電荷量。
[0013]而且，可提聞?dòng)袡C(jī)發(fā)光晶體管的有機(jī)層的電荷遷移率
[0014]本發(fā)明的效果并不限制于以上例示的內(nèi)容，更加多樣的效果包含在本說(shuō)明書(shū)內(nèi)。【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0016]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0017]圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0018]圖4為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0019]圖5為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0020]圖6為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0021]圖7為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0022]圖8為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0023]圖9為根據(jù)本發(fā)明 的又一實(shí)施例的電壓變換部的電路圖。
[0024]符號(hào)說(shuō)明
[0025]10:基板20、20a:源電極
[0026]30、30b:漏電極40、40a:有機(jī)半導(dǎo)體層
[0027]50、50a:絕緣層60、60a:柵電極
[0028]61:第一柵電極62:第二柵電極
[0029]70、70a:輔助電極 71、71a:第一輔助電極
[0030]72、72a:第二輔助電極 100、100a、IOOb:顯示面板
[0031]200:驅(qū)動(dòng)部210:時(shí)序控制部
[0032]220:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部230:柵極驅(qū)動(dòng)部
[0033]240:電壓生成部T1、T2、T3、T4、T5:有機(jī)發(fā)光晶體管
【具體實(shí)施方式】
[0034]對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)、還有實(shí)現(xiàn)這些的方法，若參照與附圖一起詳細(xì)地后述的實(shí)施例則將會(huì)變得明確。然而，本發(fā)明并不局限于以下所揭示的實(shí)施例，可以以其他多樣的形態(tài)實(shí)現(xiàn)，本實(shí)施例僅僅是為了使本發(fā)明的公開(kāi)完整，且向本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常的指示的技術(shù)人員完整地說(shuō)明本發(fā)明的范圍而提供的，本發(fā)明應(yīng)由權(quán)利要求書(shū)所記載的范圍來(lái)定義。
[0035]當(dāng)被記載為元件(elements)或?qū)釉O(shè)置于其他元件或?qū)印吧?on)”時(shí)，包含其他元件的緊上方或中間夾設(shè)有其他層或其他元件的情形。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中相同的符號(hào)指相同的構(gòu)成要素。
[0036]雖然，第一、第二等術(shù)語(yǔ)為了說(shuō)明多種構(gòu)成要素而使用，但這些構(gòu)成要素不限制于這些術(shù)語(yǔ)。使用這些術(shù)語(yǔ)的目的僅在于將一個(gè)構(gòu)成要素與其他構(gòu)成要素進(jìn)行區(qū)別。因此，在本發(fā)明的技術(shù)思想內(nèi)，以下所提及的第一構(gòu)成要素可以是第二構(gòu)成要素。
[0037]以下，參照【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施例。[0038]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0039]參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置1000包含顯示裝置100和驅(qū)動(dòng)部200。
[0040]顯示面板100可接收柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn、數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、D2、…、Dm及控制信號(hào)CV而顯示對(duì)應(yīng)于此的圖像。顯示面板100可包含多個(gè)像素PX。多個(gè)像素PX可布置為矩陣形狀，但并不是必須限定于此的。多個(gè)像素PX可對(duì)應(yīng)于柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn、數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、…、Dm及控制信號(hào)CV而發(fā)光。數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、…、Dm可包含關(guān)于多個(gè)像素PX各自發(fā)光的色調(diào)的信息，柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn可控制數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、…、Dm是否向多個(gè)像素PX中的每一個(gè)傳送。關(guān)于控制電壓CV將在后面參照?qǐng)D2進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。多個(gè)像素PX為發(fā)光元件，可包含有機(jī)發(fā)光晶體管。關(guān)于有機(jī)發(fā)光晶體管將在后面參照?qǐng)D2進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0041]驅(qū)動(dòng)部200接收像素?cái)?shù)據(jù)(R，G，B)而生成對(duì)應(yīng)于此的柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn、數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、…、Dm及控制電壓CV并提供給顯示面板100，以驅(qū)動(dòng)顯示面板100。
[0042]驅(qū)動(dòng)部200可包含時(shí)序控制部210、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部220、柵極驅(qū)動(dòng)部230以及電壓生成部240。
[0043]時(shí)序控制部210接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)(R，G, B,)，并可對(duì)應(yīng)于此生成用于控制柵極驅(qū)動(dòng)部230的柵極驅(qū)動(dòng)部控制信號(hào)SCS和用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部220的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部控制信號(hào)DCS。雖然未圖示，時(shí)序控制部210還可生成用于控制電壓生成部240的信號(hào)。
[0044]柵極驅(qū)動(dòng)部23 0可接收柵極驅(qū)動(dòng)部控制信號(hào)SCS而生成對(duì)應(yīng)于此的柵極信號(hào)Gl、G2、-'Gn。
[0045]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部220可接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部控制信號(hào)DCS而生成對(duì)應(yīng)于此的數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、D2、…、Dm0
[0046]電壓生成部可生成控制電壓CV。控制電壓CV可以是固定的值。根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，控制電壓CV可以改變，且控制電壓CV的值可以被時(shí)序控制部210控制。
[0047]以下，將參照?qǐng)D2對(duì)有機(jī)發(fā)光晶體管進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0048]參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光晶體管Tl包含基板10、源電極20、漏電極30、有機(jī)半導(dǎo)體層40、柵電極60以及輔助電極70。
[0049]基板10可支撐有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的結(jié)構(gòu)。基板10可包含玻璃、金屬氧化物或氮化物之類(lèi)的無(wú)機(jī)化合物、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET, Polyethylene terephthalate)、聚醚砜(PES, Polyethersulfone)或聚碳酸酯(PC, Polycarbonate)之類(lèi)的合成樹(shù)脂、金屬或硅晶片等而形成。根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，當(dāng)有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的結(jié)構(gòu)可由除基板10之外的結(jié)構(gòu)充分地支撐時(shí)，基板10可以被省略。
[0050]有機(jī)半導(dǎo)體層40可被布置于基板10上。有機(jī)半導(dǎo)體層40可以由P型有機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)或η型有機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)形成。當(dāng)柵電極60與源電極20之間的電勢(shì)差的大小為閾值電壓以上時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體層40起到導(dǎo)體的功能，從而有機(jī)發(fā)光晶體管Tl可被接通。當(dāng)有機(jī)發(fā)光晶體管Tl被接通時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體層40從源電極20側(cè)接收空穴，或者可從漏電極30側(cè)接收電子，空穴或電子起到電荷的功能，從而在有機(jī)半導(dǎo)體層40上產(chǎn)生電流流動(dòng)。
[0051]源電極20和漏電極30可互相隔開(kāi)而布置于基板10上。源電極20和漏電極30分別被布置為與有機(jī)半導(dǎo)體層40接觸。在圖2中被示出為源電極20和漏電極30的上部及之間的區(qū)域被有機(jī)半導(dǎo)體層40覆蓋，但是，源電極20、漏電極30及有機(jī)半導(dǎo)體層40的布置可根據(jù)實(shí)施例而變形為多種。
[0052]柵電極60可布置為在有機(jī)半導(dǎo)體層40上與有機(jī)半導(dǎo)體層40疊置。柵電極60可以與有機(jī)半導(dǎo)體層40、源電極20以及漏電極30形成絕緣。柵電極60可被布置為與源電極20和漏電極30之間的有機(jī)半導(dǎo)體層40的區(qū)域疊置。有機(jī)發(fā)光晶體管Tl可響應(yīng)于施加到柵電極60的信號(hào)而被接通或斷開(kāi)。
[0053]輔助電極70可被布置為與源電極20或漏電極30疊置。輔助電極70可以與源電極20、漏電極30以及有機(jī)半導(dǎo)體層40形成絕緣。輔助電極70可包含第一輔助電極71以及第二輔助電極72。第一輔助電極71可以與源電極20疊置，第二輔助電極72可以與漏電極30疊置。
[0054]輔助電極70可被施加控制電壓CV。分別施加于第一輔助電極71以及第二輔助電極72的控制電壓CV可互不相同。控制電壓CV可控制注入到有機(jī)半導(dǎo)體層40的電荷的量。例如，當(dāng)向第一輔助電極71施加正極控制電壓CV時(shí)，從源電極20側(cè)至有機(jī)半導(dǎo)體層40，正極的空穴的注入可相對(duì)受到抑制。相反，當(dāng)向第一輔助電極71施加負(fù)極控制電壓CV時(shí)，從源電極20側(cè)至有機(jī)半導(dǎo)體層40，空穴的注入可得到提高。當(dāng)向第二輔助電極72施加正極控制電壓CV時(shí)，從漏電極30側(cè)至有機(jī)半導(dǎo)體層40，負(fù)極電荷的注入可得到提高。相反，當(dāng)向第二輔助電極72施加負(fù)極控制電壓CV時(shí)，從漏電極30側(cè)至有機(jī)半導(dǎo)體層40，電荷的注入可受到抑制。
[0055]當(dāng)向第一輔助電極71施加負(fù)極控制電壓CV，向第二輔助電極72施加正極控制電壓CV時(shí)，可提高朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的空穴及電子的投入，從而可提高有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的發(fā)光效率。當(dāng)向第一輔助電極71施加正極控制電壓CV，并向第二輔助電極72施加負(fù)極控制電壓CV時(shí)，可抑制朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的空穴及電子的注入，從而可降低有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的發(fā)光效率。
[0056]當(dāng)向第一輔助電極71和第二輔助電極72均施加正極控制電壓CV時(shí)，朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的空穴的注入受到抑制，而朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的電子的注入可得到提高。當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層40由P型有機(jī)半導(dǎo)體形成時(shí)，相比電子，空穴更容易注入到有機(jī)半導(dǎo)體層40，因此通過(guò)向第一輔助電極71和第二輔助電極72均施加正極控制電壓CV，從而使投入到有機(jī)半導(dǎo)體層40的電子和空穴的數(shù)量得到均衡，據(jù)此可提高電荷輸送的效率。
[0057]當(dāng)向第一輔助電極71和第二輔助電極72均施加負(fù)極控制電壓CV時(shí)，朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的空穴的注入得到提高，而朝向有機(jī)半導(dǎo)體層40的電子的注入可受到抑制。當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層40由η型有機(jī)半導(dǎo)體形成時(shí)，相比空穴，電子更容易注入到有機(jī)半導(dǎo)體層40，因此通過(guò)向第一輔助電極71和第二輔助電極72均施加負(fù)極控制電壓CV，從而使投入到有機(jī)半導(dǎo)體層40的電子和空穴的數(shù)的得到均衡，據(jù)此可提高電荷輸送的效率。
[0058]如上所述，有機(jī)發(fā)光晶體管Tl可對(duì)應(yīng)于施加到輔助電極70的控制電壓CV而控制有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的電荷投入量以及電荷輸送效率。因此，顯示裝置1000通過(guò)控制控制電壓CV而控制顯示面板100的各個(gè)像素PX所包含的有機(jī)發(fā)光晶體管Tl的特性，據(jù)此可控制顯示于顯示面板100的圖像。
[0059]有機(jī)發(fā)光晶體管Tl還可包含絕緣層50。絕緣層50可使有機(jī)半導(dǎo)體層40和柵電極60形成絕緣。絕緣層50還可使有機(jī)半導(dǎo)體層40和輔助電極70形成絕緣。絕緣層50可布置在有機(jī)半導(dǎo)體層40和柵電極60之間以及有機(jī)半導(dǎo)體層40與輔助電極70之間。
[0060]以下，參照?qǐng)D3對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0061]參照?qǐng)D3，相比于圖2的有機(jī)發(fā)光晶體管Tl，有機(jī)發(fā)光晶體管T2可不包含第二輔助電極72。即，有機(jī)發(fā)光晶體管T2作為輔助電極可以只包含第一輔助電極71。即便有機(jī)發(fā)光晶體管T2只包含作為輔助電極的第一輔助電極71，也可對(duì)應(yīng)于施加到第一輔助電極71的控制電壓CV而控制從源電極20側(cè)朝有機(jī)半導(dǎo)體層40注入的空穴的量，因此可控制有機(jī)發(fā)光晶體管T2的電荷投入量以及電荷輸送效率。
[0062]對(duì)于除此之外的構(gòu)成部分的說(shuō)明與圖2中關(guān)于具有相同的符號(hào)的構(gòu)成部分的說(shuō)明實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。
[0063]以下，參照?qǐng)D4對(duì)本發(fā)明的又一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖4為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0064]參照?qǐng)D4,相比于圖2的有機(jī)發(fā)光晶體管Tl,有機(jī)發(fā)光晶體管T3可不包含第一輔助電極71。即，有機(jī)發(fā)光晶體管T3作為輔助電極可以只包含第二輔助電極72。即便有機(jī)發(fā)光晶體管T3只包含作為輔助電極的第二輔助電極72，也可對(duì)應(yīng)于施加到第二輔助電極72的控制電壓CV而控制從漏電極30側(cè)朝有機(jī)半導(dǎo)體層40注入的電子的量，因此可控制有機(jī)發(fā)光晶體管T2的電荷投入量以及電荷輸送效率。
[0065]對(duì)于除此之外的構(gòu)成部分的說(shuō)明與圖2中關(guān)于具有相同的符號(hào)的構(gòu)成部分的說(shuō)明實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。
[0066]以下，參照?qǐng)D5對(duì)本發(fā)明的又一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖5為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0067]參照?qǐng)D5,有機(jī)發(fā)光晶體管T4可包含基板10、源電極20a、漏電極30a、有機(jī)半導(dǎo)體層40a、絕緣層50a、柵電極60a以及輔助電極70a。
[0068]輔助電極70a及柵電極60a可布置在基板10的上部，絕緣層50a可被布置為覆蓋輔助電極70a和柵電極60a的上部。在絕緣層50a的上部可布置有有機(jī)半導(dǎo)體層40a、源電極20a以及漏電極30a。對(duì)于除此之外的圖5的構(gòu)成部分的說(shuō)明與具有相同名稱(chēng)的圖2中的構(gòu)成部分的說(shuō)明實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。具有如圖5的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光晶體管T4可以以與圖2的有機(jī)發(fā)光晶體管Tl實(shí)質(zhì)相同的方式進(jìn)行工作。不僅僅是圖2和圖5，有機(jī)發(fā)光晶體管的結(jié)構(gòu)可以用除此之外的多種方法進(jìn)行變更。
[0069]輔助電極70a可包含第一輔助電極71a和第二輔助電極72a。根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，第一輔助電極71a可被省略，根據(jù)其他多個(gè)實(shí)施例，第二輔助電極72a可被省略。
[0070]以下，參照?qǐng)D6及圖7對(duì)本發(fā)明的又一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖6為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0071]顯示裝置1000a包含顯示面板IOOa和驅(qū)動(dòng)部200a。
[0072]驅(qū)動(dòng)部200a為了驅(qū)動(dòng)顯示面板100a，可生成第一柵極信號(hào)G1、G2、...、Gn及第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'而提供給顯示面板100a。驅(qū)動(dòng)部200a可包含生成第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn及第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、.'Gn'的柵極驅(qū)動(dòng)部230a。關(guān)于第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn及第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'，將在下面參照?qǐng)D7進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0073]顯示面板IOOa可接收第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn及第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'、數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、"^Dm及控制電壓CV而顯示對(duì)應(yīng)于此的圖像。顯示面板IOOa可包含多個(gè)像素PX。多個(gè)像素PX可對(duì)應(yīng)于第一柵極信號(hào)G1、G2、"^Gn及第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'、數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2、…、Dm及控制電壓CV而發(fā)光。多個(gè)像素PX作為發(fā)光元件可包含有機(jī)發(fā)光晶體管。
[0074]對(duì)于除此之外的顯示裝置1000a的構(gòu)成部分的說(shuō)明與具有相同符號(hào)的圖1的構(gòu)成部分的說(shuō)明實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。
[0075]以下，參照?qǐng)D7對(duì)包含于顯示面板IOOa的有機(jī)發(fā)光晶體管進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖7為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖面圖。
[0076]參照?qǐng)D7，有機(jī)發(fā)光晶體管T5可包含基板10、源電極20、漏電極30、有機(jī)半導(dǎo)體層40、絕緣層50、柵電極60a以及輔助電極70。
[0077]柵電極60a可包含相互隔開(kāi)的第一柵電極61和第二柵電極62。第一柵電極61可相鄰于源電極20而布置,第二柵電極62可相鄰于漏電極30而布置。第一柵電極61及第二柵電極62可被施加互不相同的電壓。例如，第一柵電極61可被施加對(duì)應(yīng)于第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn的電壓,第二柵電極62可被施加對(duì)應(yīng)于第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'的電壓。當(dāng)?shù)谝粬艠O信號(hào)Gl、G2、…、Gn為電壓的形態(tài)時(shí),對(duì)應(yīng)于第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn的電壓可以是與第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn相同的信號(hào),或者可以是第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn被處理的、依賴(lài)于第一柵極信號(hào)的電壓,而對(duì)應(yīng)于第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'的電壓與上述情形實(shí)質(zhì)相同。
[0078]向第二輔助電 極72施加高于第一輔助電壓71的電壓時(shí)，漏電極30可被施加相比源電極20低閾值電壓的電壓。在這種情形下，漏電極30與源電極20之間產(chǎn)生的電場(chǎng)的方向和第一輔助電極71與第二輔助電極72之間產(chǎn)生的電場(chǎng)的方向相反,從而可使有機(jī)半導(dǎo)體層40內(nèi)的電荷的移動(dòng)效率降低。此時(shí)，當(dāng)施加于第一柵電極61的電壓高于施加到第二柵電極62的電壓時(shí),第一柵電極61與第二柵電極62之間形成的電場(chǎng)的方向和第一輔助電極71與第二輔助電極72之間形成的電場(chǎng)的方向相反，從而將第一輔助電極71與第二輔助電極72之間產(chǎn)生的電場(chǎng)抵消，可提高有機(jī)半導(dǎo)體層40內(nèi)的電荷的移動(dòng)效率。如果施加于第一柵電極61的電壓低于施加到第二柵電極62的電壓，則使第一輔助電極71與第二輔助電極72之間產(chǎn)生的電場(chǎng)加強(qiáng)，從而可提高有機(jī)半導(dǎo)體層40內(nèi)的電荷的移動(dòng)效率。
[0079]第一柵電極61及第二柵電極62可施加互不相同的極性的電壓。例如，可以向第一柵電極61施加負(fù)的極性的電壓，向第二柵電極62施加正的極性的電壓。當(dāng)向第一柵極電極61施加負(fù)的極性的電壓時(shí)，可使從鄰近于第一柵極電極61的源電極20側(cè)朝有機(jī)半導(dǎo)體層40注入的空穴的數(shù)量上升。當(dāng)向第二柵極電極62施加正的極性的電壓時(shí)，可使從鄰近于第二柵極電極62的漏電極30側(cè)朝有機(jī)半導(dǎo)體層40注入的空穴的數(shù)量上升。因此，當(dāng)向第一柵電極61施加負(fù)的極性的電壓，向第二柵電極62施加正的極性的電壓時(shí)，可使注入到有機(jī)半導(dǎo)體層40的電荷的量上升。相反，當(dāng)向第一柵電極61施加正的極性的電壓，向第二柵電極62施加負(fù)的極性的電壓時(shí)，可使注入到有機(jī)半導(dǎo)體層40的電荷的量減少。
[0080]關(guān)于除此之外的有機(jī)發(fā)光晶體管T5所包含的構(gòu)成部分的說(shuō)明與具有相同名稱(chēng)的圖2的構(gòu)成部分實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。[0081]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，第一輔助電極71或第二輔助電極72也可被省略。
[0082]以下，參照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的又一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖8為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的顯示裝置的框圖。
[0083]參照?qǐng)D8，顯示裝置1000b可包含顯示面板IOOb和驅(qū)動(dòng)部200。
[0084]顯示面板IOOb可包含電壓變換部110。電壓變換部110可從第一柵極信號(hào)Gl、G2、…、Gn生成第二柵極信號(hào)Gl'、G2'、…、Gn'。例如，電壓變換部110可使第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn的極性反轉(zhuǎn),或降低第一柵極信號(hào)G1、G2、…、Gn的電平而生成第二柵極信號(hào) Gl'、G2'、...、Gn'。
[0085]以下，參照?qǐng)D9對(duì)電壓變換部110的一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖9為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的電壓變換部的電路圖。
[0086]電壓變換部110可包含串聯(lián)連接的第一電阻Rl和第二電阻R2。電壓變換部110可根據(jù)基于串聯(lián)連接的第一電阻Rl和第二電阻R2的電壓分配而降低第一柵極信號(hào)Gx的電平而生成第二柵極信號(hào)Gx'(其中，X為I以上η以下的任意的自然數(shù))。
[0087]再次參照?qǐng)D8，包含于顯示面板IOOb的多個(gè)像素PX所包含的有機(jī)發(fā)光晶體管可以與圖7的有機(jī)發(fā)光晶體管Τ5實(shí)質(zhì)相同。
[0088]除此之外， 關(guān)于顯示裝置1000b所包含的構(gòu)成部分的說(shuō)明與具有相同符號(hào)的圖2中的構(gòu)成部分的說(shuō)明實(shí)質(zhì)相同，因此將省略說(shuō)明。
[0089]以上參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，然而對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常的知識(shí)的技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的其技術(shù)思想或必要的特征的情況下，可實(shí)施為其他具體的形態(tài)。因此，以上說(shuō)明的實(shí)施例均為示例性的，并不是限制性的。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光晶體管,其中,包含: 基板； 有機(jī)半導(dǎo)體層，布置于所述基板上； 源電極和漏電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸且相互隔開(kāi)而布置； 柵電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極及漏電極形成絕緣，且被布置為與所述有機(jī)半導(dǎo)體層疊置；以及 輔助電極，與所述源電極或所述漏電極疊置。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，所述輔助電極與所述源電極疊置， 所述輔助電極被施加負(fù)的極性的電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，所述輔助電極與所述漏電極疊置， 所述輔助電極被施加正的極性的電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，所述輔助電極包含: 第一輔助電極，與所述源電極疊置； 第二輔助電極，與所述 漏電極疊置。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，施加于所述第一輔助電極的電壓及施加于所述第二輔助電極的電壓的極性相同。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，所述第一輔助電極被施加負(fù)的極性的電壓， 所述第二輔助電極被施加正的極性的電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中，所述柵電極包含: 第一柵電極，與所述源電極相鄰； 第二柵電極，與所述漏電極相鄰。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其中，施加于所述第一柵電極的電壓高于施加于所述第二柵電極的電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其中,施加于所述第一柵電極的電壓與施加于所述第二柵電極的電壓的極性互不相同。
10.一種顯示裝置，其中，包含: 顯示面板，包含多個(gè)有機(jī)發(fā)光晶體管；以及 驅(qū)動(dòng)部，用于驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光晶體管， 所述有機(jī)發(fā)光晶體管包含: 基板； 有機(jī)半導(dǎo)體層，布置于所述基板上； 源電極和漏電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸且相互隔開(kāi)而布置； 柵電極，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極及漏電極形成絕緣，且被布置為與所述有機(jī)半導(dǎo)體層疊置；以及 輔助電極，與所述源電極或所述漏電極疊置。
11.權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極與所述源電極疊置， 所述輔助電極被施加負(fù)的極性的電壓。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極與所述漏電極疊置，所述輔助電極被施加正的極性的電壓。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極包含: 第一輔助電極，與所述源電極疊置； 第二輔助電極，與所述漏電極疊置。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，施加于所述第一輔助電極的電壓及施加于所述第二輔助電極的電壓的極性相同。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述第一輔助電極被施加負(fù)的極性的電壓， 所述第二輔助電極被施加正的極性的電壓。
16.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述柵電極包含: 第一柵電極，與所述源電極相鄰； 第二柵電極，與所述漏電極相鄰。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，施加于所述第一柵電極的電壓高于施加于所述第二柵電極的電壓。
18.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，施加于所述第一柵電極的電壓與施加于所述第二柵電極的電壓的極性互不相同。
19.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)部生成用于施加到所述第一柵電極的第一柵極電壓和用于施加到所述第二柵電極的第二柵極電壓。
20.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)部包含電壓生成部，以用于提供施加到所述輔助電極的控制電壓。
【文檔編號(hào)】H01L51/05GK103794724SQ201310367397
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】金基棲 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司