太鼓減薄工藝的去環方法
【專利摘要】本發明公開了一種太鼓減薄工藝的去環方法，包括步驟：使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄；在晶圓的背面完成背面工藝；將晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環上；在距離晶圓的中間部分的外側邊緣的內側2毫米～10毫米處切割形成緩沖溝槽；采用環切工藝將支撐環切除或者磨平。本發明能降低環切步驟中的碎片率或完全防止環切步驟中的碎片。
【專利說明】太鼓減薄工藝的去環方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種太鼓(Taiko)減薄工藝的去環方法。
【背景技術】
[0002]Taiko減薄工藝是由日本DISCO公司開發的一種超薄減薄工藝,Taiko減薄工藝并不是對晶圓即硅片的整個平面都減薄，而是僅對晶圓的中間部分進行減薄，晶圓的邊緣部分不進行研磨減薄，不進行減薄的邊緣部分的寬度約為2毫米?5毫米并由該不進行減薄的邊緣部分形成支撐環。
[0003]一般當硅片薄到一定程度，且面積較大時，其機械強度大大下降，以8英寸硅片為例，當硅片厚度〈200微米時，硅片會發生卷曲，因此無法繼續進行搬送、轉移和加工。而采用Taiko減薄工藝之后，僅硅片的中間部分減薄，利用硅片的中間部分形成集成電路的器件；利用較厚的支撐環來保持整個硅片的機械強度，防止硅片發生卷曲，有利于后續工藝中對硅片的搬送、轉移和加工。
[0004]Taiko減薄工藝主要包含貼膜,減薄，揭膜，背面工藝，切割膜(Dicing tape)貼附，環切等步驟。
[0005]在其中的環切工藝步驟一般采用機械切割或激光切割將支撐環切除或采用研磨的方法將所述支撐環磨平。在現有環切工藝步驟中，很容易產生邊緣崩齒進而導致整片晶圓破碎，即現有環切工藝極容易發生在取環時候的碎片問題，某些產品碎片率更是高達10%左右。
【發明內容】
[0006]本發明所要解決的技術問題是提供一種太鼓減薄工藝的去環方法，能降低環切步驟中的碎片率或完全防止環切步驟中的碎片。
[0007]為解決上述技術問題，本發明提供的太鼓減薄工藝的去環方法包括如下步驟:
[0008]步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環。
[0009]步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝。
[0010]步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環上。
[0011]步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側邊緣的內側2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續環切工藝中產生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件。
[0012]步驟五、采用環切工藝將所述晶圓的所述支撐環切除或者磨平。
[0013]進一步的改進是，步驟一中對所述晶圓的中間部分進行背面減薄后的厚度為25微米?200微米。
[0014]進一步的改進是，步驟一中對所述支撐環的寬度為2毫米?5毫米。
[0015]進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽采用機械切割或者激光切割的方法形成。
[0016]進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米?200微米。
[0017]進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。
[0018]進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米?200微米。
[0019]進一步的改進是，所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
[0020]進一步的改進是，所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。
[0021]進一步的改進是，步驟五中的所述環切工藝采用機械切割或者激光切割的方法實現對所述支撐環的切除，或者步驟五中的所述環切工藝采用研磨的方式將所述支撐環磨平。
[0022]本發明通過在環切工藝之前形成一個緩沖溝槽，緩沖溝槽位于支撐環的內側，所以在對支撐環進行環切工藝時，緩沖溝槽位于支撐環的環切位置內側，即使在環切工藝中出現邊緣崩齒，緩沖溝槽能將邊緣崩齒的不利影響屏蔽在緩沖溝槽和支撐環之間的區域、并不會傳遞到形成有集成電路器件的晶圓的中間部分，所以不會使整片晶圓破碎，能降低環切步驟中的碎片率或完全防止環切步驟中的碎片。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明:
[0024]圖1是本發明實施例方法流程圖；
[0025]圖2A-圖2D是本發明實施例方法各步驟中晶圓結構示意圖。
【具體實施方式】
[0026]如圖1所示，是本發明實施例方法流程圖；如圖2A至圖2D所示，是本發明實施例方法各步驟中晶圓結構示意圖。本發明實施例太鼓減薄工藝的去環方法包括如下步驟:
[0027]步驟一、如圖2A所示，使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄，所述晶圓的中間部分Ia減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環lb。
[0028]所述晶圓的中間部分Ia用于形成集成電路器件。較佳為，所述晶圓的中間部分Ia進行背面減薄后的厚度為25微米?200微米，具體厚度可以根據集成電路器件的需要而進行調整。
[0029]所述支撐環Ib用于減薄后的所述晶圓進行支撐，防止所述晶圓發生卷曲，有利于對晶圓進行搬送、轉移和加工。較佳為，所述支撐環Ib的寬度為2毫米?5毫米。
[0030]步驟二、如圖2A所示，在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝。所述背面工藝通常包括濕法處理以及背面金屬沉積等步驟。
[0031]步驟三、如圖2A所示，將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶即切割膜(dicing tape) 2上并固定在劃片環3上。
[0032]較佳為，所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
[0033]所述切割膠帶為經過特殊處理后能夠很容易和所述晶圓分離的膠帶，如經過紫外線照射后很容易分離的紫外線照射膠帶(UV tape)，或者經過熱處理后很容易分離的熱敏膠帶。
[0034]步驟四、如圖2B所示，在距離所述晶圓的中間部分Ia的外側邊緣的內側2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽4，所述緩沖溝槽4采用機械切割或者激光切割的方法形成。
[0035]所述緩沖溝槽4的寬度和深度滿足能夠防止后續環切工藝中產生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件。
[0036]所述緩沖溝槽4的寬度為10微米?200微米。
[0037]所述緩沖溝槽4的深度能夠根據所述晶圓的中間部分Ia的厚度確定，理論上，所述緩沖溝槽4的深度大于等于所述晶圓的中間部分Ia減薄后的厚度；一般所述緩沖溝槽4的深度為30微米?200微米，只要能夠防止后續環切工藝中產生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件即可。圖2B中所述緩沖溝槽4的深度大于等于所述晶圓的中間部分Ia減薄后的厚度
[0038]步驟五、采用環切工藝將所述晶圓的所述支撐環Ib切除或者磨平。
[0039]本發明實施例方法的環切工藝是采用對所述晶圓的所述支撐環Ib切除的方法，首先，如圖2C所示，采用機械切割或者激光切割的方法對所述支撐環Ib的內側進行切割并形成闖過所述晶圓的中間部分Ia的切割槽5 ;之后，如圖2D所示，進行取環，即將切割分離后的支撐環Ib取出。
[0040]在其它實施例方法中環切工藝也能采用研磨工藝將所述支撐環Ib磨平。
[0041]由圖2C和圖2D可知，緩沖溝槽4位于支撐環Ib的環切位置即切割槽5內側，SP使在環切工藝中出現邊緣崩齒，緩沖溝槽4能將邊緣崩齒的不利影響屏蔽在緩沖溝槽4和支撐環Ib之間的區域、并不會傳遞到形成有集成電路器件的晶圓的中間部分la，所以不會使整片晶圓破碎，能降低或防止環切步驟中的碎片率。
[0042]以上通過具體實施例對本發明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環； 步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝； 步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環上； 步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側邊緣的內側2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續環切工藝中產生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件； 步驟五、采用環切工藝將所述晶圓的所述支撐環切除或者磨平。
2.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟一中對所述晶圓的中間部分進行背面減薄后的厚度為25微米?200微米。
3.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟一中對所述支撐環的寬度為2毫米?5毫米。
4.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽采用機械切割或者激光切割的方法形成。
5.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米?200微米。
6.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。
7.如權利要求1或6所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米?200微米。
8.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
9.如權利要求1或9所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。
10.如權利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環方法，其特征在于:步驟五中的所述環切工藝采用機械切割或者激光切割的方法實現對所述支撐環的切除，或者步驟五中的所述環切工藝采用研磨的方式將所述支撐環磨平。
【文檔編號】H01L21/02GK104517804SQ201410363960
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年7月29日 優先權日:2014年7月29日
【發明者】郁新舉, 劉瑋蓀, 黃錦才 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司