本公開至少一實施例涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術：

通常技術中，顯示基板中包括多個絕緣層，在制作絕緣層圖形(絕緣層的過孔)時，容易產生靜電，而靜電易對金屬結構造成不良。

技術實現要素：

本公開的至少一實施例涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置，以避免在顯示基板的制作過程中靜電荷導致的不良的發生。

本公開的至少一實施例提供一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成第一金屬圖形；

在所述第一金屬圖形上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二金屬圖形；

在所述第二金屬圖形上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成第一導電層；

對所述第一導電層進行構圖形成第一導電圖形；

對所述第二絕緣層進行構圖形成第二絕緣圖形；其中，

所述第一金屬圖形在所述襯底基板上的正投影和所述第二金屬圖形在所述襯底基板上的正投影具有重疊部分；

在對所述第二絕緣層進行構圖的過程中，所述第一導電圖形在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述重疊部分。

本公開的至少一實施例提供一種顯示基板，采用本公開至少一實施例提供的方法形成。

本公開的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括本公開至少一實施例提供的顯示基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1a為一種顯示基板區域劃分；

圖1b為顯示基板的周邊區域的局部示意圖；

圖2為本公開實施例1提供的一種顯示基板的制作方法流程圖；

圖3A-3M為本公開實施例1提供的一種顯示基板的制作方法示意圖，左邊為沿圖1b中A-B的剖視圖，右邊為沿圖1b中C-D的剖視圖；

圖4A、4B、4C為本公開實施例2提供的包括第四絕緣圖形的顯示基板的制作方法部分步驟的示意圖；

圖5為顯示基板以及顯示基板的顯示區示意圖；

圖6A-6L為本公開實施例3提供的一種顯示基板的制作方法示意圖，左邊為沿圖5中E-F的剖視圖，右邊為沿圖5中G-H的剖視圖；

圖7為本公開實施例4提供的方法形成的設置有第四絕緣層的顯示基板；

圖8為本公開實施例6提供的方法形成的另一種顯示基板。

附圖標記：

001-顯示區；002-周邊區；100-襯底基板；101-第一金屬圖形；102-第二金屬圖形；103-(周邊區域的)重疊部分；1030-(顯示區域的)重疊部分；1011-第一端；1021-第二端；111-柵極絕緣層；111-第一絕緣層；112-第二絕緣層；113-第一導電層；114-第一光刻膠層；1140-第一光刻膠圖形；1130-第一導電圖形；1131-第一導電圖形中的第一覆蓋部；1132-第一導電圖形中的第一導電部；1120-第二絕緣圖形；1110-第一絕緣圖形；1150-第二光刻膠圖形；116-第三絕緣層；1160-第三絕緣圖形；1170-第二導電圖形；1171-第一連接結構；1180-第四絕緣圖形；119-有源層；1012-柵線；1013-柵極；1022-數據線；119-有源層；1023-源極；1024-漏極；1172-第二連接結構；1173-第二電極；1133-第二覆蓋部；1134-第一電極；131-像素電極；132-公共電極；0010-子像素。

具體實施方式

為使本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。

例如，通常的顯示基板可包括形成在襯底基板的多個金屬層，多個金屬層中的金屬圖形中在垂直于襯底基板的方向上會具有重疊區域，而在后續的絕緣層過孔的制作過程中，產生的靜電會對已有的金屬結構尤其是重疊區域造成影響，例如擊穿兩個金屬層例如重疊區域的金屬層之間的絕緣層，從而產生不良。例如，多個金屬層包括SD層和gate層。SD層例如包括數據線、源極和漏極中的至少一個或與數據線、源極和漏極中的至少一個同層形成的金屬結構，gate層例如包括柵極和柵線中的至少一個或與柵極和柵線中的至少一個同層形成的金屬結構，但不限于此。SD層和gate層中存在上述重疊區域，從而易有因靜電帶來的不良產生。

本公開的至少一實施例提供一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成第一金屬圖形；

在第一金屬圖形上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層上形成第二金屬圖形；

在第二金屬圖形上形成第二絕緣層；

在第二絕緣層上形成第一導電層；

對第一導電層進行構圖形成第一導電圖形；

對第二絕緣層進行構圖形成第二絕緣圖形；其中，

第一金屬圖形在襯底基板上的正投影和第二金屬圖形在襯底基板上的正投影具有重疊部分；

在對第二絕緣層進行構圖的過程中，第一導電圖形在襯底基板上的正投影至少覆蓋重疊部分。

本公開的至少一實施例提供一種顯示基板的制作方法，可以避免在顯示基板的制作過程中靜電荷導致的不良的發生。

如圖1a所示，通常顯示基板包括顯示區001和設置在顯示區001至少一側的周邊區002，圖1a中以周邊區002圍繞顯示區001設置為例進行說明，但不限于此。本實施例的方法適用于顯示區001和周邊區002至少之一。周邊區因為布線更加密集，在絕緣圖形(絕緣層過孔)制作過程中更易產生靜電，效果也更明顯。

以下根據幾個具體的實施例進行說明。

實施例1

圖1b中示出了周邊區域002內的部分區域的平面示意圖，圖1b中在襯底基板100上設置有第一金屬圖形101和第二金屬圖形102，第一金屬圖形101和第二金屬圖形102之間絕緣設置，例如可在第一金屬圖形101所在的層和第二金屬圖形102所在的層之間設置有絕緣層。第一金屬圖形101在襯底基板100上的投影和第二金屬圖形102在襯底基板100上的投影存在重疊部分103。在顯示基板的制作方法中，重疊部分103位置處易因靜電引起不良產生。

如圖2、圖3A、3D-3E所示，本實施例提供一種顯示基板的制作方法，包括如下步驟。

如圖3A所示，在襯底基板100上形成第一金屬圖形101；在第一金屬圖形101上形成第一絕緣層111；在第一絕緣層111上形成第二金屬圖形102；在第二金屬圖形102上形成第二絕緣層112；在第二絕緣層112上形成第一導電層113。

如圖3D所示，對第一導電層113進行構圖形成第一導電圖形1130。

如圖3E所示，對第二絕緣層112進行構圖形成第二絕緣圖形1120。

如圖3E所示，第一金屬圖形101在襯底基板100上的正投影和第二金 屬圖形102在襯底基板100上的正投影具有重疊部分103。

在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第一導電圖形1130在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分103。

因在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第一導電圖形1130在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分103，從而第一導電圖形1130可以分散對第二絕緣層112進行構圖的過程中產生的靜電荷，避免產生因靜電荷帶來的不良。

如圖3F所示，一些示例中，還包括對第一絕緣層111進行構圖形成第一絕緣圖形1110，在對第一絕緣層111進行構圖的過程中，第一導電圖形1130在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分103。同樣，因在第一絕緣圖形1110制作過程中，重疊部分103被第一導電圖形1130覆蓋，第一導電圖形1130可以分散對第一絕緣層111進行構圖的過程中產生的靜電荷，可避免產生因靜電荷帶來的不良。

如圖1b和圖3F所示，一些示例中，第一金屬圖形101還包括第一端1011，第二金屬圖形102還包括第二端1021，第一導電圖形1130包括相互獨立的第一覆蓋部1131和第一導電部1132，第一覆蓋部1131在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分103；第一導電圖形1130、第二絕緣圖形1120和第一絕緣圖形1110中包括貫穿第一導電層113、第二絕緣層112和第一絕緣層111并暴露第一端1011的第一過孔121以及貫穿第一導電層113、第二絕緣層112并暴露第二端1021的第二過孔122。相互獨立的第一覆蓋部1131和第一導電部1132例如是指第一覆蓋部1131和第一導電部1132不電連接。

如圖3B-3D所示，一些示例中，對第一導電層113進行構圖形成第一導電圖形1130包括如下步驟。

如圖3B所示，在第一導電層113上形成第一光刻膠層114。

如圖3C所示，對第一光刻膠層114進行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖形1140，第一光刻膠圖形1140中被去除區域包括對應第一過孔121和第二過孔122位置處的區域。

如圖3D所示，以第一光刻膠圖形1140為掩膜對第一導電層113進行刻蝕，形成第一導電圖形1130。

如圖3E-3F所示，一些示例中，對第二絕緣層112進行構圖形成第二絕 緣圖形1120以及對第一絕緣層111進行構圖形成第一絕緣圖形1110包括如下步驟。

如圖3E所示，以第一光刻膠圖形1140為掩膜對第二絕緣層112進行刻蝕，形成第二絕緣圖形1120。

如圖3F所示，以第一光刻膠圖形1140為掩膜對第一絕緣層111進行刻蝕，形成第一絕緣圖形1110。

一些示例中，形成第一絕緣圖形1110后，還包括去除第一光刻膠圖形1140，形成如圖3G所示的結構。

如圖3H-3I所示，一些示例中，去除第一光刻膠圖形1140之后，還包括形成第二光刻膠圖形1150，并以第二光刻膠圖形1150為掩膜對第一導電圖形1130進行構圖，去除第一導電圖形1130中的第一覆蓋部1131，保留第一導電圖形1130中的第一導電部1132。例如，形成第二光刻膠圖形1150包括形成第二光刻膠層(在圖3G所示的結構上形成第二光刻膠層)，對第二光刻膠層進行曝光、顯影，形成第二光刻膠圖形1150。

如圖3J所示，一些示例中，還包括去除第二光刻膠圖形1150。

如圖3K-3L所示，一些示例中，形成第二絕緣圖形1120和第一絕緣圖形1110之后，還包括形成第三絕緣層116并對第三絕緣層116進行構圖形成第三絕緣圖形1160，第三絕緣圖形1160、第一導電圖形1130、第二絕緣圖形1120以及第一絕緣圖形1110中包括：對應第一過孔121位置處貫通第三絕緣層116、第一導電層113、第二絕緣層112以及第一絕緣層111并暴露第一端1011的第三過孔123，以及對應第二過孔122位置處貫通第三絕緣層116、第一導電層113、第二絕緣層112并暴露第二端1021的第四過孔124。

如圖3M所示，一些示例中，形成第三絕緣圖形1160后，還包括形成第二導電圖形1170，第二導電圖形1170包括第一連接結構1171，第一連接結構1171通過第三過孔123和第四過孔124將第一端1011和第二端1021電連接。例如，形成第二導電圖形1170包括：形成第二導電層(在圖3L所示結構的基礎上形成第二導電層)，在第二導電層上形成第三光刻膠層，對第三光刻膠層進行曝光、顯影，形成第三光刻膠圖形，以第三光刻膠圖形為掩膜對第二導電層進行刻蝕，形成第二導電圖形。

如圖3M所示，一些示例中，第一連接結構1171將在第三過孔123和第四過孔124位置處斷開的第一導電部1132電連接。從而，第一導電部1132 經第三過孔123和第四過孔124處的第一連接結構1171將第一端1011和第二端1021電連接，可增加第一端1011和第二端1021電連接的穩定性。

一些示例中，第一導電圖形1130的材質包括透明導電金屬氧化物、金屬中至少之一。透明導電金屬氧化物例如包括氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)，但不限于此。

一些示例中，第二導電圖形1170的材質包括透明導電金屬氧化物，但不限于此。

一些示例中，第一絕緣層111、第二絕緣層112和第三絕緣層116至少一個的材質包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化鋁中的至少一個，但不限于此。

一些示例中，第一金屬圖形101可通過形成第一金屬層，對第一金屬層進行構圖工藝形成，第二金屬圖形102可通過形成第二金屬層，對第二金屬層進行構圖工藝形成，但不限于此。例如，第一金屬圖形101和第二金屬圖形102包括鉬(Mo)、鉬鈮合金、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鈦(Ti)和銅(Cu)中的任一種形成的單層結構，或為采用鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)、鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)形成子層得到的疊層結構，但不限于此。

在本公開的實施例中，構圖或構圖工藝可只包括光刻工藝，或包括光刻工藝以及刻蝕步驟，或者可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝。光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程，利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形。可根據本公開的實施例中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。

實施例2

本實施例提供的顯示基板的制作方法與實施例1的不同之處在于：如圖4A所示，還包括形成位于第二絕緣層112之上的第四絕緣圖形1180，第四絕緣圖形1180材質包括樹脂，進一步例如包括亞克力樹脂或聚酰亞胺樹脂，但不限于此。

例如，形成第四絕緣圖形1180包括：形成第四絕緣層，在第四絕緣層上形成第四光刻膠層，對第四光刻膠層進行曝光、顯影，形成第四光刻膠圖形，以第四光刻膠圖形為掩膜對第四絕緣層進行刻蝕，形成第四絕緣圖形1180。

圖4B示出了形成的第一過孔121和第二過孔122。圖4C示出了形成的 第三絕緣圖形以及第一連接結構1171。本實施例的圖4A可與圖3A的步驟對應，圖4B可與圖3G的步驟對應，圖4C可與圖3M的步驟對應，只是多設置了第四絕緣圖形1180，可對應參照圖3A-3M。

其余可參照實施例1，在此不再贅述。

實施例3

本實施例提供的顯示基板的制作方法中，只顯示區采用本公開的方法。此情況下，第一導電圖形1130的材質可選用透明導電金屬氧化物，但不限于此。圖5示示出了顯示基板以及顯示區的結構示意圖。

如圖5、6A-6L所示，本實施例提供的顯示基板的制作方法包括如下步驟。

如圖6A所示，在襯底基板100上形成第一金屬圖形101；在第一金屬圖形101上形成第一絕緣層111；在第一絕緣層111上形成第二金屬圖形102；在第二金屬圖形102上形成第二絕緣層112；在第二絕緣層112上形成第一導電層113。一些示例中，第一金屬圖形101包括柵極1013，第二金屬圖形102包括源極1023和漏極1024，在第一絕緣層111和第二金屬圖形102之間對應柵極1013位置處還形成有源層119的圖形。

如圖6D所示，對第一導電層113進行構圖形成第一導電圖形1130。

如圖6E所示，對第二絕緣層112進行構圖形成第二絕緣圖形1120。

如圖5、圖6E所示，第一金屬圖形101在襯底基板100上的正投影和第二金屬圖形102在襯底基板100上的正投影具有重疊部分1030。

如圖6D、6E所示，在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第一導電圖形1130在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分103。

因在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第一導電圖形1130在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分1030，從而第一導電圖形1130可以分散對第二絕緣層112進行構圖的過程中產生的靜電荷，避免產生因靜電荷帶來的不良。

一些示例中，第一金屬圖形101、第二金屬圖形102和第一導電圖形1130和第二導電圖形1170位于顯示區001，顯示區001包括柵線1012和數據線1022，第一金屬圖形101和第二金屬圖形102之一包括柵線1012，另一個包括數據線1022，柵線1012在襯底基板100上的正投影和數據線1022在襯底基板100上的正投影具有重疊部分1030。例如，如圖5所示，多條柵線1012 相互平行，多條數據線1022相互平行。多條柵線1012和多條數據線1022相互交叉且彼此絕緣，并限定出多個子像素0010。需要說明的是，此處只是例舉，顯示區亦可為其他結構。

薄膜晶體管按照柵極相對于有源層位置可以分為頂柵和底柵結構，按照源漏電極相對于有源層位置可分為頂接觸和底接觸結構。需要說明的是，本公開的實施例以底柵結構的薄膜晶體管為例進行說明，但亦可采用頂柵結構的薄膜晶體管，本公開的實施例以頂接觸結構的薄膜晶體管為例進行說明，但亦可采用底接觸的薄膜晶體管，本公開的實施例對此不作限定。

一些示例中，如圖6D、6E所示，顯示區的第一導電圖形1130包括第二覆蓋部1133和第二導電部1134，在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第二覆蓋部1133在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分1030。在對第二絕緣層112進行構圖的過程中，第二覆蓋部1133在襯底基板100上的正投影至少覆蓋重疊部分1030。

如圖6J-6L所示，一些示例中，形成第二絕緣圖形1120之后，還包括形成第三絕緣層116并對第三絕緣層116進行構圖形成第三絕緣圖形1160，第一金屬圖形101和第二金屬圖形102之一還包括漏極1024，第一絕緣層111、第二絕緣層112和第三絕緣層116中至少兩層中包括對應漏極1024位置處并暴露漏極1024的第五過孔125。

如圖6L所示，一些示例中，形成第三絕緣圖形1160后，還包括形成第二導電圖形1170，第二導電圖形1170包括第二連接結構1172和第二電極1173。通過第五過孔125，第二連接結構1172將漏極1024和第一電極1134電連接，形成像素電極131與漏極1024電連接的結構，第二電極1173為公共電極132。圖6L中的第二導電圖形除了第二連接結構1172外的部分為公共電極132。

需要說明的是，第五過孔貫穿的絕緣層的個數依照像素電極與漏極之間設置的絕緣層的個數而定。本公開對設置的絕緣層的個數不做限定，絕緣層的個數可依據需要而定。

如圖6B-6D所示，一些示例中，對第一導電層113進行構圖形成第一導電圖形1130包括：

如圖6B所示，在第一導電層113上形成第一光刻膠層114；

如圖6C所示，對第一光刻膠層114進行曝光、顯影，形成第一光刻膠 圖形1140，第一光刻膠圖形1140中被去除區域包括對應第五過孔121位置處的區域；

如圖6D所示，以第一光刻膠圖形1140為掩膜對第一導電層113進行刻蝕，形成第一導電圖形1130。

如圖6E所示，一些示例中，對第二絕緣層112進行構圖形成第二絕緣圖形1120包括：以第一光刻膠圖形1140為掩膜對第二絕緣層112進行刻蝕，形成第二絕緣圖形1120。

一些示例中，還包括去除第一光刻膠圖形1140，形成如圖6F所示的結構。

如圖6G-6H所示，一些示例中，去除第一光刻膠圖形1140之后，還包括形成第二光刻膠圖形1150，并以第二光刻膠圖形1150為掩膜對第一導電圖形1130進行構圖，去除第一導電圖形1130中的第二覆蓋部1133，保留第一導電圖形1130中的第二導電部1134。例如，形成第二光刻膠圖形1150包括形成第二光刻膠層(在圖6F所示的結構上形成第二光刻膠層)，對第二光刻膠層進行曝光、顯影，形成第二光刻膠圖形1150。

如圖6I所示，一些示例中，還包括去除第二光刻膠圖形1150。

有關第一導電圖形1130、第二導電圖形1170、第一金屬圖形101、第二金屬圖形102的材質可參見實施例1，在此不再贅述。

一些示例中，薄膜晶體管的有源層119的材質包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導體等，進一步氧化物半導體例如包括氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)和氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)，但不限于此。例如，有源層采用氧化物半導體時，源漏極所在的層和有源層之間可以設置刻蝕阻擋層，以避免在源漏極的濕法刻蝕過程中刻蝕液對有源層的損傷，但本公開的實施例并不限于此。本公開的實施例對于有源層119的材質不作限定。

實施例4

如圖7所示，本實施例與實施例3的不同之處在于：顯示基板包括第四絕緣圖形1180。第四絕緣圖形1180中包括貫穿第四絕緣層的第五過孔125。

實施例5

在實施例1和/或實施例2的基礎上，本實施例中顯示區001和周邊區均采用本公開的方法，采用第一導電圖形來分散在制作過程中產生的靜電荷。

例如，實施例1和/或實施例2中所述的第一金屬圖形101、第二金屬圖形102、第一導電圖形1130和第二導電圖形1170位于周邊區002，并結合實施例3或4，即為本實施例的內容。如圖6A-6L所示，顯示區包括多條柵線1012、多條數據線1022、柵極1013、源極1023和漏極1024。

例如，柵極1013與第一金屬圖形101和第二金屬圖形102之一同層形成，漏極1024與第一金屬圖形101和第二金屬圖形102中另一個同層形成，第一電極1134與第一導電圖形1130同層形成，第二電極1173與第二導電圖形1170同層形成。

需要說明的是，本實施例中的以圖6A-6E分別對應圖3A-3E的步驟，圖6F-6L分別對應圖3G-3M的步驟為例進行說明。即圖6A對應圖3A，圖6B對應圖3B，以此類推。雖然在之前形成步驟稍有不同(圖6A中形成有薄膜晶體管的有源層119)，但在后續的步驟中除了顯示區域不需要對第一絕緣層進行圖形化外均可相互對應(第一絕緣層進行圖形化僅在周邊區進行)。具體步驟請參照圖3A-3M、圖6A-6L。

需要說明的是，本實施例也可以不設置第二覆蓋部1133。僅周邊區域的重疊部分被第一導電圖形覆蓋即可。

實施例6

本實施例與實施例5的區別在于：調整了顯示區的第一導電圖形和第二導電圖形的圖形結構，并且設置了第四絕緣圖形1180。有關第四絕緣圖形1180可參照之前描述。

如圖8所示，一些示例中，第一電極1134為公共電極132，第二電極1173為像素電極131。

實施例7

本實施例提供的顯示基板，采用實施例1-6中所述的任一方法形成。顯示基板例如可為陣列基板。

實施例8

本實施例提供的顯示裝置，包括實施例7所述的任一顯示基板。

例如，顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數碼相機、手機、手表、平板電腦、筆記本電腦、導航儀等任何具有顯示功能的產品或者部件。

有以下幾點需要說明：

(1)除非另作定義，本公開的實施例以及附圖中同一標號代表同一含義。

(2)本公開實施例附圖中，只涉及到與本公開實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。

(3)為了清晰起見，在用于描述本公開的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大。可以理解，當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(4)在不沖突的情況下，本公開的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本公開揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護范圍之內。因此，本公開的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。