技術特征：

技術總結
一種半導體封裝件，包括第一半導體器件、垂直設置在第一半導體器件上方的第二半導體器件，以及接地屏蔽傳輸路徑。接地屏蔽傳輸路徑將第一半導體器件連接至第二半導體器件。接地屏蔽傳輸路徑包括第一信號路徑，其在第一端和第二端之間縱向延伸。第一信號路徑包含導電材料。第一絕緣層設置在所述信號路徑上方，并縱向位于所述第一端和所述第二端之間。第一絕緣層包含電絕緣材料。接地屏蔽層設置在所述絕緣材料上方，并縱向位于所述信號路徑的所述第一端和所述第二端之間。所述接地屏蔽層包含連接至地面的導電材料。接地屏蔽層將其中接收的輻射信號導入地面，以防止第一信號路徑中的感應噪音。本發明實施例涉及3D集成電路的同軸通孔和新式高隔離交叉耦合方法。

技術研發人員：郭豐維;廖文翔;周淳樸;陳煥能;卓聯洲;沈武
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：2016.12.14
技術公布日：2017.09.29