1.一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，包括經過一次ELA后，對多晶硅薄膜表面進行Ar離子植入。
2.根據權利要求1所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，對多晶硅薄膜表面進行Ar離子植入的方法包括采用含有Ar離子的離子束對多晶硅薄膜表面進行轟擊。
3.根據權利要求2所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，獲得所述離子束的方法包括通過燈絲來產生電子束，利用該電子束轟擊離子源，以產生含有Ar離子的離子束。
4.根據權利要求2或3所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，采用離子束對多晶硅薄膜表面進行轟擊前，對所述的離子束中不同質量的離子進行分離，然后濾掉雜質離子。
5.根據權利要求1所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，在植入Ar離子的同時，還向多晶硅薄膜表面植入金屬元素。
6.根據權利要求5所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，所述的金屬元素為Cu。
7.根據權利要求5所述的一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法，其特征在于，所述的金屬元素為In。
8.一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的裝置，包括電子束產生裝置和離子源，電子束產生裝置用于產生電子束，所述電子束用于轟擊離子源，以產生含有Ar離子的離子束。
9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述電子束產生裝置采用多個燈絲實現，所述多個燈絲均勻分布。
10.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括質量分離磁場，所述質量分離磁場用于將離子源產生的不同質量的離子進行分離。