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一種準分子激光退火后對多晶硅薄膜表面粗糙度進行改善的方法及裝置與流程

文檔序號:12477908閱讀:來源:國知局
技術總結
本發明提供了一種ELA后對多晶薄膜表面粗糙度進行改善的方法和裝置。本發明提供的方法包括經過一次ELA后,對多晶薄膜表面進行Ar離子植入。本發明提供的裝置包括電子束產生裝置和離子源,電子束產生裝置用于產生電子束,所述電子束用于轟擊離子源,以產生含有Ar離子的離子束。與傳統方法相比,通過本發明獲得的多晶薄膜粗糙度得到大幅度改善,且生產時間短,成本低,對多晶薄膜的電性沒有漂移影響,適用于LTPS、OLED、TFT、LCD以及AMOLED等生產。

技術研發人員:呂明仁
受保護的技術使用者:武漢華星光電技術有限公司
文檔號碼:201611191016
技術研發日:2016.12.21
技術公布日:2017.05.31

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