發明構思的示例性實施例涉及一種有機發光顯示設備。更具體地，發明構思的示例性實施例涉及一種具有鏡面功能和顯示功能的有機發光顯示設備。

背景技術：

顯示裝置利用發光的像素來顯示圖像。有機發光顯示裝置包括具有有機發光二極管(oled)的像素。oled發光，光的波長取決于包括在oled中的有機材料。例如，oled包括與紅色光、綠色光和藍色光中的一種對應的有機材料。有機發光顯示裝置通過將有機材料發射的光混合來顯示圖像。

近來，由于顯示器的更廣泛的使用范圍，對于具有鏡面功能和顯示功能的顯示設備的需求已經增加了。另外，已經研制出了具有位于顯示設備的邊界(例如，顯示設備的邊框)上的相機的顯示設備。在這種情況下，相機不能拍攝位于顯示設備前面的物體的精確前視照片圖像。因此，相機拍攝的照片圖像會不自然。

技術實現要素：

發明構思的一個或更多個示例性實施例提供了一種具有鏡面功能和顯示功能的顯示設備，所述顯示設備能拍攝位于所述顯示設備前面的物體的前視照片圖像。

根據發明構思的示例性實施例，一種有機發光顯示設備包括沿著第一方向和第二方向以4×2的矩陣構造布置的第一像素至第八像素，并包括設置為拍攝照片的相機。第一像素至第八像素中的每個像素在第一方向上具有寬度并在第二方向上具有長度。第一像素至第八像素中的每個像素具有發光結構和限定與發光結構對準的開口的第一鏡面圖案。第一鏡面圖案在彼此相鄰的每兩個或更多個像素中限定一個透射窗，其中，透射窗透射光，相機設置為通過透射窗拍攝照片。

在示例性實施例中，透射窗與相鄰的透射窗之間的距離可以大于所述寬度和所述長度。

在示例性實施例中，所述4×2的矩陣包括兩個2×2的矩陣，每個2×2的矩陣包括四個像素，在每個2×2的矩陣中形成有一個透射窗。

在示例性實施例中，透射窗可以分別形成在每個2×2的矩陣中的第一個像素中。

在示例性實施例中，透射窗可以分別形成在第一像素和第七像素中。

在示例性實施例中，在彼此相鄰的每兩個或更多個像素中可以形成有一個透射窗。

在示例性實施例中，透射窗可以分別形成在第一像素、第三像素、第六像素和第八像素中。

在示例性實施例中，透射窗可以是形成在第一鏡面圖案處的開口。

在示例性實施例中，有機發光顯示設備還可以包括設置為與第一鏡面圖案和第一鏡面圖案的開口疊置的第二鏡面層。

在示例性實施例中，相機可以設置為與所述透射窗的中心重合。

在示例性實施例中，透射窗可以具有正方形形狀。

在示例性實施例中，透射窗的正方形形狀的每個邊緣可以被倒圓。

在示例性實施例中，透射窗的被倒圓的邊緣的半徑可以等于或大于透射窗的邊的直線的長度。

在示例性實施例中，透射窗可以具有圓形形狀。

根據本發明構思的示例性實施例，一種有機發光顯示設備包括：基體基底；發光結構，設置在基體基底的上表面上；密封基底，面對基體基底；第一鏡面圖案，設置在密封基底上，限定與發光結構疊置的開口，并限定通過其透射光的透射窗；相機，設置為通過透射窗拍攝照片，并設置在基體基底的下表面上。透射窗具有邊緣被倒圓的形狀。

在示例性實施例中，透射窗可以具有邊緣被倒圓的正方形形狀。

在示例性實施例中，透射窗的被倒圓的邊緣的半徑可以等于或大于透射窗的邊的直線的長度。

在示例性實施例中，在彼此相鄰的每兩個或更多個像素中可以形成有一個透射窗。

在示例性實施例中，在2×2的矩陣中每四個像素可以形成有一個透射窗。

在示例性實施例中，透射窗可以具有圓形形狀。

根據本發明構思的示例性實施例，一種有機發光顯示設備包括具有透射窗的第一鏡面圖案和相機。所述第一鏡面圖案可以在彼此相鄰的每兩個或更多個像素中限定一個透射窗，使得兩個相鄰的透射窗之間的距離大于在每個像素中有透射窗的裝置的兩個相鄰的透射窗之間的距離。因此，可以減小相機拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

另外，透射窗可以具有邊緣被倒圓的形狀，使得可以減小相機拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述發明構思的示例性實施例，發明構思的上述和其他特征將變得更清楚，在附圖中：

圖1是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

圖2是沿著圖1的線i-i'截取的剖視圖。

圖3是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

圖4是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

圖5a至圖10b是示出與依據根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的透射窗的形狀的衍射程度有關的模擬圖像的圖。

圖11是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細地解釋發明構思。

圖1是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。圖2是沿著圖1的線i-i'截取的剖視圖。

參照圖1，有機發光顯示設備包括沿著第一方向d1和與第一方向d1交叉的第二方向d2以矩陣構造來布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以與第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素px5可以設置為在第二方向d2上與第一像素px1相鄰。第六像素px6可以設置為在第二方向d2上與第二像素px2相鄰。第七像素px7可以設置為在第二方向d2上與第三像素px3相鄰。第八像素px8可以設置為在第二方向d2上與第四像素px4相鄰。每個像素可以在第一方向d1上具有寬度w，在第二方向d2上具有高度h。

有機發光顯示設備可以包括第一鏡面圖案mr1。第一鏡面圖案mr1可以限定透射光的透射窗tw和與發光結構150對準的開口op。如在這里使用的，兩個部件彼此“對準”意指它們至少部分地排成一行使得與基體基底100的表面基本正交的假想線穿過這兩個部件。

透射窗tw可以是形成在第一鏡面圖案mr1處的開口，并且可以具有正方形形狀。透射窗tw可以形成在每四個像素中。透射窗tw的尺寸可以是在每個像素中具有透射窗的裝置的透射窗的尺寸的四倍。根據本示例實施例，透射窗tw可以分別形成在第一像素px1中和第三像素px3中。

兩個相鄰的透射窗tw之間的距離dt大于像素的寬度w并且大于像素的高度h。因此，兩個相鄰的透射窗tw之間在第一方向d1上的距離dt大于寬度w，兩個相鄰的透射窗tw之間在第二方向d2上的距離大于高度h。

在本示例實施例中，兩個相鄰的透射窗tw之間的距離大于寬度w和高度h，使得兩個相鄰的透射窗tw之間的距離大于現有技術的距離。因此，可以減小相機300拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

參照圖2，有機發光顯示設備可以包括基體基底100、緩沖層110、有源圖案act、第一絕緣層120、薄膜晶體管tft、第二絕緣層130、平坦化層140、第一電極el1、像素限定層pdl、發光結構150、第二電極el2、密封基底200、第一鏡面圖案mr1、第二鏡面圖案mr2和相機300。

基體基底100可以包括透明絕緣基底。例如，基體基底100可以包括玻璃基底、石英基底、透明樹脂基底等。用于基體基底100的透明樹脂基底的示例可以包括聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚醚類樹脂、含磺酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂等。

緩沖層110可以設置在基體基底100上。緩沖層110可以防止金屬原子和/或雜質從基體基底100擴散。另外，緩沖層110可以調整用于有源圖案act的連續結晶工藝的熱傳遞速率，從而獲得基本均勻的有源圖案act。在基體基底100可能具有相對不規則的表面的情況下，緩沖層110可以改善基體基底100的表面的平坦度。緩沖層110可以使用硅化合物形成。例如，緩沖層110可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、氮碳化硅(sicxny)等。可以單獨使用或以其混合使用這些材料。緩沖層110可以具有單層結構或多層結構。例如，緩沖層110可以具有單層結構，該單層結構包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜或氮碳化硅膜。可選擇地，緩沖層110可以具有多層結構，該多層結構包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜、氮碳化硅膜等中的至少兩種。

有源圖案act可以設置在緩沖層110上。有源圖案act可以包括作為摻雜雜質區的源區和漏區以及位于源區與漏區之間的溝道區。

第一絕緣層120可以設置在其上設置了有源圖案act的基體基底100上。第一絕緣層120可以包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，第一絕緣層120可以使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等形成。可以單獨使用或以其組合使用這些材料。另外，第一絕緣層120可以具有包括氧化硅和/或氮化硅的單層結構或多層結構。在示例實施例中，第一絕緣層120可以沿著有源圖案act的輪廓均勻地形成在基體基底100上。這里，第一絕緣層120可以具有基本上小的厚度，使得臺階部可以形成在第一絕緣層120的與有源圖案act相鄰的部分處。在一些示例實施例中，第一絕緣層120可以具有相對大的厚度以充分地覆蓋有源圖案act，使得第一絕緣層120可以具有基本水平的表面。

柵極圖案可以設置在第一絕緣層120上。柵極圖案可以包括金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。柵極圖案可以包括與有源圖案act疊置的柵電極ge和被構造為傳輸信號以驅動像素的諸如柵極線的信號線等。

第二絕緣層130可以設置在其上設置有柵極圖案的第一絕緣層120上。第二絕緣層130可以使柵電極ge與源電極se和漏電極de絕緣。第二絕緣層130可以沿著柵極圖案的輪廓均勻地形成在第一絕緣層120上。這里，第二絕緣層130可以具有基本上小的厚度，使得臺階部可以形成在第二絕緣層130的與柵極圖案鄰近的部分處。第二絕緣層130可以包括硅化合物等。例如，第二絕緣層130可以使用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)等形成。在一些示例實施例中，第二絕緣層130可以具有相對大的厚度以充分地覆蓋柵極圖案，使得第二絕緣層130可以具有基本水平的表面。

第二絕緣層130可以不形成在第一鏡面圖案mr1的透射窗tw處。因此，第二絕緣層130可以形成為不與透射窗tw疊置。在一些示例實施例中，第二絕緣層130可以形成在整個基體基底100上以與第一鏡面圖案mr1的透射窗tw疊置。

數據圖案可以設置在第二絕緣層130上。數據圖案可以包括源電極se、漏電極de、被構造為傳輸信號以驅動像素的諸如數據線的信號線、第二存儲電極等。源電極se和漏電極de可以通過穿過第一絕緣層120和第二絕緣層130形成的接觸孔電連接到有源圖案act。

有源圖案act、柵電極ge、源電極se和漏電極de可以包括在薄膜晶體管tft中。

平坦化層140可以設置在其上設置有薄膜晶體管tft的第二絕緣層130上。平坦化層140可以包括單層結構或多層結構，其中，多層結構包括至少兩個絕緣膜。平坦化層140可以使用有機材料形成。例如，平坦化層140可以包括光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等。可以單獨使用或以其組合使用這些材料。可選擇地，平坦化層140可以包括無機材料。例如，平坦化層140可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯等形成。可以單獨使用或混合使用這些材料。

平坦化層140可以不形成在第一鏡面圖案mr1的透射窗tw處。因此，平坦化層140可以形成為不與透射窗tw疊置。在一些示例實施例中，平坦化層140可以形成在整個基體基底100上以與第一鏡面圖案mr1的透射窗tw疊置。

第一電極el1可以設置在平坦化層140上。第一電極el1可以通過穿過平坦化層140形成的接觸孔連接到漏電極de。

在一些示例實施例中，可以在接觸孔中形成接觸件、塞或墊，然后可以在接觸件、塞或墊上形成第一電極el1。這里，第一電極el1可以通過接觸件、塞或墊電連接到漏電極de。

有機發光顯示設備可以是前發射型有機發光顯示設備，從而第一電極el1可以包括反射材料。例如，第一電極el1可以使用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、含鎳合金、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶釕、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等形成。可以單獨使用或以其組合使用這些材料。在示例實施例中，第一電極el1可以具有單層結構或多層結構。

像素限定層pdl可以設置在其上形成有第一電極el1的平坦化層140上。像素限定層pdl可以限定開口以暴露第一電極el1的一部分。像素限定層pdl可以包括透明有機材料或透明無機材料。例如，像素限定層pdl可以使用光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅化合物等形成。

發光結構150可以設置在通過像素限定層pdl的開口暴露的第一電極el1上。發光結構150可以在像素限定層pdl的開口的側壁上延伸。發光結構150可以包括有機發光層(el)、空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等。在示例實施例中，多個有機發光層可以使用發光材料形成，該發光材料用于根據顯示裝置的彩色像素(參見圖1的一個像素中的三個開口op)來產生諸如紅光、綠光和藍光的不同顏色光。在一些示例實施例中，發光結構150的有機發光層可以包括多個堆疊的用于產生紅光、綠光和藍光的發光材料，從而發射白光。在一些示例實施中，發光結構150的el可以對應每個像素設置，hil、htl、etl、eil等可以對應多個像素公共地設置。

第二電極el2可以設置在像素限定層pdl、發光結構150、平坦化層140和第一絕緣層120上。有機發光顯示設備可以是前發射型的有機發光顯示設備，從而第二電極el2可以包括透射材料。例如，第二電極el2可以使用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、含鎳合金、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶釕、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等形成。可以單獨使用或以其組合使用這些材料。在示例實施例中，第二電極el2也可以具有單層結構或多層結構，單層結構或多層結構可以包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜。

密封基底200可以設置在第二電極el2上。密封基底200可以包括透明材料并被構造為防止環境空氣和濕氣滲透到透明有機發光顯示設備內。密封基底200可以與基體基底100組合，以通過密封劑(未示出)密封基體基底100與密封基底200之間的空間。

第一鏡面圖案mr1可以設置在密封基底200上。第一鏡面圖案mr1可以形成與發光結構150對應的開口op。第一鏡面圖案mr1可以包括諸如金屬的具有高反射率的材料以反射外部光。例如，第一鏡面圖案mr1可以包括鋁(al)、鉻(cr)、銀(ag)、鐵(fe)、鉑(pt)、汞(hg)、鎳(ni)、鎢(w)、釩(v)、鉬(mo)等。在一些示例實施例中，第一鏡面圖案mr1可以具有多層結構，該多層結構具有透明導電金屬氧化物層和金屬層。例如，第一鏡面圖案mr1可以包括ito/ag/ito三層。

第一鏡面圖案mr1可以限定透光的透射窗tw。透射窗tw可以是形成在第一鏡面圖案mr1處的開口。

第二鏡面層mr2可以設置在其上設置有第一鏡面圖案mr1的密封基底200上。第二鏡面層mr2可以對應于第一鏡面圖案mr1、開口op和透射窗tw形成，使得第二鏡面層mr2可以形成在整個密封基底200上。第二鏡面層mr2可以包括與第一鏡面圖案mr1相同的材料，或者可以包括另一種材料。第二鏡面層mr2的厚度可以小于第一鏡面圖案mr1的厚度。外部光可以在第二鏡面層mr2的開口op和透射窗tw上部分地反射并且通過開口op和透射窗tw部分地透射。例如，第二鏡面層mr2可以包括鋁(al)、鉻(cr)、銀(ag)、鐵(fe)、鉑(pt)、汞(hg)、鎳(ni)、鎢(w)、釩(v)、鉬(mo)等。在一些示例實施例中，第二鏡面層mr2可以具有多層結構，該多層結構具有透明導電金屬氧化物層和金屬層。例如，第二鏡面層mr2可以包括ito/ag/ito三層。第二鏡面層mr2覆蓋第一鏡面圖案mr1的邊界，使得可以降低在第一鏡面圖案mr1的邊界上由于散射的反射引起的模糊效果。

相機300可以設置在基體基底100的下表面上。相機300可以通過透射窗tw拍攝設置在有機發光顯示設備前面的物體的照片。相機300的鏡片可以對應于一個透射窗tw設置。在一些示例實施例中，當相機300的鏡片比一個透射窗tw大時，鏡片的中心可以設置為與透射窗tw的中心重合。因此，相機300可以通過多個透射窗tw拍攝設置在有機發光顯示設備前面的物體的照片。另外，在一些示例實施例中，第二電極el2可以具有對應于透射窗tw的開口。另外，在一些示例實施例中，第二絕緣層130和/或像素限定層pdl也可以對應于透射窗tw形成。因此，第二絕緣層130和/或像素限定層pdl可以與透射窗tw疊置。

圖3是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

參照圖3，除了透射窗tw的位置之外，有機發光顯示設備可以與圖1和圖2的有機發光顯示設備基本相同。因此，將簡要地描述或省略關于相同元件的任何進一步詳細的描述。

有機發光顯示設備包括沿著第一方向d1和與第一方向d1交叉的第二方向d2以矩陣形式來布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以與第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素至第八像素px5、px6、px7和px8可以在第一方向d1上布置，并且可以分別與第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4相鄰設置。

有機發光顯示設備可以包括第一鏡面圖案mr1。第一鏡面圖案mr1可以限定透射光的透射窗tw和與發光結構疊置的開口op。

透射窗tw可以是形成在第一鏡面圖案mr1處的開口，并且可以具有正方形形狀。透射窗tw可以形成在每四個像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是現有技術的在每個像素中具有透射窗的設備的透射窗的尺寸的四倍。根據本示例實施例，透射窗tw可以分別形成在第一像素px1中和第七像素px7中。

可以對角地設置的彼此相鄰的第一像素px1的透射窗tw和第七像素px7的透射窗tw可以沿著相對于第一方向d1傾斜的方向彼此間隔開距離dt。彼此相鄰的兩個透射窗tw之間的距離dt可以大于圖1和圖2的示例實施例的距離dt。

在本示例實施例中，可以最大化透射窗tw之間的距離dt，使得兩個相鄰的透射窗tw之間的距離大于現有技術的距離。因此，可以減小相機300拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

圖4是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

參照圖4，除了透射窗tw的位置之外，有機發光顯示設備可以與圖1和圖2的有機發光顯示設備基本相同。因此，將簡要地描述或省略關于相同元件的任何進一步詳細的描述。

有機發光顯示設備包括沿著第一方向d1和與第一方向d1交叉的第二方向d2以矩陣形式來布置的第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4。第二方向d2可以與第一方向d1基本垂直。第一像素px1和第二像素px2可以沿著第一方向d1布置。第三像素px3和第四像素px4可以沿著第一方向d1布置，并且可以分別與第一像素px1和第二像素px2相鄰設置。

有機發光顯示設備包括第一鏡面圖案mr1。第一鏡面圖案mr1可以限定透射光的透射窗tw和與發光結構疊置的開口op。

透射窗tw可以是形成在第一鏡面圖案mr1處的開口，并且可以具有正方形形狀。透射窗tw可以形成在每兩個像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是現有技術的在每個像素中具有透射窗的裝置的透射窗的尺寸的兩倍。根據本示例實施例，在第一像素px1和第四像素px4中的每個中可以形成有一個透射窗tw。

設置為彼此相鄰的第一像素px1的透射窗tw的中心和第四像素px4的透射窗tw的中心可以沿著相對于第一方向d1傾斜的方向彼此間隔開距離dt。

在本示例實施例中，相鄰的透射窗tw之間的距離dt可以大于在每個像素中具有透射窗的裝置中的透射窗之間的距離。因此，可以減小相機300拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

圖5a至圖10b是示出與依據根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的透射窗的形狀的衍射程度有關的模擬圖像的圖。

參照圖5a、圖6a、圖7a、圖8a、圖9a和圖10a，描述了根據各種示例實施例的有機發光顯示設備的第一鏡面圖案的透射窗的各種形狀。透射窗可以具有邊緣被倒圓的正方形形狀。當所述被倒圓的邊緣的半徑表示為a時，透射窗的邊的直線表示為b，在每幅圖中用于模擬的a和b的具體值為下面的表1。

<表1>

另外，在示例實施例中，透射窗的形狀可以是圓。

圖5b、圖6b、圖7b、圖8b、圖9b和圖10b示出了穿過透射窗的光的衍射效果。在透射窗的邊界處會看見由衍射引起的特定圖案。特定圖案會降低相機(參見圖2的300)拍攝的照片的質量。然而，根據本發明的示例實施例，倒圓的邊緣可以減小衍射，使得相機拍攝的照片的質量可以改善。

隨著被倒圓的邊緣的半徑增大，衍射的效果可以降低。在圖8a、圖9a和圖10a的示例實施例中，衍射非常小，使得照片的衍射的效果非常小。例如，當倒圓的邊緣的半徑等于或大于透射窗的邊的直線的長度時，衍射的效果可以最小化。

再次參照圖5a至圖10b，透射窗的被倒圓的邊緣減小了穿過透射窗的光的衍射，使得相機拍攝的照片的質量可以改善。

圖11是示出根據發明構思的示例性實施例的有機發光顯示設備的像素中的至少一些的平面圖。

參照圖11，除了透射窗tw的形狀之外，有機發光顯示設備可以與圖1和圖2的有機發光顯示設備基本相同。因此，將簡要地描述或省略關于相同元件的任何進一步詳細的描述。

有機發光顯示設備包括沿著第一方向d1和與第一方向d1交叉的第二方向d2以矩陣形式來布置的第一像素至第八像素px1、px2、px3、px4、px5、px6、px7和px8。第二方向d2可以與第一方向d1基本垂直。第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4可以在第一方向d1上布置。第五像素至第八像素px5、px6、px7和px8可以在第一方向d1上布置，并且可以分別與第一像素至第四像素px1、px2、px3和px4鄰近設置。

有機發光顯示設備可以包括第一鏡面圖案mr1。第一鏡面圖案mr1可以限定透光的透射窗tw和與發光結構疊置的開口op。

透射窗tw可以是形成在第一鏡面圖案mr1處的開口，并且可以具有邊緣被倒圓的正方形形狀。被倒圓的邊緣的尺寸可以適當調整。在示例實施例中，透射窗tw的形狀可以是圓。透射窗tw可以形成在每四個像素中，使得透射窗tw的尺寸可以是在每個像素中具有透射窗的現有技術的裝置的透射窗的尺寸的四倍。根據本示例實施例，透射窗tw可以分別形成在第一像素px1中和第三像素px3中。

根據本發明的示例實施例，有機發光顯示設備包括具有透射窗的第一鏡面圖案和相機。所述第一鏡面圖案可以在彼此相鄰的每兩個或更多個像素中限定一個透射窗，使得兩個相鄰的透射窗之間的距離大于現有技術的距離。因此，可以減小相機拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

另外，透射窗可以具有邊緣被倒圓的形狀，使得可以減小相機拍攝的照片由于衍射引起的劣化。

前述內容是對本發明構思的說明，并且不應被解釋為對其的限制。雖然已經描述了本發明構思的一些示例性實施例，但是本領域技術人員將容易理解的是，在實質上不脫離本發明構思的新穎教導和優點的情況下，可以對示例性實施例進行許多修改。因此，所有這樣的修改意圖被包括在本發明構思的如權利要求所限定的范圍內。在權利要求中，方法加功能的條款意圖覆蓋在這里描述的執行所記載的功能的結構，并且不僅僅覆蓋結構等同物而且還覆蓋等同結構。因此，要理解上述內容是對本發明構思的說明，而不應被解釋為限于所公開的特定示例性實施例，并且對所公開的示例性實施例以及其他示例性實施例的修改意圖包括在所附權利要求的范圍內。本發明構思由權利要求限定，其中包括權利要求的等同物。