本發明涉及照明技術領域，特別是涉及一種照明裝置的倒裝結構及其制作方法。

背景技術：

在照明裝置的倒裝結構中，襯底與電極層分別位于有源層的兩側，有源層激發的光需要從襯底發出而不能透過電極層，因此，就需要在有源層遠離襯底的一側添加高反射材料來反射光線。常用的方式有以下兩種方式：第一種方式是在有源層與電極層之間直接鍍上一層高反射率的金屬，如ag、al等，同時，這層高反射率的金屬還作為歐姆接觸層；第二種方式是將電極層設置成高穿透率的透明電極層，再在透明電極層上覆蓋一層高反射率的金屬，如ito/ag等。不管選用哪有方式，為避免電流不穩定，都需要在倒裝結構上蝕刻多個圓形孔洞，而蝕刻圓形孔洞的精度要求比較高，所以工藝較為復雜，從而導致倒裝結構的良率較低。

技術實現要素：

基于此，有必要針對傳統的照明裝置的倒裝結構良率較低的問題，提供一種良率較高的照明裝置的倒裝結構及其制作方法。

一種照明裝置的倒裝結構，包括：

外延組件，包括層疊設置的襯底、緩沖層、n型氮化物半導體層、有源層及p型氮化物半導體層，所述襯底遠離所述緩沖層的一側為所述外延組件的第一側，所述p型氮化物半導體層遠離所述有源層的一側為所述外延組件的第二側，所述第二側上設有經蝕刻而成的凹槽，所述凹槽由所述p型氮化物半導體層延伸至所述n型氮化物半導體層，所述凹槽的數目為多個，多個所述凹槽將所述第二側劃分為多個第一面，所述凹槽的側壁為第二面，所述凹槽的底壁為第三面，所述第一面、所述第二面與所述第三面連接形成凸形臺面，部分所述凹槽在所述第一側上的投影為圓形或圓環，部分所述凹槽在所述第一側上的投影為長條形；

透明導電層，設于所述第一面上；

p型接觸金屬，設于所述透明導電層上；

n型接觸金屬，設于所述第三面上；

第一絕緣層，設于所述凸形臺面、所述透明導電層、所述p型接觸金屬及所述n型接觸金屬上，所述第一絕緣層上設有經蝕刻而成的第一溝槽，所述第一溝槽用于裸露所述p型接觸金屬的一部分及所述n型接觸金屬的一部分；

倒裝p型電極，設于所述第一絕緣層以及正對于所述第一溝槽的所述p型接觸金屬上；

倒裝n型電極，設于所述第一絕緣層以及正對于所述第一溝槽的所述n型接觸金屬上，且所述倒裝n型電極與所述倒裝p型電極間隔；以及

第二絕緣層，設于所述第一絕緣層、所述倒裝p型電極以及所述倒裝n型電極上，所述第二絕緣層上設有經蝕刻而成的第二溝槽，所述第二溝槽用于裸露所述倒裝p型電極的一部分及所述倒裝n型電極的一部分。

在其中一個實施例中，所述p型接觸金屬包括p型點接觸金屬及p型線接觸金屬，所述p型點接觸金屬的數目為一個或多個，所述p型線接觸金屬的數目為一個或多個；

所述n型接觸金屬包括n型點接觸金屬及n型線接觸金屬，所述n型點接觸金屬的數目為一個或多個，所述n型線接觸金屬的數目為一個或多個。

在其中一個實施例中，所述p型點接觸金屬正對于所述第一溝槽，所述第一絕緣層將所述倒裝p型電極與所述p型線接觸金屬隔離；

所述n型點接觸金屬正對于所述第一溝槽，所述第一絕緣層將所述倒裝n型電極與所述n型線接觸金屬隔離。

在其中一個實施例中，所述倒裝p型電極與所述p型點接觸金屬的接觸面積小于等于所述p型點接觸金屬遠離所述第二側的一側的面積；

所述倒裝n型電極與所述n型點接觸金屬的接觸面積小于等于所述n型點接觸金屬遠離所述第二側的一側的面積。

在其中一個實施例中，所述倒裝p型電極在所述第三面上的投影與所述n型接觸金屬在所述第三面上的投影間隔；

所述倒裝n型電極在所述第三面上的投影與所述p型接觸金屬在所述第三面上的投影間隔。

在其中一個實施例中，所述p型接觸金屬的結構為單層金屬層或多層金屬層，所述n型接觸金屬的結構為單層金屬層或多層金屬層；

當所述p型接觸金屬與所述n型接觸金屬的結構為單層金屬層時，所述單層金屬層為鋁、鈦、鉑、金、銠、鎢、鎳、銀、銀銦或銀鈀，且所述單層金屬層的厚度為50-3000nm；

當所述p型接觸金屬與所述n型接觸金屬的結構為多層金屬層時，在所述第一側至所述第二側的方向上，所述多層金屬層包括依次排列的初始金屬層、中間金屬層以及末端金屬層，所述初始金屬層的材料為鎳、鈦或鉻，所述中間金屬層設有一層或多層，且每層所述中間金屬層的材料為鋁、鈦、鉻、鉑、金、銠、鎢、鎳、銀、銀銦或銀鈀，所述末端金屬層的材料為鎳、鈦或鉻，所述初始金屬層的厚度為0.3-300nm，每層所述中間金屬層的厚度為10-3000nm，所述末端金屬層的厚度為0.3-300nm。

在其中一個實施例中，在所述第一側至所述第二側的方向上，所述倒裝p型電極包括依次排列的鈦層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層、第一鎳層、鉑層、第一鎳層、金錫合金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層、第一鎳層、鉑層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、鉻層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、第一鎳層、鉑層、金層及第二鎳層，其中，鈦層的厚度為10-300nm，第一鎳層的厚度為10-300nm，第二鎳層的厚度為0.4-3nm，第三鎳層的厚度為0.4-3nm，金層的厚度為20-3000nm，鉻層的厚度為10-300nm，鉑層的厚度為10-300nm，金錫合金層的厚度為1000-5000nm，鋁層的厚度為50-300nm；

所述倒裝n型電極的結構與所述倒裝p型電極的結構相同。

在其中一個實施例中，所述第一絕緣層或所述第二絕緣層為單層氧化物絕緣層或多層氧化物絕緣層，所述單層氧化物絕緣層的厚度為30-2000nm，所述多層氧化物絕緣層的每一層的厚度為30-2000nm；

當所述第一絕緣層或所述第二絕緣層為所述單層氧化物絕緣層時，所述單層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅；

當所述第一絕緣層或所述第二絕緣層為所述多層氧化物絕緣層時，每層所述多層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅。

在其中一個實施例中，所述第二側上設有經蝕刻而成的隔離槽，所述隔離槽由所述p型氮化物半導體層延伸至所述襯底，所述隔離槽的底壁與側壁均由所述第一絕緣層或所述第二絕緣層覆蓋。

一種制作上述的任一種照明裝置的倒裝結構的方法，包括以下步驟：

在襯底上依次生長出緩沖層、n型氮化物半導體層、有源層及p型氮化物半導體層，形成外延組件；

在p型氮化物半導體層遠離有源層的一側沉積透明導電層，利用黃光蝕刻制程定義凸形臺面的圖案，蝕刻透明導電層、p型氮化物半導體層及有源層，暴露n型氮化物半導體層，內縮透明導電層，去除光阻，得到凸形臺面；

利用黃光剝離制程定義p型接觸金屬與n型接觸金屬的圖案，并在透明導電層上沉積p型接觸金屬，在凸形臺面的第三面上沉積n型接觸金屬，去除光阻，得到p型接觸金屬與n型接觸金屬；

在凸形臺面、透明導電層、p型接觸金屬與n型接觸金屬上沉積第一絕緣層，利用黃光蝕刻制程定義p型接觸金屬與倒裝p型電極的連接圖案以及n型接觸金屬與倒裝n型電極的連接圖案，蝕刻第一絕緣層，裸露p型接觸金屬的一部分及n型接觸金屬的一部分；

利用黃光剝離制程定義倒裝p型電極與倒裝n型電極的圖案，并在第一絕緣層及裸露的p型接觸金屬上沉積倒裝p型電極，在第一絕緣層及裸露的n型接觸金屬上沉積倒裝n型電極，去除光阻，得到倒裝p型電極與倒裝n型電極；以及

在第一絕緣層、倒裝p型電極以及倒裝n型電極上沉積第二絕緣層，利用黃光蝕刻制程定義倒裝p型電極的裸露圖案以及倒裝n型電極的裸露圖案，蝕刻第二絕緣層，去除光阻，裸露倒裝p型電極的一部分及倒裝n型電極的一部分。

上述的照明裝置的倒裝結構，在p型氮化物半導體層遠離有源層的一側設有經蝕刻而成的凹槽，且部分凹槽在第一側上的投影為圓形或圓環，部分凹槽的在第一側上的投影為長條形，也就是說，凹槽為圓形孔洞與長條形孔洞的結合。與蝕刻多個圓形孔洞相比，蝕刻長條形孔洞能夠降低蝕刻精度，提高良率，同時圓形孔洞與長條形孔洞的結合還能夠使電流分布更均勻。

另外，在傳統結構中，一般是先在透明導電層上設置第一絕緣層，蝕刻第一絕緣層露出透明導電層后，再設置p型接觸金屬與n型接觸金屬，這種方式容易出現因蝕刻不到位而致使p型接觸金屬與n型接觸金屬無法與透明導電層導通的情況，因此，將p型接觸金屬與n型接觸金屬直接設于透明導電層上，能夠保證p型接觸金屬、n型接觸金屬與透明導電層之間能夠良好地導通，從而提高良率。

上述的照明裝置的倒裝結構的制作方法，在利用黃光蝕刻制程定義凸形臺面的圖案時，將圓形孔洞與長條形孔洞進行結合，降低了蝕刻精度，提高了良率，同時還使制作出來的倒裝結構上的電流分布更均勻。而且，在制作凸形臺面同時，一并制作了透明導電層，不僅簡化了一道制程，還解決了透明導電層與凸形臺面圖案對準的問題。

附圖說明

圖1為一實施方式的照明裝置的倒裝結構的主視圖；

圖2為圖1所示的照明裝置的倒裝結構在步驟s200后所得到的結構的俯視圖；

圖3為圖2所示的結構的主視圖；

圖4為圖1所示的照明裝置的倒裝結構在步驟s300后所得到的結構的俯視圖；

圖5為圖4所示的結構沿a-b方向的剖視圖；

圖6為圖4所示的結構沿c-d方向的剖視圖；

圖7為圖4所示的結構沿e-f方向的剖視圖；

圖8為圖4所示的結構沿g-h方向的剖視圖；

圖9為圖1所示的照明裝置的倒裝結構在步驟s500后所得到的結構的俯視圖；

圖10為一實施方式的照明裝置的倒裝結構的制作方法的流程圖；

圖11為圖1所示的照明裝置的倒裝結構的亮度-電流-電壓特性圖；

圖12為圖1所示的照明裝置的倒裝結構的電流-峰值波長特性圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施方式。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發明的公開內容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“內”、“外”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。

請參考圖1至圖3，一實施方式的照明裝置的倒裝結構10包括外延組件100、透明導電層200、p型接觸金屬310、n型接觸金屬320、第一絕緣層400、倒裝p型電極510、倒裝n型電極520以及第二絕緣層600，其中，外延組件100包括襯底110，以及在襯底110上依次生長出的緩沖層120、n型氮化物半導體層130、有源層140及p型氮化物半導體層150。

為方便描述，在本實施方式中，將襯底110遠離緩沖層120的一側為外延組件100的第一側102，p型氮化物半導體層150遠離有源層140的一側為外延組件100的第二側104。第二側104上設有經蝕刻而成的凹槽106，凹槽106由p型氮化物半導體層150延伸至n型氮化物半導體層130，以暴露出n型氮化物半導體層130。凹槽106的數目為多個，多個凹槽106將第二側104劃分為多個第一面162，凹槽106的側壁為第二面164，凹槽106的底壁為第三面166，第一面162、第二面164與第三面166連接形成凸形臺面160。從圖1中可以看出，第一面162與第二側104重合，第三面166為n型氮化物半導體層130的一部分，第一面162與第三面166平行，且第一面162與第三面166分別與第二面164形成l形結構。

部分凹槽106在第一側102上的投影為圓形或圓環，部分凹槽106在第一側102上的投影為長條形。也就是說，凹槽106為圓形孔洞106a與長條形孔洞106b的結合。在本實施方式中，圓形孔洞106a的數目可以是一個或多個，長條形孔洞106b的數目也可以是一個或多個。另外，長條形孔洞106b的圖案也不僅限于圖2中所示的樣子，也可以是彎折的線條狀。

凹槽106是經過蝕刻后留下的，與傳統的蝕刻多個圓形孔洞的技術相比，蝕刻長條形孔洞能夠降低蝕刻精度，降低生產成本，提高良率，同時，圓形孔洞與長條形孔洞的結合還能夠使電流分布更均勻。

如圖1所示，透明導電層200設于第一面162上，透明導電層200的材料為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化銅鋁、氧化銅鎵或氧化鍶銅。

p型接觸金屬310設于透明導電層200上，p型接觸金屬310能通過透明導電層200與p型氮化物半導體層150電連接。

n型接觸金屬320設于第三面166上，以與n型氮化物半導體層130電連接。

同時結合圖4至圖8，在本實施方式中，p型接觸金屬310包括p型點接觸金屬312及p型線接觸金屬314，p型點接觸金屬312的數目為一個或多個，p型線接觸金屬314的數目為一個或多個。n型接觸金屬320包括n型點接觸金屬322及n型線接觸金屬324，n型點接觸金屬322的數目為一個或多個，n型線接觸金屬324的數目為一個或多個。圖4中所示的p型點接觸金屬312與n型點接觸金屬322均呈圓柱狀，p型線接觸金屬314與n型線接觸金屬324均呈長條狀。而且，從圖4中可以看出，n型點接觸金屬322與圓形孔洞106a的形狀相匹配，n型線接觸金屬324與長條形孔洞106b的形狀相匹配，因此，n型點接觸金屬322對應設置在圓形孔洞106a內，n型線接觸金屬324對應設置在長條形孔洞106b內。在其他實施方式中，p型接觸金屬310與n型接觸金屬320還可以均為整面金屬，比如p型接觸金屬310與n型接觸金屬320均呈長方體狀。

另外，在本實施方式中，p型接觸金屬310的結構為單層金屬層或多層金屬層，n型接觸金屬320的結構也為單層金屬層或多層金屬層。

當p型接觸金屬310與n型接觸金屬320的結構為單層金屬層時，單層金屬層為鋁、鈦、鉑、金、銠、鎢、鎳、銀、銀銦或銀鈀，且單層金屬層的厚度為50-3000nm。

當p型接觸金屬310與n型接觸金屬320的結構為多層金屬層時，在第一側102至第二側104的方向上，多層金屬層包括依次排列的初始金屬層、中間金屬層以及末端金屬層，初始金屬層的材料為鎳、鈦或鉻，中間金屬層設有一層或多層，且每層中間金屬層的材料為鋁、鈦、鉻、鉑、金、銠、鎢、鎳、銀、銀銦或銀鈀，末端金屬層的材料為鎳、鈦或鉻。初始金屬層的厚度為0.3-300nm，每層中間金屬層的厚度為10-3000nm，末端金屬層的厚度為0.3-300nm。

如圖1所示，第一絕緣層400設于凸形臺面160、透明導電層200、p型接觸金屬310及n型接觸金屬320上。第一絕緣層400上設有經蝕刻而成的第一溝槽，第一溝槽用于裸露p型接觸金屬310的一部分及n型接觸金屬320的一部分。

在傳統結構中，一般是先在透明導電層200上設置第一絕緣層400，蝕刻第一絕緣層400露出透明導電層200后，再設置p型接觸金屬與n型接觸金屬，這種方式容易出現因蝕刻不到位而致使p型接觸金屬與n型接觸金屬無法與透明導電層200導通的情況，比如蝕刻的深度不夠而沒有露出透明導電層200，因此，將p型接觸金屬與n型接觸金屬直接設于透明導電層上，能夠保證p型接觸金屬、n型接觸金屬與透明導電層之間能夠良好地導通，從而提高良率。

在本實施方式中，第一絕緣層400為單層氧化物絕緣層或多層氧化物絕緣層，單層氧化物絕緣層的厚度為30-2000nm，多層氧化物絕緣層的每一層的厚度為30-2000nm。

當第一絕緣層400為單層氧化物絕緣層時，單層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅。

當第一絕緣層400為多層氧化物絕緣層時，每層多層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅。

如圖1及圖9所示，倒裝p型電極510設于第一絕緣層400以及正對于第一溝槽的p型接觸金屬310上，即，倒裝p型電極510填充了第一溝槽，并與p型接觸金屬310連接。

倒裝n型電極520設于第一絕緣層400以及正對于第一溝槽的n型接觸金屬320上，即，倒裝n型電極520填充了第一溝槽，并與n型接觸金屬320連接，且倒裝n型電極520與倒裝p型電極510間隔。第一絕緣層400的主要作用是隔離倒裝p型電極510與n型接觸金屬320，以及隔離倒裝n型電極520與p型接觸金屬310，進而防止電路短路。

進一步，在本實施方式中，p型點接觸金屬312正對于第一溝槽，第一絕緣層400將倒裝p型電極510與p型線接觸金屬314隔離，也即，倒裝p型電極510設于p型點接觸金屬312上。由于p型線接觸金屬314的較窄，若將倒裝p型電極510設于p型線接觸金屬314上，倒裝p型電極510容易與透明導電層200直接接觸而使得電壓不穩定。而若將p型線接觸金屬314做寬，p型線接觸金屬314會阻擋光線，影響照明裝置的亮度。

而且，倒裝p型電極510與p型點接觸金屬312的接觸面積小于等于p型點接觸金屬312遠離第二側104的一側的面積，也即，通過蝕刻第一絕緣層400而得到的倒裝p型電極510與p型點接觸金屬312的連接圖案在p型點接觸金屬312所圍區域內，這樣能夠避免倒裝p型電極510與透明導電層200直接接觸而使得電壓不穩定。

同樣地，n型點接觸金屬322正對于第一溝槽，第一絕緣層400將倒裝n型電極520與n型線接觸金屬324隔離。并且，倒裝n型電極520與n型點接觸金屬322的接觸面積小于等于n型點接觸金屬322遠離第二側104的一側的面積。也即，通過蝕刻第一絕緣層400而得到的倒裝n型電極520與n型點接觸金屬322的連接圖案在n型點接觸金屬322所圍區域內，這樣能夠避免蝕刻到凸形臺面160的第二面164上而出現漏電現象。

另外，當電流較大時，電荷可能會擊穿第一絕緣層400而到達n型接觸金屬320上，從而會致使電路短路。因此，針對這個問題，在本實施方式中，倒裝p型電極510在第三面166上的投影與n型接觸金屬320在第三面166上的投影間隔，這樣，即使電荷擊穿了第一絕緣層400也不會到達n型接觸金屬320上，再加上第一絕緣層400的厚度較大，電荷也不會到達凸形臺面160的第三面166上，從而能夠有效的防止電路短路。

同理，倒裝n型電極520在第三面166上的投影與p型接觸金屬310在第三面166上的投影間隔。

在本實施方式中，倒裝p型電極510與倒裝n型電極520的結構相同。以倒裝p型電極510為例說明，在第一側102至第二側104的方向上，倒裝p型電極510包括依次排列的鈦層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層、第一鎳層、鉑層、第一鎳層、金錫合金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層、第一鎳層、鉑層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的鉻層、鉑層、金層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、鉻層、第一鎳層、金層及第二鎳層，或依次排列的第三鎳層、鋁層、第一鎳層、鉑層、金層及第二鎳層，其中，鈦層的厚度為10-300nm，第一鎳層的厚度為10-300nm，第二鎳層的厚度為0.4-3nm，第三鎳層的厚度為0.4-3nm，金層的厚度為20-3000nm，鉻層的厚度為10-300nm，鉑層的厚度為10-300nm，金錫合金層的厚度為1000-5000nm，鋁層的厚度為50-300nm。

如圖1所示，第二絕緣層600設于第一絕緣層400、倒裝p型電極510以及倒裝n型電極520上。第二絕緣層600上設有經蝕刻而成的第二溝槽，第二溝槽用于裸露倒裝p型電極510的一部分及倒裝n型電極520的一部分。利用第二絕緣層600包覆住倒裝p型電極510及倒裝n型電極520的側面，只露出倒裝p型電極510及倒裝n型電極520遠離第二側104的表面的一部分，能夠使得整個照明裝置的倒裝結構更為穩定。

與先設置p型接觸金屬310與n型接觸金屬320，再設置第一絕緣層400的原理類似，先設置倒裝p型電極510與倒裝n型電極520，再設置第二絕緣層600也能提高良率。

第二絕緣層600為單層氧化物絕緣層或多層氧化物絕緣層，單層氧化物絕緣層的厚度為30-2000nm，多層氧化物絕緣層的每一層的厚度為30-2000nm。

當第二絕緣層600為單層氧化物絕緣層時，單層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅。

當第二絕緣層600為多層氧化物絕緣層時，每層多層氧化物絕緣層的材料為三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮氧化硅或氮化硅。

如圖1及圖3所示，第二側104上設有經蝕刻而成的隔離槽170，隔離槽170能夠增強照明裝置的倒裝結構10的絕緣性。隔離槽170由p型氮化物半導體層150延伸至襯底110，以暴露襯底110。隔離槽170的底壁172與側壁174均由第一絕緣層400或第二絕緣層600覆蓋。隔離槽170的底壁172與凸形臺面160的第三面166分別與隔離槽170的側壁174形成l形結構。在其他實施方式中，當照明裝置的倒裝結構10采用共金固晶的封裝形式時，隔離槽170可以省略。

請參考圖10，在本實施方式中，還提供了一種制作照明裝置的倒裝結構10的方法，該制作方法包括以下步驟：

步驟s100，在襯底110上依次生長出緩沖層120、n型氮化物半導體層130、有源層140及p型氮化物半導體層150，形成外延組件100。

步驟s200，在p型氮化物半導體層150遠離有源層140的一側沉積透明導電層200，利用黃光蝕刻制程定義凸形臺面160的圖案，蝕刻透明導電層200、p型氮化物半導體層150及有源層140，暴露n型氮化物半導體層130，利用蝕刻溶液內縮透明導電層200，再去除光阻，得到凸形臺面160。

具體地，沉積透明導電層200時，可以采用電子束蒸鍍法、濺鍍法或反應等離子體的方法，且透明導電層200的厚度為10-400nm。得到凸形臺面160后，還可以用快速退火爐進行高溫退火，退火溫度設定為560℃，退火時間設定為3分鐘，這樣能夠使得透明導電層200與p型氮化物半導體層150之間具有良好的歐姆接觸率和穿透率。

從圖2及圖3中可以看出，在蝕刻透明導電層200、p型氮化物半導體層150及有源層140后，會形成多個凹槽106，有的凹槽106為圓形孔洞106a，有的凹槽108為長條形孔洞106b。圓形孔洞106a與長條形孔洞106b進行結合的技術降低了蝕刻精度，提高了良率，同時還使制作出來的倒裝結構上的電流分布更均勻。

步驟s200將透明導電層200與凸形臺面160一同制作，與先制作凸形臺面160，再制作透明導電層200相比，不僅簡化了一道制程，還解決了透明導電層200與凸形臺面160的第一面162對準的問題。當然，在其他實施方式中，也可以將透明導電層200與凸形臺面160分開制作。

步驟s300，利用黃光剝離制程定義p型接觸金屬310與n型接觸金屬320的圖案，并在透明導電層200上沉積p型接觸金屬310，在凸形臺面160的第三面166上沉積n型接觸金屬320，去除光阻，得到p型接觸金屬310與n型接觸金屬320。且p型接觸金屬310包括一個或多個p型點接觸金屬312以及一個或多個p型線接觸金屬314，n型接觸金屬320包括一個或多個n型點接觸金屬322以及一個或多個n型線接觸金屬324。

步驟s400，在凸形臺面160、透明導電層200、p型接觸金屬310與n型接觸金屬320上沉積第一絕緣層400，利用黃光蝕刻制程定義p型接觸金屬310與倒裝p型電極510的連接圖案以及n型接觸金屬320與倒裝n型電極520的連接圖案，蝕刻第一絕緣層400，裸露p型接觸金屬310的一部分及n型接觸金屬320的一部分。

沉積第一絕緣層400時可以采用化學氣相法，也可以采用光學鍍膜機法。蝕刻第一絕緣層400時可以采用干法或濕法，其中干法主要是通過氣體sf6/o2或cf4/chf3/o2進行蝕刻。

在本實施方式中，僅需裸露p型點接觸金屬312以及n型點接觸金屬322，因此，利用黃光蝕刻制程定義p型點接觸金屬312與倒裝p型電極510的連接圖案以及n型點接觸金屬322與倒裝n型電極520的連接圖案即可。

值得注意的是，p型點接觸金屬312與倒裝p型電極510的連接圖案在p型點接觸金屬312所圍區域內，因此，在蝕刻后，p型點接觸金屬312遠離第二側104的一面僅有部分裸露在外，另一部分仍由第一絕緣層400覆蓋，或是p型點接觸金屬312遠離第二側104的一面剛好全部裸露在外。

同樣地，n型點接觸金屬322與倒裝n型電極520的連接圖案在n型點接觸金屬322所圍區域內。

步驟s500，利用黃光剝離制程定義倒裝p型電極510與倒裝n型電極520的圖案，并在第一絕緣層400及裸露的p型接觸金屬310上沉積倒裝p型電極510，在第一絕緣層400及裸露的n型接觸金屬320上沉積倒裝n型電極520，去除光阻，得到倒裝p型電極510與倒裝n型電極520。

在本實施方式中，倒裝p型電極510填充了第一溝槽后與p型點接觸金屬312連接，倒裝n型電極520填充了第一溝槽后與n型點接觸金屬322連接。值得注意的是，倒裝p型電極在第三面166上的投影與n型接觸金屬320在第三面166上的投影間隔，倒裝n型電極520在第三面166上的投影與p型接觸金屬310在第三面166上的投影間隔。

步驟s600，在第一絕緣層400、倒裝p型電極510以及倒裝n型電極520上沉積第二絕緣層600，利用黃光蝕刻制程定義倒裝p型電極510的裸露圖案以及倒裝n型電極520的裸露圖案，蝕刻第二絕緣層600，去除光阻，裸露倒裝p型電極510的一部分及倒裝n型電極520的一部分。

沉積第二絕緣層600時可以采用化學氣相法，也可以采用光學鍍膜機法。蝕刻第二絕緣層600時可以采用干法或濕法，其中干法主要是通過氣體sf6/o2或cf4/chf3/o2進行蝕刻。

在本實施方式中，制作照明裝置的倒裝結構10的方法還包括以下步驟：利用黃光剝離制程定義隔離槽170的圖案，再蝕刻n型氮化物半導體層130和緩沖層120，暴露襯底110，最后去除光阻。

值得一提的是，當照明裝置的倒裝結構10采用共金固晶的封裝形式時，形成隔離槽170的步驟可以放在步驟s100至步驟s600中的任一步驟之后，也可以省略。但是，當照明裝置的倒裝結構10采用錫膏封裝時，該步驟需放在步驟s600之前，最好放在步驟s400之前。

在執行完步驟s600后，可以對照明裝置的倒裝結構10進行剪薄、劃片、裂片、測試及分選等一系列操作。最后封裝照明裝置的倒裝結構10，并測量它的光電特性。

在圖11中，位于上方的線條代表照明裝置的倒裝結構10的電流與電壓的關系，位于下方的線條代表照明裝置的倒裝結構10的電流與亮度的關系。從圖11和圖12可以看出，對于照明裝置的倒裝結構10而言，在輸入電流為60ma時，對應的電壓為3.08v，亮度為19.9lm(色溫7293k)，峰值波長為443.2nm；在輸入電流為90ma時，對應的電壓為3.21v，亮度為26.9lm(色溫7445k)，峰值波長為443.1nm；在輸入電流為395ma時，對應的電壓為3.835v，亮度為58.1lm(色溫7788k)，峰值波長為443.6nm。因此，本實施方式的照明裝置的封裝結構10的可操作電流較高且對應的電壓的較低，亮度較高、波長位移較小。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。