本發明屬于儲能工藝領域，具體地說，涉及到一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝。
背景技術：
：鋁電解電容器的電容量大小，一般取決于其表面積、介電常數和極間距離的大小，具體為：其中ε0-真空介電常數εr-電介質相對介電常數s-電極的表面積d-極極間的距離由上所述可以看出如要提高其容量，其解決辦法主要來源于：1>擴大陽極表面積s。2>提高電介質相對介電常數εr。3>減小陽極極間的距離d，也就是減小電介質厚度。對于鋁電解電容器而言，其εr為固定三氧化二鋁(al2o3)介質膜，其值一般為7.0左右，為提升c一般科研人員工作重心放在腐蝕擴面上，即提高鋁陽極箔的表面積s，而這方面的研究工作已接近極限。技術實現要素：針對上述問題，本發明提供了一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝，大大提高εr，從而提高電容器的容量。本發明采用的技術方案是：一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：(1)、選材：選用鋁光箔、腐蝕箔或化成箔作為基材；(2)、熱噴涂：基材的表面通過等離子熱噴涂技術將高介電常數納米級材料均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩定的5-10μm的復合介質層；(3)、電化學處理：通過電化學方法將復合介質層中可能存在的縫隙形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復合介質層，從而提高相對介電常數εr。作為優選，所述的高介電常數納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，所述高介電常數納米級材料的目數不大于100納米，所述的高介電常數納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經等離子噴涂設備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面。作為優選，所述的電化學處理為將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學處理，以填補基材表面的復合介質層在熱噴涂過程中產生縫隙，使基材的表面形成致密復合介質層。本發明通過上述方法處理εr可達到70-1500，與常規的鋁電解電容器的εr相比，εr大大得到了提高，從而大大提升電容量c。具體實施方式下面通過具體的實施例對本發明做進一步的詳細描述。實施例1：(1)、選材：選用厚度為115μm的鋁光箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數納米級材料的目數不大于100納米，高介電常數納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經等離子噴涂設備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩定的5-10μm的復合介質層，；(3)、電化學處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學處理，以填補基材表面的復合介質層在熱噴涂過程中產生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復合介質層，從而提高相對介電常數εr。實施例2：(1)、選材：選用厚度為110μm的腐蝕箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數納米級材料的目數不大于100納米，高介電常數納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經等離子噴涂設備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩定的5-10μm的復合介質層，；(3)、電化學處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學處理，以填補基材表面的復合介質層在熱噴涂過程中產生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復合介質層，從而提高相對介電常數εr。實施例3：(1)、選材：選用厚度為116μm的化成箔作為基材；(2)、熱噴涂：選取高介電常數納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，高介電常數納米級材料的目數不大于100納米，高介電常數納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經等離子噴涂設備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩定的5-10μm的復合介質層，；(3)、電化學處理：將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學處理，以填補基材表面的復合介質層在熱噴涂過程中產生縫隙，形成一層與al2o3密合的5-10μm的致密復合介質層，從而提高相對介電常數εr。實施例1、2、3基材表面形成復合介質膜的厚度及復合介電常數如下：基材類型復合介質膜厚度(μm)復合介電常數鋁光箔120-122εrmax＝320εrmin＝35腐蝕箔116-118εrmax＝1532εrmin＝800化成箔121-123εrmax＝530εrmin＝230在同等條件下，將鋁光箔、腐蝕箔、化成箔三種箔片分別進行比容測試其相關電性能參數見下表(箔片化成電壓520vf)：基材類型比容(μf/cm2)復合比容(μf/cm2)鋁光箔0.041.52腐蝕箔0.74632化成箔0.72117從上表可以看出，腐蝕箔經過本發明工藝處理后，εr得到的提高最大，能夠最大限度地提升電容器的容量。當前第1頁12