本發(fā)明涉及一種漿料、研磨方法等。

背景技術(shù)：

1、在近年來的半導(dǎo)體元件的制造工序中，用于高密度化及微細(xì)化的加工技術(shù)的重要性越來越高。作為加工技術(shù)之一的cmp(chemical?mechanical?polishing：化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)成為在半導(dǎo)體元件的制造工序中，在淺溝槽隔離(shallow?trench?isolation。以下稱為“sti”)的形成、預(yù)金屬絕緣材料或?qū)娱g絕緣材料的平坦化、插頭或嵌入金屬布線的形成等中必須的技術(shù)。

2、作為最常用的研磨液，例如可以舉出，含有氣相二氧化硅、膠體二氧化硅等二氧化硅(氧化硅)粒子作為磨粒的二氧化硅類研磨液。二氧化硅類研磨液的特征在于通用性高，通過適當(dāng)?shù)剡x擇磨粒含量、ph、添加劑等，無論絕緣材料和導(dǎo)電材料如何，能夠?qū)Ω鞣N類型的材料進(jìn)行研磨。

3、另一方面，作為磨粒而含有鈰氧化物粒子的鈰氧化物類研磨液的需求正在擴(kuò)大。例如，關(guān)于鈰氧化物類研磨液，即使在比二氧化硅類研磨液低的磨粒含量下，也能夠?qū)^緣材料快速地進(jìn)行研磨(例如，參考下述專利文獻(xiàn)1及2)。

4、以往技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-106994號公報

7、專利文獻(xiàn)2：日本特開平08-022970號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、近年來，縱向?qū)盈B器件的單元部的3d-nand器件興起。在本技術(shù)中，與以往的平面型相比，形成單元時的絕緣材料的階梯差變得高幾倍。隨之，為了維持器件制造的生產(chǎn)率，需要在cmp工序等中快速消除如上所述的高階梯差，并且需要提高絕緣材料的研磨速度。

3、本發(fā)明的一方面的目的在于，提供一種能夠得到絕緣材料的高研磨速度的漿料。本發(fā)明的另一側(cè)面的目的在于，提供一種使用了這種漿料的研磨方法。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、本發(fā)明在某些方面涉及下述[1]～[8]等。

6、[1]一種漿料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含鈰氧化物粒子，所述鈰氧化物粒子的微晶直徑為17.0nm以上，所述鈰氧化物粒子的晶格應(yīng)變?yōu)?.10％以上。

7、[2]根據(jù)[1]所述的漿料，其中，所述鈰氧化物粒子的微晶直徑為17.0～40.0nm，所述鈰氧化物粒子的晶格應(yīng)變?yōu)?.10～0.75％。

8、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的漿料，其中，所述鈰氧化物粒子的微晶直徑為17.0nm以上且小于30.0nm。

9、[4]根據(jù)[1]至[3]中任一項所述的漿料，其中，所述磨粒的平均粒徑為200～400nm。

10、[5]根據(jù)[1]至[4]中任一項所述的漿料，其中，所述磨粒的含量為0.01～10.00質(zhì)量％。

11、[6]根據(jù)[1]至[5]中任一項所述的漿料，其ph為1.00～7.00。

12、[7]根據(jù)[1]至[6]中任一項所述的漿料，其用于對包含氧化硅的被研磨面進(jìn)行研磨。

13、[8]一種研磨方法，其包括使用[1]至[7]中任一項所述的漿料對被研磨面進(jìn)行研磨的工序。

14、發(fā)明效果

15、根據(jù)本發(fā)明的一方面，能夠提供一種能夠得到絕緣材料的高研磨速度的漿料。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種使用了這種漿料的研磨方法。

技術(shù)特征：

1.一種漿料，其含有磨粒及水，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其ph為1.00～7.00。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漿料，其用于對包含氧化硅的被研磨面進(jìn)行研磨。

8.一種研磨方法，其包括使用權(quán)利要求1至7中任一項所述的漿料對被研磨面進(jìn)行研磨的工序。

技術(shù)總結(jié)
一種漿料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含鈰氧化物粒子，所述鈰氧化物粒子的微晶直徑為17.0nm以上，所述鈰氧化物粒子的晶格應(yīng)變?yōu)?.10％以上。

技術(shù)研發(fā)人員：前田讓章,水谷真人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24