本公開涉及一種控制程序、信息處理程序、控制方法、信息處理方法、等離子體處理裝置以及信息處理裝置。

背景技術：

1、等離子體處理裝置用于基板的等離子體處理。在等離子體處理裝置的腔室內，基板被配置于由被稱為邊緣環或聚焦環的外周構件包圍的區域內。

2、當由等離子體處理裝置執行等離子體處理時，外周構件消耗從而其厚度減少。伴隨外周構件的厚度的減少，在外周構件的上方的鞘層的上端位置變低。當在外周構件的上方的鞘層的上端位置變低時，來自等離子體的離子對基板的邊緣以傾斜的角度進行碰撞。其結果，在基板的邊緣形成的開口傾斜。專利文獻1公開了向外周構件施加直流電壓以抑制形成于基板的邊緣的開口的傾斜。

3、現有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2007-258417號公報

技術實現思路

1、發明要解決的問題

2、本公開提供一種抑制伴隨配置于腔室內的構件的消耗的工藝特性的下降、等離子體處理裝置中的工藝特性的個體差異的控制程序、控制方法以及等離子體處理裝置。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一個方式所涉及的控制程序是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制程序，所述控制程序用于使計算機執行以下過程：觀測所述源電力和所述偏置電力的峰間電壓；以及調整作為用于控制所觀測到的峰間電壓的變動幅度的調整用參數的、向所述等離子體生成源供給的源電力、向所述載置臺供給的偏置電力、向配置于所述載置臺的周圍的外周構件施加的直流電壓、以及連接在所述直流電壓的供給源與所述外周構件之間的濾波器電路的阻抗。

5、發明的效果

6、根據本公開，能夠抑制伴隨配置于腔室內的構件的消耗的工藝特性的下降、等離子體處理裝置中的工藝特性的個體差異。

技術特征：

1.一種控制程序，是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制程序，所述控制程序用于使計算機執行以下過程：

2.根據權利要求1所述的控制程序，其中，

3.根據權利要求1所述的控制程序，其中，

4.根據權利要求1所述的控制程序，其中，

5.根據權利要求1所述的控制程序，其中，

6.根據權利要求5所述的控制程序，其中，

7.根據權利要求6所述的控制程序，其中，

8.根據權利要求1所述的控制程序，其中，

9.根據權利要求1至8中的任一項所述的控制程序，其中，

10.一種控制程序，是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制程序，所述控制程序用于使計算機執行以下過程：

11.一種信息處理程序，用于使計算機執行以下過程：

12.一種控制方法，是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制方法，所述控制方法通過計算機執行以下過程：

13.一種控制方法，是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制方法，所述控制方法通過計算機執行以下過程：

14.一種信息處理方法，通過計算機執行以下過程：

15.一種等離子體處理裝置，具備：載置臺，其載置作為處理對象的基板；外周構件，其配置于所述載置臺的周圍；第一電源，其向等離子體生成源供給源電力；第二電源，其向所述載置臺供給偏置電力；第三電源，其向所述外周構件施加直流電壓；以及控制部，所述等離子體處理裝置具備：

16.一種等離子體處理裝置，具備：載置臺，其載置作為處理對象的基板；外周構件，其配置于所述載置臺的周圍；第一電源，其向等離子體生成源供給源電力；第二電源，其向所述載置臺供給偏置電力；第三電源，其向所述外周構件施加直流電壓；以及控制部，所述等離子體處理裝置具備：

17.一種信息處理裝置，其中，

技術總結
提供一種控制程序、信息處理程序、控制方法、信息處理方法、等離子體處理裝置以及信息處理裝置。一種控制程序，是通過向等離子體生成源供給源電力并向載置作為處理對象的基板的載置臺供給偏置電力來進行等離子體處理的等離子體處理裝置的控制程序，控制程序用于使計算機執行以下過程：觀測源電力和偏置電力的峰間電壓；以及調整作為用于控制觀測到的峰間電壓的變動幅度的調整用參數的、向等離子體生成源供給的源電力、向載置臺供給的偏置電力、向配置于載置臺的周圍的外周構件施加的直流電壓、以及連接在直流電壓的供給源與外周構件之間的濾波器電路的阻抗。

技術研發人員：竹田諒平,高山航,近江宗行,八重樫圭太,富永翔,高良穰二
受保護的技術使用者：東京毅力科創株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/3/10