1.一種半導體裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，還包括：
5.根據權利要求3所述的半導體裝置，
6.根據權利要求2所述的半導體裝置，
7.根據權利要求2所述的半導體裝置，
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，
9.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
10.根據權利要求9所述的半導體裝置，
11.根據權利要求9所述的半導體裝置，
12.根據權利要求9所述的半導體裝置，
13.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
14.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
15.根據權利要求2所述的半導體裝置，
16.根據權利要求15所述的半導體裝置，
17.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
18.根據權利要求17所述的半導體裝置，還包括：
19.根據權利要求18所述的半導體裝置，還包括：
20.根據權利要求18所述的半導體裝置，
21.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
22.根據權利要求2所述的半導體裝置，
23.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
24.根據權利要求23所述的半導體裝置，
25.根據權利要求23所述的半導體裝置，
26.根據權利要求23所述的半導體裝置，
27.根據權利要求23所述的半導體裝置，
28.根據權利要求23所述的半導體裝置，
29.根據權利要求23所述的半導體裝置，
30.根據權利要求23所述的半導體裝置，其中，從與所述后表面平行的方向觀察，所述半導體基板的基材在預定的深度位置具有臺階，
31.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
32.根據權利要求31所述的半導體裝置，
33.根據權利要求31所述的半導體裝置，
34.根據權利要求31所述的半導體裝置，
35.根據權利要求31所述的半導體裝置，
36.根據權利要求31所述的半導體裝置，還包括：
37.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：
38.根據權利要求37所述的半導體裝置，
39.根據權利要求37所述的半導體裝置，
40.根據權利要求39所述的半導體裝置，
41.根據權利要求39所述的半導體裝置，
42.根據權利要求39所述的半導體裝置，
43.根據權利要求2所述的半導體裝置，
44.根據權利要求43所述的半導體裝置，
45.根據權利要求44所述的半導體裝置，
46.根據權利要求44所述的半導體裝置，
47.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：導電金屬，嵌入在所述環狀溝槽中。
48.根據權利要求47所述的半導體裝置，
49.根據權利要求47所述的半導體裝置，還包括：第一絕緣膜，所述第一絕緣膜覆蓋所述環狀溝槽的側表面。
50.根據權利要求49所述的半導體裝置，還包括：第二絕緣膜，所述第二絕緣膜覆蓋所述通孔的側表面。
51.根據權利要求47所述的半導體裝置，
52.根據權利要求47所述的半導體裝置，
53.根據權利要求47所述的半導體裝置，
54.根據權利要求53所述的半導體裝置，
55.一種制造半導體裝置的方法，包括：
56.根據權利要求55所述的制造半導體裝置的方法，
57.根據權利要求56所述的制造半導體裝置的方法，
58.根據權利要求57所述的制造半導體裝置的方法，
59.根據權利要求58所述的制造半導體裝置的方法，其中，所述布線層包括預定數量的布線，并且