1.一種半導體制造用導電柱模塊前體，其具備由片狀的樹脂固化物擔載有導電柱部件的結構。
2.根據權利要求1所述的半導體制造用導電柱模塊前體，其中，片狀的樹脂固化物為有機硅固化物，導電柱部件為短徑長50～500μm、長徑長50～500μm的導電柱。
3.根據權利要求1所述的半導體制造用導電柱模塊前體，其中，片狀的樹脂固化物是通過硅氫化反應固化而得到的有機硅固化物，導電柱部件為直徑50～500μm、高度50～2000μm的圓柱狀銅柱。
4.一種半導體制造用導電柱模塊，其具備如下結構：由片狀的樹脂固化物擔載有導電柱部件、且所述導電柱部件從片狀的樹脂固化物的兩面露出。
5.一種半導體或半導體前體，其具有如下結構：權利要求4所述的半導體制造用導電柱模塊的至少一部分導電柱部件被焊接在基板上，且從片狀的樹脂固化物的相反側的面露出的導電柱直接或經由導電層(再配置層)粘接在半導體芯片上。
6.根據權利要求5所述的半導體或半導體前體，其進一步具備如下結構：基板、半導體芯片以及導電柱部件之間的間隙由模制底部填充材料填充。
7.一種半導體或半導體前體的制造方法，其包括如下工序：將從權利要求1所述的半導體制造用導電柱模塊前體露出的導電柱部件粘接在半導體芯片或基板上。
8.根據權利要求1所述的半導體制造用導電柱模塊前體的制造方法，其包括以下工序(i)～(iv)：
9.一種制造方法，其是權利要求8所述的半導體制造用導電柱模塊前體的制造方法，其特征在于，
10.一種制造方法，其是權利要求8所述的半導體制造用導電柱模塊前體的制造方法，其特征在于，
11.根據權利要求8所述的半導體制造用導電柱模塊前體的制造方法，其在所述工序(iv)之后，還具有如下工序：將任意露出的導電柱部件粘接在半導體用芯片或基板上之后，通過將所述片狀的樹脂固化物的至少一個面削掉，使導電柱露出在片狀樹脂固化物的兩面。
12.根據權利要求1所述的半導體制造用導電柱模塊前體的制造方法，其包括以下工序(i')～(v')：
13.一種半導體或半導體前體的制造方法，其包括以下工序(l1)～(l5)：
14.一種半導體或半導體前體的制造方法，其包括以下工序(l1')～(l5')：