本發明涉及使用在大氣壓氣氛下對試樣照射激光而生成離子的離子源的質量分析裝置。

背景技術：

1、為了鑒定或定量液體試樣中包含的目標物質，使用具備通過電噴霧離子化(esi)生成目標物質的離子的離子化部的質量分析裝置。在esi中，使液體試樣帶電并向大致大氣壓的離子化室噴霧，經由離子導入管向真空腔室內的質量分析部導入離子。離子導入管以貫通離子化室和真空腔室的分隔壁的方式配置，通過加熱該離子導入管，促進離子的脫溶劑，提高離子的生成效率。

2、此外，為了測量生物體試樣等所包含的目標物質，進行了使用具備maldi的質量分析裝置的質量分析(例如專利文獻1)。maldi是通過基質輔助激光解吸離子化(matrix-assisted?laser?desorption/ionization)法將試樣離子化的離子源。

3、maldi有在大氣壓氣氛下使試樣離子化的大氣壓maldi和在真空氣氛下使試樣離子化的真空maldi。具有大氣壓maldi的質量分析裝置具備大氣壓的離子化部(大氣壓maldi)和設置于真空腔室內的、根據質荷比分離并檢測離子的質量分析部。

4、在具備大氣壓maldi的質量分析裝置中，如下所述地進行質量分析。

5、首先，通過進行在載置于樣品板上的試樣的表面涂布容易離子化的物質即基質物質的前處理，在試樣的表面形成取入了該試樣的分子的基質物質的微晶。若將載置有前處理后的試樣的樣品板設置于maldi的規定位置并對試樣表面照射激光，則存在于該表面的基質物質的微晶被加熱，被取入至該微晶的試樣分子脫離而離子化。

6、由試樣分子生成的離子從離子導入管的入口端(離子取入口)被取入，穿過該離子導入管進入質量分析部。進入質量分析部的離子根據質荷比被分離，由離子檢測器檢測。通過將從離子檢測器依次輸出的信號強度與離子的質荷比相關聯，得到橫軸為質荷比、縱軸為信號強度的質譜。

7、在esi和大氣壓maldi中離子化的方法不同，但質量分析部能夠使用共通的質量分析部。但是，在大氣壓maldi中，用于將照射的光反射向試樣表面的反射鏡、用于聚光的透鏡等配置于試樣的前方。因此，與esi相比，在大氣壓maldi中試樣通常位于距真空腔室更遠的位置。

8、現有技術文獻

9、專利文獻

10、專利文獻1：日本特開2021-196303號公報

11、非專利文獻

12、非專利文獻1：《imaging?one-stop?application(成像一站式應用程序)～從給藥藥物的物性評價到基于藥物或代謝物的分布·定量的代謝組學～》，[在線]，株式會社島津制作所，[2023年9月7日檢索]，網址鏈接＜url：https://www.an.shimadzu.co.jp/bio/imaging/index.htm＞

技術實現思路

1、發明要解決的技術問題

2、若直接使用在esi中使用的離子導入管，則從試樣到離子導入管的入口的距離變長，離子向離子導入管的取入效率變差。因此，在通過大氣壓maldi生成離子的情況下，例如將延長管與用于將通過esi生成的離子導入到真空腔室內的離子導入管連接等而將該離子導入管的入口端配置于測量點的附近。然而，已知若將延長管與在esi中使用的離子導入管連接等而使其延長，來將通過大氣壓maldi生成的離子導入到真空腔室，則有時無法以充分的靈敏度測量離子。

3、本發明要解決的技術問題在于，在使用在大氣壓氣氛下對試樣照射激光而生成離子的離子源的質量分析裝置中，提高離子的測量靈敏度。

4、用于解決上述技術問題的方案

5、為了解決上述技術問題而完成的本發明是一種質量分析裝置，擇一地安裝有第1離子源和第2離子源作為離子化部，所述第1離子源在大氣壓氣氛下將液體試樣噴霧而進行離子化，所述第2離子源在大氣壓氣氛下對試樣照射激光而進行離子化，所述質量分析裝置具備：

6、質量分析部，設置在經由分隔壁與所述離子化部連接的真空腔室內，根據質荷比分離并檢測由所述離子化部生成的離子；

7、第2離子導入管，貫通所述分隔壁而設置，將由所述離子化部生成的離子導入到所述真空腔室內，所述第2離子導入管比在使用所述第1離子源時所使用的第1離子導入管更長，且在使用所述第2離子源時使用；

8、加熱部，對所述第2離子導入管中從所述第1離子導入管延長至所述離子化部側的部分進行加熱。

9、發明效果

10、上述的將液體試樣噴霧而進行離子化的第1離子源例如是esi、大氣壓化學離子化(apci)、或者具備這兩者的雙離子源(duis)。此外，上述的在大氣壓氣氛下對試樣照射激光而進行離子化的第2離子源例如是大氣壓maldi、表面輔助激光解吸離子化源(saldi)。

11、若將在esi、apci中使用的離子導入管直接在使用大氣壓maldi等時使用，則從離子導入管的入口端到測量點的距離變長，離子向離子導入管的取入效率變差。因此，在本發明中，在使用第2離子源時，使用比在使用第1離子源時所使用的第1離子導入管更長的第2離子導入管。根據本發明人得到的發現，以往在使用第2離子導入管時無法以充分的靈敏度測量離子的理由在于，第2離子導入管中從第1離子導入管延長至離子化部側的部分未被加熱而成為低溫。在本發明所涉及的質量分析裝置中，通過利用加熱部對第2離子導入管中從第1離子導入管延長至離子化部側的部分進行加熱，能夠比以往提高離子的測量靈敏度。

技術特征：

1.一種質量分析裝置，是擇一地安裝有第1離子源和第2離子源作為離子化部的質量分析裝置，所述第1離子源在大氣壓氣氛下將液體試樣噴霧而進行離子化，所述第2離子源在大氣壓氣氛下對試樣照射激光而進行離子化，所述質量分析裝置具備：

2.如權利要求1所述的質量分析裝置，其特征在于，所述第2離子導入管具有所述第1離子導入管和與該第1離子導入管連接的延長管。

3.如權利要求1所述的質量分析裝置，其特征在于，所述第2離子導入管由1根管構成。

4.如權利要求1所述的質量分析裝置，其特征在于，所述加熱部具有以包圍所述第2離子導入管的方式設置且通過通電而發熱的發熱體。

5.如權利要求4所述的質量分析裝置，其特征在于，所述發熱體和所述第2離子導入管分體地構成，能夠相互裝卸。

技術總結
一種質量分析裝置(1)，擇一地安裝有在大氣壓氣氛下將液體試樣噴霧而進行離子化的第1離子源(12)～(17)、和對試樣照射激光而進行離子化的第2離子源(111)作為離子化部，該質量分析裝置(1)具備：質量分析部(231)、(242)～(246)，設置在經由分隔壁與離子化部連接的真空腔室內，根據質荷比分離并檢測離子；第2離子導入管(31)、(36)，貫通分隔壁而設置，將離子導入到真空腔室內，該第2離子導入管比在使用第1離子源時所使用的第1離子導入管更長，且在使用第2離子源時使用；加熱部(37)、(38)，對第2離子導入管中從第1離子導入管延長至離子化部側的部分進行加熱。

技術研發人員：寺島健太,笠松鄉志
受保護的技術使用者：株式會社島津制作所
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28