本公開總體上涉及電容器，并且更具體地涉及包括硅襯底的電容器。

背景技術：

1、專利文獻1公開了一種電容器，包括硅襯底、導體層和電介質層。硅襯底具有第一主表面和第二主表面。硅襯底的第一主表面具有電容表現區域和非電容表現區域。硅襯底具有在第一主表面的電容表現區域中沿厚度方向形成的多孔部分。多孔部分具有多個微孔。

2、有時需要電容器來增加其電容。

3、專利文獻1：wo2020/184517a1

技術實現思路

1、本公開的目的是提供一種可以具有增加的電容的電容器。

2、根據本公開的一方面的電容器包括硅襯底、電介質層和導體層。所述硅襯底具有：第一區域，在所述第一區域中形成第一多孔部分；第二區域，在所述第二區域中形成第二多孔部分并且所述第二多孔部分圍繞所述第一區域；第三區域，所述第三區域圍繞所述第二區域；以及屋檐部分，當俯視時，所述屋檐部分從所述第三區域向內突出并且與所述第二多孔部分重疊。電介質層被布置為在硅襯底中覆蓋第一多孔部分的表面、第二多孔部分的表面、屋檐部分的表面和第三區域中的主表面。導體層堆疊在電介質層上。第一多孔部分具有在相對于硅襯底限定的厚度方向上延伸的多個第一微孔。在第一多孔部分中，屬于多個第一微孔的彼此相鄰定位的每對第一微孔在相對于硅襯底限定的厚度方向上具有不均勻的間隔。第二多孔部分具有多個第二微孔。在相對于硅襯底限定的厚度方向上測量的多個第二微孔中的每一個第二微孔與屋檐部分之間的間隔隨著距第一區域的距離增加和距第三區域的距離減小而增加其長度。所述電容器關于所述屋檐部分滿足第一條件或第二條件中的至少一者。第一條件是在相對于硅襯底限定的厚度方向上測量的第一距離應該長于在相對于硅襯底限定的厚度方向上測量的包括第三區域中的主表面的平面與屋檐部分的面向第二多孔部分的表面之間的第二距離的條件，其中，第一距離是平面與第一多孔部分之間的最短距離。第二條件是當俯視時，屋檐部分的尖端應當位于第二區域的內周邊緣之外的條件。

技術特征：

1.一種電容器，包括：

2.根據權利要求1所述的電容器，其中，所述導體層包括：

3.根據權利要求2所述的電容器，其中，

4.根據權利要求1至3中任一項所述的電容器，其中，

5.根據權利要求1至4中任一項所述的電容器，其中，

6.根據權利要求1至5中任一項所述的電容器，其中，

7.根據權利要求1-6中任一項所述的電容器，其中，

8.根據權利要求7所述的電容器，其中，

技術總結
問題是增加電容。硅襯底(2)具有第一區域(A1)、第二區域(A2)、第三區域(A3)和從第三區域(A3)向內突出并且當俯視時與第二多孔部分(23B)重疊的屋檐部分(27)。電容器(1)相對于屋檐部分(27)滿足第一條件或第二條件中的至少一者。第一條件是在相對于硅襯底(2)限定的厚度方向(D1)上測量的第一距離(H1)應當長于在相對于硅襯底(2)限定的厚度方向(D1)上測量的包括第三區域(A3)中的主表面(21)的平面(VP1)與屋檐部分(27)的面向第二多孔部(23B)的表面(27B)之間的第二距離(H2)，其中，第一距離(H1)是平面(VP1)與第一多孔部分(23A)之間的最短距離。第二條件是當俯視時，屋檐部分(27)的尖端(272)應當位于第二區域(A2)的內周邊緣之外的條件。

技術研發人員：萩原洋右,吉田和司,藤田智弘
受保護的技術使用者：松下知識產權經營株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28