本公開涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術：

1、作為使用陶瓷材料的陶瓷電子組件，有電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻、熱敏電阻等。在陶瓷電子組件中，由于諸如小尺寸、高電容、容易安裝等優點，多層陶瓷電容器(mlcc)可用于各種電子裝置中。

2、例如，多層陶瓷電容器可以是安裝在各種電子產品(諸如圖像裝置(例如液晶顯示器(lcd)、等離子顯示面板(pdp)等)、計算機、個人便攜式終端、智能電話等)的印刷電路板上以用于對其充電或從其放電的片式電容器。

3、近來，隨著電子產品的小型化，還要求多層陶瓷電容器小型化并具有超高電容。為此，減小了介電層和內電極層的厚度，并且正在開發具有其中堆疊更多數量的介電層和內電極層的結構的多層陶瓷電容器。近來，這些超小型且超高電容的多層陶瓷電容器用于需要高水平可靠性的領域(諸如電動車輛)，因此，需要這種多層陶瓷電容器具有高可靠性。

技術實現思路

1、實施例試圖提供一種具有優異可靠性的多層陶瓷電容器。

2、另一實施例試圖提供一種制造多層陶瓷電容器的方法。

3、一種多層陶瓷電容器可包括：電容器主體，包括介電層和內電極層；以及外電極，設置在所述電容器主體外部，其中，所述外電極包括下層和上層，所述下層位于所述電容器主體的表面上以電連接到所述內電極層，所述上層覆蓋所述下層，其中，所述下層包括第一玻璃，相對于所述第一玻璃的組分總量，所述第一玻璃可包括大于0原子％且小于等于8原子％的量的鋁(al)，并且其中，所述上層包括第二玻璃，相對于所述第二玻璃的組分總量，所述第二玻璃可包括大于等于10原子％且小于等于20原子％的量的鋁(al)。

4、包括在所述第二玻璃中的鋁(al)的量與包括在所述第一玻璃中的鋁(al)的量的原子比可大于2且小于等于100。

5、所述第二玻璃還可包括鋰(li)、鈉(na)、鐵(fe)、鋇(ba)、鈣(ca)、鋅(zn)、硼(b)、硅(si)、錫(sn)或它們的組合。

6、所述第二玻璃可包括硅(si)，并且相對于所述第二玻璃的組分總量，鋁(al)和硅(si)的組分總和為20原子％至50原子％。

7、所述第一玻璃還可包括鋰(li)、鈉(na)、鐵(fe)、鋇(ba)、鈣(ca)、鋅(zn)、硼(b)、硅(si)、錫(sn)或它們的組合。

8、所述第一玻璃可包括鋇(ba)和鋅(zn)，并且相對于所述第一玻璃的組分總量，鋇(ba)和鋅(zn)的組分總和為50原子％至95原子％。

9、所述第一玻璃和所述第二玻璃還可包括鈉(na)，并且包括在所述第二玻璃中的鈉(na)的量與包括在所述第一玻璃中的鈉(na)的量的原子比可大于2且小于等于100。

10、所述第一玻璃和所述第二玻璃還可包括鐵(fe)，并且包括在所述第二玻璃中的鐵(fe)的量與包括在所述第一玻璃中的鐵(fe)的量的原子比可大于2且小于等于100。

11、所述下層和所述上層中的至少一者還可包括導電金屬。

12、所述導電金屬可包括銅(cu)、鎳(ni)、銀(ag)、鈀(pd)、金(au)、鉑(pt)、錫(sn)、鎢(w)、鈦(ti)、鉛(pb)、它們的合金或它們的組合。

13、所述外電極可包括中心部和拐角部，所述中心部包括所述多層陶瓷電容器的在厚度方向上的中心點，所述拐角部包括所述多層陶瓷電容器的拐角點，并且所述外電極的拐角部與中心部的厚度比可以為0.1至0.5。

14、所述第二玻璃可包括鋰(li)。

15、所述第一玻璃還可包括鋰(li)，并且包括在所述第二玻璃中的鋰(li)的量與包括在所述第一玻璃中的鋰(li)的量的原子比大于1。

16、一種制造多層陶瓷電容器的方法可包括：將用于形成外電極的下層的第一膏涂覆在電容器主體的表面上，所述電容器主體包括介電層和內電極層，所述下層包括第一玻璃；通過燒結所述第一膏形成所述下層；將用于形成所述外電極的上層的第二膏涂覆在所述外電極的所述下層上，所述上層包括第二玻璃；以及通過燒結所述第二膏形成所述上層，其中，所述第一膏包括形成所述第一玻璃的第一玻璃組合物，并且相對于100摩爾份的所述第一玻璃組合物的總量，所述第一玻璃組合物可包括大于0摩爾份且小于等于8摩爾份的量的氧化鋁(al2o3)，并且其中，所述第二膏包括形成所述第二玻璃的第二玻璃組合物，并且相對于100摩爾份的所述第二玻璃組合物的總量，所述第二玻璃組合物可包括大于等于10摩爾份且小于等于20摩爾份的量的氧化鋁(al2o3)。

17、一種制造多層陶瓷電容器的方法可包括：將用于形成外電極的下層的第一膏涂覆在電容器主體的表面上，所述電容器主體包括介電層和內電極層，所述下層包括第一玻璃；將用于形成所述外電極的上層的第二膏涂覆在所述第一膏上，所述上層包括第二玻璃；以及通過燒結涂覆有所述第一膏和所述第二膏的所述電容器主體來形成包括所述下層和所述上層的所述外電極，其中，所述第一膏包括形成所述第一玻璃的第一玻璃組合物，并且相對于100摩爾份的所述第一玻璃組合物的總量，所述第一玻璃組合物可包括大于0摩爾份且小于等于8摩爾份的量的氧化鋁(al2o3)，并且其中，所述第二膏包括形成所述第二玻璃的第二玻璃組合物，并且相對于100摩爾份的所述第二玻璃組合物的總量，所述第二玻璃組合物可包括大于等于10摩爾份且小于等于20摩爾份的量的氧化鋁(al2o3)。

18、所述第一玻璃組合物還可包括氧化鋇(bao)、氧化鈣(cao)、氧化鋅(zno)、氧化硼(b2o3)、二氧化硅(sio2)或它們的組合。

19、相對于100摩爾份的所述第一玻璃組合物的總量，氧化鋇(bao)的量可以為10摩爾份至40摩爾份；氧化鈣(cao)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；氧化鋅(zno)的量可以為10摩爾份至40摩爾份；氧化硼(b2o3)的量可以為10摩爾份至40摩爾份；并且二氧化硅(sio2)的量可以為1摩爾份至20摩爾份。

20、所述第二玻璃組合物還可包括氧化鋰(li2o)、氧化鈉(na2o)、氧化鋇(bao)、氧化鈣(cao)、氧化鋅(zno)、氧化硼(b2o3)、二氧化硅(sio2)、氧化鐵(fe2o3)或它們的組合。

21、相對于100摩爾份的所述第二玻璃組合物的總量，氧化鋰(li2o)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；氧化鈉(na2o)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；氧化鋇(bao)的量可以為10摩爾份至40摩爾份；氧化鈣(cao)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；氧化鋅(zno)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；氧化硼(b2o3)的量可以為10摩爾份至40摩爾份；二氧化硅(sio2)的量可以為1摩爾份至20摩爾份；并且氧化鐵(fe2o3)的量可以為0.1摩爾份至10摩爾份。

22、所述第一膏和所述第二膏中的至少一者還可包括導電金屬。

23、根據實施例的多層陶瓷電容器可通過包括表現出與內電極層的接觸性優異、耐腐蝕性優異和耐濕可靠性優異的外電極而具有改善的可靠性。