本公開涉及一種電容器及其制造方法。

背景技術：

1、用于電子裝置的電子部件包括電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻器或熱敏電阻器。在這些陶瓷電子組件中，堆疊式電容器因為具有小尺寸、保證高容量并且可容易地安裝，可用于各種電子裝置中。

2、例如，堆疊式電容器是安裝在各種電子產品(諸如液晶顯示器(lcd)、等離子體顯示面板、有機發光二極管(oled)等的成像裝置、計算機、個人便攜式終端、智能手機等)的基板上以用于充電或放電的片式電容器。

3、隨著最近電子產品的尺寸減小和薄膜化的趨勢，與現有的堆疊式電容器相比，對高容量電容器的需求正在增加。

技術實現思路

1、實施例中的至少一個在于提供一種具有高容量的電容器及其制造方法。

2、然而，通過本公開的實施例要解決的問題不限于上述問題，并且可在本公開中包括的技術思想的范圍內以各種方式擴展。

3、根據一個方面的電容器包括：基板，包括距所述基板的上表面具有深度的槽；以及主體，包括堆疊的第一內電極和第二內電極并在所述第一內電極和所述第二內電極之間設置介電層，并且所述主體設置在所述槽上。所述槽的寬度可以是所述槽的所述深度的1倍或更大，并且所述槽的長度可以是所述槽的所述深度的1倍或更大。

4、所述電容器還可包括：第一外電極，設置在所述主體沿長度方向的一個端部的上表面上；以及第二外電極，設置在所述主體沿所述長度方向的另一端部的上表面上。

5、所述主體還可包括設置在所述第一外電極和所述第二內電極之間的第一電極分隔層。

6、所述第二內電極的一個端部可具有在所述主體沿所述長度方向的所述一個端部處凹入到所述槽的內側中的結構，并且所述第一電極分隔層可設置在兩個相鄰介電層之間的空間中。

7、所述主體還可包括設置在所述第二外電極和所述第一內電極之間的第二電極分隔層。

8、所述第一內電極的一個端部可具有在所述主體沿所述長度方向的所述另一端部處凹入到所述槽的內側中的結構，所述第二電極分隔層可設置在兩個相鄰介電層之間的空間中。

9、所述電容器還可包括設置在所述槽和所述主體之間的下絕緣層。

10、所述電容器還可包括：第一外電極，在所述主體的上表面上連接到所述第一內電極；第二外電極，在所述主體的所述上表面上連接到所述第二內電極；以及絕緣層，設置在所述主體的所述上表面的除了設置所述第一外電極和所述第二外電極的部分之外的部分上。

11、所述槽可具有沿寬度方向的一側向所述基板的側表面方向敞開的結構，并且所述主體沿所述寬度方向的一側可設置在所述基板的所述側表面上。

12、所述基板可包括縱向脊部，所述縱向脊部從所述槽的底表面向上突出并且設置成與所述槽的沿寬度方向的兩側間隔開。

13、所述基板可包括橫向脊部，所述橫向脊部從所述槽的底表面向上突出并且設置成與所述槽的沿長度方向的兩側間隔開。

14、所述電容器還可包括：第一外電極，在所述主體的上表面上連接到所述第一內電極；以及第二外電極，在所述主體的所述上表面上連接到所述第二內電極。在所述第一外電極和所述第二外電極的下方區域中的所述主體與所述基板之間的邊界可相對于所述基板的所述上表面傾斜。

15、所述槽的所述寬度可以是所述槽的所述深度的1倍或更大且44倍或更小，并且所述槽的所述長度可以是所述槽的所述深度的1倍或更大且54倍或更小。

16、所述槽的所述深度可以為100μm或更小。

17、所述第一內電極和所述第二內電極可僅設置在所述槽中。

18、根據另一方面的電容器制造方法包括：在基板上形成槽，所述槽從所述基板的上表面沿朝向所述基板的底表面的方向凹入；在所述基板的所述上表面上和所述槽上形成內電極層和介電層；通過去除所述內電極層和所述介電層中的設置在所述槽的外部的部分，在所述槽上形成包括所述介電層以及通過所述內電極層形成的內電極的主體；以及在所述主體上形成與所述內電極連接的外電極。

19、可通過拋光工藝執行去除所述內電極層和所述介電層的所述部分。

20、根據另一方面的電容器包括：基板，包括距所述基板的上表面具有深度的槽；以及主體，包括堆疊的第一內電極和第二內電極并在所述第一內電極和所述第二內電極之間設置介電層，并且所述主體設置在所述槽上。所述第一內電極和所述第二內電極可僅設置在所述槽中。

21、所述電容器還可包括：第一外電極，設置在所述主體的一個端部的上表面和所述基板的所述上表面上，以連接到所述第一內電極；以及第二外電極，設置在所述主體的另一端部的上表面和所述基板的所述上表面上，以連接到所述第二內電極。

22、所述電容器還可包括：第一電極分隔層，設置在所述第一外電極和所述第二內電極之間；以及第二電極分隔層，設置在所述第二外電極和所述第一內電極之間。

23、根據至少一個實施例，可提供一種具有高容量的電容器及其制造方法。

技術特征：

1.一種電容器，包括：

2.根據權利要求1所述的電容器，所述電容器還包括：

3.根據權利要求2所述的電容器，其中：

4.根據權利要求3所述的電容器，其中：

5.根據權利要求2或3所述的電容器，其中：

6.根據權利要求5所述的電容器，其中：

7.根據權利要求1所述的電容器，所述電容器還包括設置在所述槽和所述主體之間的下絕緣層。

8.根據權利要求1所述的電容器，所述電容器還包括：

9.根據權利要求1所述的電容器，其中：

10.根據權利要求1所述的電容器，其中：

11.根據權利要求1所述的電容器，其中：

12.根據權利要求1所述的電容器，所述電容器還包括：

13.根據權利要求1所述的電容器，其中：

14.根據權利要求1所述的電容器，其中：

15.根據權利要求1所述的電容器，其中：

16.一種電容器制造方法，包括：

17.根據權利要求16所述的電容器制造方法，其中：

18.一種電容器，包括：

19.根據權利要求18所述的電容器，所述電容器還包括：

20.根據權利要求19所述的電容器，所述電容器還包括：

技術總結
本公開提供一種電容器及其制造方法。根據一個方面的電容器包括：基板，其中形成有距上表面具有第一深度的槽；以及主體，包括堆疊的第一內電極和第二內電極且在所述第一內電極和所述第二內電極之間設置介電層，并且所述主體設置在所述槽上，其中，所述槽的寬度可以是所述槽的所述第一深度的1倍或更大，并且所述槽的長度可以是所述槽的所述第一深度的1倍或更大。

技術研發人員：李文喆,趙成珉,樸世訓,樸泰俊,韓昇勳,金政民
受保護的技術使用者：三星電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28