本公開涉及激光裝置和電子器件的制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，在半導(dǎo)體曝光裝置中，隨著半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，從曝光用光源發(fā)射的光的短波長化得以發(fā)展。例如，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長大約為248nm的激光的krf準(zhǔn)分子激光裝置、以及輸出波長大約為193nm的激光的arf準(zhǔn)分子激光裝置。

2、krf準(zhǔn)分子激光裝置和arf準(zhǔn)分子激光裝置的自然振蕩光的譜線寬度較寬，大約為350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光這種紫外線透過的材料構(gòu)成投影透鏡時，有時產(chǎn)生色差。其結(jié)果，分辨率可能降低。因此，需要將從氣體激光裝置輸出的激光的譜線寬度窄帶化到能夠無視色差的程度。因此，在氣體激光裝置的激光諧振器內(nèi)，為了使譜線寬度窄帶化，有時具有包含窄帶化元件(標(biāo)準(zhǔn)具、光柵等)的窄帶化模塊(line?narrowing?module：lnm)。將譜線寬度被窄帶化的氣體激光裝置稱為窄帶化氣體激光裝置。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：美國專利申請公開第2019/0237928號說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的1個觀點(diǎn)的激光裝置具有：激光腔，其收納含氟的激光氣體；一對放電電極，其被配置于激光腔內(nèi)；氣體供給口，其被配置于激光腔；以及xef2晶體，其被配置于與氣體供給口連通的xef2氣化空間而被氣化。

2、本公開的1個觀點(diǎn)的電子器件的制造方法包含以下步驟：通過激光裝置生成激光，將激光輸出到曝光裝置，在曝光裝置內(nèi)在感光基板上使激光進(jìn)行曝光，以制造電子器件，該激光裝置具有：激光腔，其收納含氟的激光氣體；一對放電電極，其被配置于激光腔內(nèi)；氣體供給口，其被配置于激光腔；以及xef2晶體，其被配置于與氣體供給口連通的xef2氣化空間而被氣化。

技術(shù)特征：

1.一種激光裝置，其具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的激光裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的激光裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激光裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光裝置，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光裝置，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光裝置，其中，

20.一種電子器件的制造方法，其包含以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供激光裝置和電子器件的制造方法。激光裝置具有：激光腔，其收納含氟的激光氣體；一對放電電極，其被配置于激光腔內(nèi)；氣體供給口，其被配置于激光腔；以及XeF<subgt;2</subgt;晶體，其被配置于與氣體供給口連通的XeF<subgt;2</subgt;氣化空間而被氣化。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐木陽一,若林理
受保護(hù)的技術(shù)使用者：極光先進(jìn)雷射株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28