本技術屬于大功率高頻逆變電源設備領域，尤其涉及一種基于sic模塊功率器件的功率單元。

背景技術：

1、功率器件本身的電氣特性直接影響電源設備輸出能力外，功率單元的單位體積功率密度是另外一個限制電源設備輸出功率的重要因素。隨著對電源設備輸出功率需求的不斷提升，設備內部需要并聯的功率單元模組數量線性增長，設備整體體積也隨之不斷加大。但是，體積的增大帶來不良影響是多方面的，不僅設備內部各電氣元件的空間距離越來越遠，電路布置繁雜冗長導致設備整體的工作可靠性、穩定性隨之下降；除此之外，功率單元作為一個相對完整獨立的電氣功能模塊，其各電氣、水路端口的轉接不方便，導致難拆裝，不便于維護。

技術實現思路

1、本實用新型的目的是提供一種基于sic模塊功率器件的功率單元，解決功率單元體積大電路繁雜冗長導致設備可靠性和穩定性下降以及其各電氣、水路端口的轉接不方便的問題。

2、為達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

3、一種基于sic模塊功率器件的功率單元，包括單元箱殼體和疊層母排，所述單元箱殼體一側預留直流輸入排，所述疊層母排置于單元箱殼體內，疊層母排上設sic?mosfet模塊，且sic?mosfet模塊的一端穿過單元箱殼體直流輸入排的相對側，所述直流輸入排和sicmosfet模塊通過疊層母排實現電氣回路連通，所述疊層母排上靠近直流輸入排設直流支撐電容；所述直流支撐電容兩側均設sic?mosfet驅動板，并且在靠近sic?mosfet驅動板的單元箱殼體上分別裝有驅動電源板；所述疊層母排上均勻分布吸收電容。

4、所述單元箱殼體內sic?mosfet模塊之間設水冷散熱器。

5、所述單元箱殼體上方設供電電源以及風機；風機置于供電電源周邊，其間附著有高導熱絕緣材料，以保證功率器件的正常散熱和電氣絕緣。

6、所述單元箱殼體上方靠近直流輸入排一側中間設風機保護板，風機保護板兩側設接線端子。

7、所述吸收電容為8個，所述sic?mosfet模塊為2個。

8、所述單元箱殼體一側sic?mosfet模塊下方設水路接口。

9、本實用新型的有益效果：

10、（1）在保證核心器件穩定運行的前提下，相關器件順序分布在疊層母排上，功率單元內部電氣布局更加合理緊湊，實現更小的空間占用，提高設備整體的工作可靠性、穩定性；

11、（2）通過單元箱殼體外表面預留直流輸入排、接線端子、風機和水路接口，整體外部接口設置簡潔明了，安裝維護方便快捷；

12、（3）單元殼體上預留水路接口，電氣和水路轉接方便，結合水冷散熱器和風機使用，散熱效果好，延長設備使用壽命。

技術特征：

1.一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，包括單元箱殼體（9）和疊層母排（7），所述單元箱殼體（9）一側預留直流輸入排（1），所述疊層母排（7）置于單元箱殼體（9）內，疊層母排（7）上設sic?mosfet模塊（6），且sic?mosfet模塊（6）的一端穿過單元箱殼體（9）上直流輸入排（1）的相對側，所述直流輸入排（1）和sic?mosfet模塊（6）通過疊層母排（7）實現電氣回路連通，所述疊層母排（7）上靠近直流輸入排（1）設直流支撐電容（2）；所述直流支撐電容（2）兩側均設sic?mosfet驅動板（3），并且在靠近sic?mosfet驅動板（3）的單元箱殼體（9）上分別裝有驅動電源板（4）；所述疊層母排（7）上均勻分布吸收電容（5）。

2.根據權利要求1所述的一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，所述單元箱殼體（9）內sic?mosfet模塊（6）之間設水冷散熱器。

3.根據權利要求1所述的一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，所述單元箱殼體（9）上方設供電電源（14）以及風機（11），風機（11）置于供電電源（14）周邊，其間附著有高導熱絕緣材料。

4.根據權利要求1或2任意一項所述的一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，所述單元箱殼體（9）上方靠近直流輸入排（1）一側中間設風機保護板（12），所述風機保護板（12）兩側設接線端子（13）。

5.根據權利要求1所述的一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，所述吸收電容（5）為8個，所述sic?mosfet模塊（6）為2個。

6.根據權利要求1所述的一種基于sic模塊功率器件的功率單元，其特征在于，所述單元箱殼體（9）一側sic?mosfet模塊（6）下方設水路接口（10）。

技術總結
本技術屬于大功率高頻逆變電源設備領域，尤其涉及一種基于SiC模塊功率器件的功率單元，包括單元箱殼體和疊層母排，單元箱殼體一側預留直流輸入排，疊層母排置于單元箱殼體內，疊層母排上設SIC?MOSFET模塊，且SIC?MOSFET模塊的一端穿過單元箱殼體直流輸入排的相對側，直流輸入排和SIC?MOSFET模塊通過疊層母排實現電氣回路連通，疊層母排上靠近直流輸入排設直流支撐電容；所述直流支撐電容兩側均設SIC?MOSFET驅動板，并且在靠近SIC?MOSFET驅動板的單元箱殼體上分別裝有驅動電源板；疊層母排上均勻分布吸收電容，單元箱殼體上方設供電電源以及風機。該功率單元內部電氣布局更加合理緊湊，實現更小的空間占用，提高設備整體的工作可靠性、穩定性。

技術研發人員：柴艷鵬,郭宇澤,曹鴻,趙文晉
受保護的技術使用者：天津應大科訊電氣設備有限公司
技術研發日：20231212
技術公布日：2025/4/28