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一種反饋型D鎖存器的制作方法

文檔序號:11146716閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種反饋型D鎖存器,其特征在于包括反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管;所述的第一PMOS管的源極和所述的第二PMOS管的源極分別接入電源,所述的第一PMOS管的漏極、所述的第二PMOS管的柵極、所述的第一NMOS管的漏極和所述的第二NMOS管的柵極連接且其連接端為所述的反饋型D鎖存器的輸出端,所述的第一PMOS管的柵極、所述的第一NMOS管的柵極、所述的第二PMOS管的漏極、所述的第二NMOS管的漏極、所述的第三NMOS管的柵極、所述的第三PMOS管的漏極和所述的第五NMOS管的漏極連接,所述的第一NMOS管的源極、所述的第二NMOS管的源極和所述的第三NMOS管的漏極連接,所述的第三NMOS管的源極接地,所述的第四NMOS管的漏極和所述的第五NMOS管的源極連接,所述的第四NMOS管的柵極和所述的第五NMOS管的柵極連接且其連接端為所述的反饋型D鎖存器的時鐘端,所述的反相器的輸入端為所述的反饋型D鎖存器的輸入端,所述的反相器的輸出端、所述的第四NMOS管的源極和所述的第三PMOS管的源極連接,所述的第三PMOS管的柵極為所述的反饋型D鎖存器的反相時鐘輸入端。

2.根據權利要求1所述的一種反饋D鎖存器,其特征在于所述的反相器包括第四PMOS管和第六NMOS管;所述的第四PMOS管的源極接入電源,所述的第四PMOS管的漏極和所述的第六NMOS管的漏極連接且其連接端為所述的反相器的輸出端,所述的第四PMOS管的柵極和所述的第六NMOS管的柵極連接且其連接端為所述的反相器的輸入端,所述的第六NMOS管的源極接地。

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