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一種反饋型D鎖存器的制作方法

文檔序號:11146716閱讀:來源:國知局
技術總結
本發明公開了一種反饋型D鎖存器,包括反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管,第一PMOS管的漏極、第二PMOS管的柵極、第一NMOS管的漏極和第二NMOS管的柵極連接,第一PMOS管的柵極、第一NMOS管的柵極、第二PMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極、第三NMOS管的柵極、第三PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極連接,第一NMOS管的源極、第二NMOS管的源極和第三NMOS管的漏極連接,第四NMOS管的漏極和第五NMOS管的源極連接,第四NMOS管的柵極和第五NMOS管的柵極連接,反相器的輸出端、第四NMOS管的源極和第三PMOS管的源極連接;優點是功耗較低,輸出穩定,魯棒性較好。

技術研發人員:鄔楊波;雷師節
受保護的技術使用者:寧波大學
文檔號碼:201611102260
技術研發日:2016.12.05
技術公布日:2017.05.10

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