本發明涉及一種快閃存儲器結構，更具體言之，其涉及一種具有交替設置的分支摻雜區的快閃存儲器結構。

背景技術：

1、快閃存儲器是一種非易失性的電子存儲媒介，其可進行抹除及重編程等動作，被廣泛使用在多種的商用或軍用電子裝置或設備中。為了存儲數據，快閃存儲器會具備可尋址的存儲單元陣列，其一般是由浮柵晶體管所構成。一般常見的快閃存儲器單元包含層疊式柵極存儲器單元設計或是分離柵(split?gate)存儲器單元設計，如第三代內嵌式超級快閃存儲器(the?3rd?generation?embedded?super?flash,esf3)，其中分離柵存儲器單元設計相較于層疊式柵極存儲器單元設計而言具有諸多優點，如低能耗、高注入效率、不容易受到短通道效應以及過度抹除的影響。

2、現今半導體元件的尺度不斷微縮，特別是在存儲器元件方面，以在單位的布局面積下提供更大的存儲容量。隨著尺寸的微縮，快閃存儲器中相鄰浮柵之間的距離也越來越小，相關制作工藝的容限空間也越來越小。在這樣的情況下，負責隔離的淺溝槽隔離結構容易因為制作工藝變異的緣故而沒有達到其應有的隔離效果，使得相鄰浮柵彼此連接而短路。故此，本領域的技術人士必須對現有的快閃存儲器結構與制作工藝進行改良，以期解決上述問題。

技術實現思路

1、有鑒于前述需求，本發明于此提出了一種新穎的快閃存儲器結構，其特點在于具有在來源線兩側交替設置的分支摻雜區，如此可以避免相鄰的浮柵短路或是相對的淺溝槽隔離結構橋接等現有問題，同時可增加制作工藝容限并減少存儲單元所需面積。

2、本發明的其一目的在于提出一種快閃存儲器結構，其包含一半導體基底，具有一主動區以及淺溝槽隔離結構，其中該主動區包含往第一方向延伸的一來源線摻雜區以及往第二方向延伸的多個分支摻雜區位于該來源線摻雜區的兩側且沿著該第一方向交互設置，該些分支摻雜區被該些淺溝槽隔離結構所分隔。一抹除柵位于該來源線摻雜區上且往該第一方向延伸。多個浮柵位于該抹除柵兩側的該些分支摻雜區上，以及兩字線分別位于該兩浮柵的外側且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區。

3、本發明的另一目的在于提出一種快閃存儲器結構，其包含一半導體基底，具有一主動區以及淺溝槽隔離結構，其中該主動區包含往第一方向延伸的一來源線摻雜區以及往第二方向延伸的多個分支摻雜區位于該來源線摻雜區兩側，該些分支摻雜區被該些淺溝槽隔離結構所分隔。一抹除柵位于該來源線摻雜區上且往該第一方向延伸，多個浮柵位于該抹除柵兩側的該些分支摻雜區上，兩字線分別位于該兩浮柵的外側且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區，以及一第一金屬層位于該半導體基底上，該第一金屬層具有多條金屬線圖案，其中每條該金屬線圖案具有一彎折部位位于該來源線摻雜區正上方以及兩直線部位分別連接于該彎折部位兩端以及位于該來源線摻雜區兩側的兩該些分支摻雜區的正上方并往該第二方向延伸。

4、本發明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文中以多種圖示與繪圖來描述的優選實施例的細節說明后應可變得更為明了顯見。

技術特征：

1.一種快閃存儲器結構，包含：

2.如權利要求1所述的快閃存儲器結構，其中位于該來源線摻雜區一側的該分支摻雜區對應到位于該來源線摻雜區另一側的該淺溝槽隔離結構。

3.如權利要求1所述的快閃存儲器結構，其中多個該些分支摻雜區構成存儲區塊，該存儲區塊中央具有抹除柵區帶。

4.如權利要求3所述的快閃存儲器結構，還包含兩控制柵分別位于該兩浮柵之上且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區，且該存儲區塊的一端還具有控制柵區帶。

5.如權利要求4所述的快閃存儲器結構，其中該控制柵在該控制柵帶上具有向該第二方向延伸的凸出部，該控制柵在該凸出部上通過控制柵接觸件連接到第一金屬層。

6.如權利要求3所述的快閃存儲器結構，還包含兩字線分別位于該些浮柵的外側且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區，且該存儲區塊的一端還具有字線區帶。

7.如權利要求6所述的快閃存儲器結構，其中該來源線摻雜區在該字線區帶上通過來源線接觸件連接到第一金屬層。

8.如權利要求6所述的快閃存儲器結構，其中該字線在該字線區帶上通過字線接觸件連接到第一金屬層。

9.如權利要求3所述的快閃存儲器結構，其中該抹除柵在該抹除柵區帶上通過抹除柵接觸件連接到第一金屬層。

10.如權利要求1所述的快閃存儲器結構，還包含第一金屬層位于該半導體基底上，該第一金屬層具有多條金屬線圖案，其中每條該金屬線圖案具有彎折部位位于該來源線摻雜區正上方以及兩直線部位分別位于該彎折部位兩端以及位于該來源線摻雜區兩側的兩該些分支摻雜區的正上方并往該第二方向延伸。

11.如權利要求10所述的快閃存儲器結構，其中每條該金屬線圖案的該兩直線部位分別通過位線接觸件與該兩分支摻雜區連接。

12.一種快閃存儲器結構，包含：

13.如權利要求12所述的快閃存儲器結構，其中位于該來源線摻雜區兩側的該些分支摻雜區沿著該第二方向交互設置，且位于該來源線摻雜區一側的該來源線摻雜區對應到位于該來源線摻雜區另一側的該淺溝槽隔離結構。

14.如權利要求12所述的快閃存儲器結構，其中多個該分支摻雜區構成存儲區塊，該存儲區塊中央具有抹除柵區帶。

15.如權利要求14所述的快閃存儲器結構，還包含兩控制柵分別位于該兩浮柵之上且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區，且該存儲區塊的一端還具有控制柵區帶。

16.如權利要求15所述的快閃存儲器結構，其中該控制柵在該控制柵區帶上具有向該第二方向延伸的凸出部，該控制柵在該凸出部上通過控制柵接觸件連接到該第一金屬層。

17.如權利要求14所述的快閃存儲器結構，還包含兩字線分別位于該些浮柵的外側且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區，且該存儲區塊的一端還具有字線區帶。

18.如權利要求17所述的快閃存儲器結構，其中該來源線摻雜區在該字線區帶上通過來源線接觸件連接到該第一金屬層。

19.如權利要求14所述的快閃存儲器結構，其中該抹除柵在該抹除柵區帶上通過抹除柵接觸件連接到該第一金屬層。

20.如權利要求14所述的快閃存儲器結構，其中該字線在該字線區帶上通過字線接觸件連接到該第一金屬層。

21.如權利要求11所述的快閃存儲器結構，其中每條該金屬線圖案的該兩直線部位分別通過位線接觸件與兩該些分支摻雜區連接。

技術總結
本發明公開一種快閃存儲器結構，包含一主動區以及淺溝槽隔離結構，其中該主動區包含往第一方向延伸的一來源線摻雜區以及往第二方向延伸的多個分支摻雜區位于該來源線摻雜區的兩側且沿著該第一方向交互設置，該些分支摻雜區被該些淺溝槽隔離結構所分隔。一抹除柵位于該來源線摻雜區上且往該第一方向延伸，多個浮柵位于該抹除柵兩側的該些分支摻雜區上，以及兩字線分別位于該兩浮柵的外側且往該第一方向延伸經過多個該些分支摻雜區。

技術研發人員：吳秋龍
受保護的技術使用者：聯華電子股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28