以下描述涉及一種偏置電路和包括偏置電路的低噪聲放大器電路。

背景技術：

1、在通信系統的前端模塊(fem)中，用于接收的低噪聲放大器(lna)通常可使用1.8v的電源電壓。然而，為了降低通信系統的功耗，電源電壓被降低到1.2v。

2、在當前的通信系統中，電源電壓被分成1.8v和1.2v，并且在一些示例中，支持1.8v和1.2v兩者的電源電壓。

3、通常，低噪聲放大器可包括具有共源共柵結構的共源極晶體管和共柵極晶體管。共柵極晶體管的偏置電路使用電源電壓施加偏置電壓，并且在使用1.8v的電源電壓時的偏置電壓可與在使用1.2v的電源電壓時的偏置電壓不同。因此，需要一種即使電源電壓改變也可提供恒定偏置電壓的方法。

4、上述信息作為背景信息呈現，僅用于幫助理解本公開。上述記載不應被解釋為這些內容屬于本公開的現有技術。

技術實現思路

1、提供本
技術實現要素：
以按照簡化的形式介紹所選擇的構思，并在以下具體實施方式中進一步描述這些構思。本發明內容既不意在明確所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

2、在一個總體方面，一種連接到第一晶體管(所述第一晶體管被配置為放大輸入射頻(rf)信號)并且被配置為向第二晶體管(所述第二晶體管放大所述第一晶體管的輸出rf信號)提供偏置電壓的偏置電路包括：電流源，被配置為接收電源電壓，并且生成參考電流；以及電流-電壓轉換電路，被配置為將所述參考電流轉換為所述偏置電壓，并且將所述偏置電壓提供到所述第二晶體管的控制端子。

3、所述電流源可被配置為隨著溫度升高而增加所述參考電流的幅度。

4、所述電流源可包括：第三晶體管，被配置為具有連接到供應所述電源電壓的電源端子的第一端子和通過電阻器連接到地的第二端子；以及第四晶體管，以電流鏡結構連接到所述第三晶體管，并且被配置為通過鏡像所述第三晶體管的電流來生成所述參考電流，其中，所述電阻器的電阻值隨著溫度升高而減小。

5、所述電流源還可包括：運算放大器，被配置為具有被施加參考電壓的第一端子、連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第二端子以及連接到所述第三晶體管的控制端子和所述第四晶體管的控制端子的輸出端子，并且所述運算放大器被配置為操作以使得所述運算放大器的所述第二端子的電壓等于所述參考電壓。

6、所述電流源還可包括：第五晶體管，被配置為具有連接到所述電源端子的第一端子并且以電流鏡結構連接到所述第三晶體管；第六晶體管，被配置為具有連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第一端子、連接到所述電阻器的第二端子以及連接到所述第五晶體管的第二端子的控制端子；以及第七晶體管，連接在所述第五晶體管的所述第二端子與所述地之間，并且被配置為具有連接到所述第六晶體管的所述第二端子的控制端子。

7、所述電流源還可包括：第五晶體管，被配置為具有連接到所述電源端子的第一端子，并且以電流鏡結構連接到所述第三晶體管；第六晶體管，以二極管方式連接在所述第五晶體管的第二端子與所述地之間；以及第七晶體管，被配置為具有連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第一端子、連接到所述電阻器的第二端子以及連接到所述第六晶體管的控制端子的控制端子。

8、所述電流-電壓轉換電路可包括：多個電阻器，串聯連接在所述電流源與地之間；以及多個開關，分別連接在所述多個電阻器中的相應電阻器的一端與所述第二晶體管的所述控制端子之間。所述電流-電壓轉換電路可包括：多個電阻器，并聯連接在所述電流源與地之間；以及多個開關，分別連接在所述多個電阻器中的相應電阻器的一端與所述電流源之間。

9、所述電流-電壓轉換電路可包括：多個二極管，串聯連接在所述電流源與地之間；以及多個開關，分別連接在所述多個二極管中的相應二極管的一端與所述第二晶體管的所述控制端子之間。

10、在一個總體方面，一種低噪聲放大器電路包括：共源極晶體管，被配置為放大輸入射頻(rf)信號并且輸出放大的rf信號；共柵極晶體管，以共源共柵結構連接到所述共源極晶體管，所述共柵極晶體管被配置為基于輸入到控制端子的偏置電壓來操作，并且被配置為放大從所述共源極晶體管輸出的所述放大的rf信號并輸出對所述放大的rf信號進行放大而得到的信號；以及偏置電路，被配置為通過電源電壓生成參考電流并且被配置為利用所述參考電流生成所述偏置電壓。

11、所述偏置電路可包括：電流源，被配置為接收所述電源電壓，并且被配置為生成所述參考電流；以及電流-電壓轉換電路，被配置為將所述參考電流轉換為所述偏置電壓，并且被配置為將所述偏置電壓提供到所述共柵極晶體管的控制端子，其中，所述電流源被配置為隨著溫度升高而增加所述參考電流的幅度。

12、所述電流源可包括：第三晶體管，被配置為具有連接到供應所述電源電壓的電源端子的第一端子和通過電阻器連接到地的第二端子；以及第四晶體管，以電流鏡結構連接到所述第三晶體管，并且被配置為通過鏡像所述第三晶體管的電流來生成所述參考電流，其中，所述電阻器的電阻值隨著溫度升高而減小。

13、所述電流源還可包括：運算放大器，被配置為具有被施加參考電壓的第一端子、連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第二端子以及連接到所述第三晶體管的控制端子和所述第四晶體管的控制端子的輸出端子，并且所述運算放大器被配置為操作以使得所述運算放大器的所述第二端子的電壓等于所述參考電壓。

14、所述電流源還可包括：第五晶體管，被配置為具有連接到所述電源端子的第一端子并且以電流鏡結構連接到所述第三晶體管；第六晶體管，被配置為具有連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第一端子、連接到所述電阻器的第二端子以及連接到所述第五晶體管的第二端子的控制端子；以及第七晶體管，連接在所述第五晶體管的所述第二端子與所述地之間，并且被配置為具有連接到所述第六晶體管的所述第二端子的控制端子。

15、所述電流源還可包括：第五晶體管，被配置為具有連接到所述電源端子的第一端子，并且以電流鏡結構連接到所述第三晶體管；第六晶體管，以二極管方式連接在所述第五晶體管的第二端子與所述地之間；以及第七晶體管，被配置為具有連接到所述第三晶體管的所述第二端子的第一端子、連接到所述電阻器的第二端子以及連接到所述第六晶體管的控制端子的控制端子。

16、所述電流-電壓轉換電路可包括多個電阻器，所述多個電阻器連接在所述電流源與地之間，并且被配置為將所述參考電流轉換為所述偏置電壓，并且所述偏置電壓由所述多個電阻器中的至少一個電阻器生成。

17、通過下面的具體實施方式和附圖，其他特征和方面將是易于理解的。

技術特征：

1.一種偏置電路，所述偏置電路連接到第一晶體管并且被配置為向第二晶體管提供偏置電壓，所述第一晶體管被配置為放大輸入射頻信號，所述第二晶體管放大所述第一晶體管的輸出射頻信號，所述偏置電路包括：

2.根據權利要求1所述的偏置電路，其中：

3.根據權利要求1所述的偏置電路，其中：

4.根據權利要求3所述的偏置電路，其中：

5.根據權利要求3所述的偏置電路，其中：

6.根據權利要求3所述的偏置電路，其中：

7.根據權利要求1所述的偏置電路，其中：

8.根據權利要求1所述的偏置電路，其中：

9.根據權利要求1所述的偏置電路，其中：

10.一種低噪聲放大器電路，包括：

11.根據權利要求10所述的低噪聲放大器電路，其中：

12.根據權利要求11所述的低噪聲放大器電路，其中：

13.根據權利要求12所述的低噪聲放大器電路，其中：

14.根據權利要求12所述的低噪聲放大器電路，其中：

15.根據權利要求12所述的低噪聲放大器電路，其中：

16.根據權利要求11所述的低噪聲放大器電路，其中：

技術總結
提供了一種偏置電路和包括偏置電路的低噪聲放大器電路。所述偏置電路可連接到第一晶體管并且可被配置為向第二晶體管提供偏置電壓，所述第一晶體管被配置為放大輸入射頻(RF)信號，所述第二晶體管放大所述第一晶體管的輸出RF信號。所述偏置電路可包括電流源和電流?電壓轉換電路，所述電流源被配置為接收電源電壓并且生成參考電流，所述電流?電壓轉換電路被配置為將所述參考電流轉換為所述偏置電壓并且將所述偏置電壓提供到所述第二晶體管的控制端子。

技術研發人員：柳戊泳,金奎錫,金應周,任兌鎬
受保護的技術使用者：三星電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28