本公開涉及電致量子點發光，具體而言，涉及一種量子點發光器件的制備方法、顯示面板。

背景技術：

1、量子點發光二極管(qled)由于發光色純度高、功耗低及工藝簡單等一系列的優勢，被譽為下一代的新型顯示技術。目前，qled制備工藝主要分為兩種：打印qled和光刻qled，相比于打印qled，光刻qled的分辨率能做到4000ppi以上，因此其應用領域更廣，包括手機/微顯示(vr&ar)等都可以實現。

2、光刻qled當下應用最多的是量子點配體光交聯的方式，制備工藝簡單但存在性能不足和量產工藝難度大等非常明顯的問題。

技術實現思路

1、本公開的目的在于提供一種量子點發光器件的制備方法、顯示面板，解決現有量子點配體光交聯制備qled時存在性能不足的問題。

2、為了解決上述問題，根據本公開的第一方面，提供了一種量子點發光器件的制備方法，制備方法包括：提供具有第一電極層的基板，在基板上設置一正型光刻膠；將第一掩模板設置在基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第一凹坑的正型光刻膠固化層，第一凹坑的位置對應第一掩模板的通孔；在具有第一凹坑的正型光刻膠固化層上設置第一量子點溶液，部分第一量子點溶液位于第一凹坑內，另一部分第一量子點溶液位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上；使得第一量子點溶液中的溶劑干燥，得到第一量子點層；將第二掩模板設置在基板上方，第二掩模板在第一凹坑處不透光，正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上的第一量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第一量子點發光器件，第一凹坑的位置處具有第一量子點層。

3、可選地，制備方法還包括：在第一量子點發光器件上，設置一正型光刻膠；將第三掩模板設置在基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第二凹坑的正型光刻膠固化層，第二凹坑的位置對應第三掩模板的通孔；在具有第二凹坑的正型光刻膠固化層上設置第二量子點溶液，部分第二量子點溶液位于第二凹坑內，另一部分第二量子點溶液位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上；使得第二量子點溶液中的溶劑干燥，得到第二量子點層；將第四掩模板設置在基板上方，第四掩模板在第二凹坑處不透光，正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上的第二量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第二量子點發光器件，第一凹坑的位置處具有第一量子點層，且第二凹坑的位置處具有第二量子點層。

4、可選地，制備方法還包括：在第二量子點發光器件上，設置一正型光刻膠；將第五掩模板設置在基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第三凹坑的正型光刻膠固化層，第三凹坑的位置對應第五掩模板的通孔；在具有第三凹坑的正型光刻膠固化層上設置第三量子點溶液，部分第三量子點溶液位于第三凹坑內，另一部分第三量子點溶液位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上；使得第三量子點溶液中的溶劑干燥，得到第三量子點層；將第六掩模板設置在基板上方，第六掩模板在第三凹坑處不透光，正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上的第三量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第三量子點發光器件，其中，第一凹坑的位置處具有第一量子點層，第二凹坑的位置處具有第二量子點層，且第三凹坑的位置處具有第三量子點層。

5、可選地，干燥的方式為加熱干燥，或者在設置第一量子點溶液時的方式為旋涂工藝而在旋涂工藝中自然干燥。

6、可選地，正型光刻膠選自重氮萘醌或聚甲基丙烯酸甲酯。

7、可選地，顯影使用的顯影液為tmah的水溶液或koh水溶液。

8、可選地，制備方法還包括：在第三量子點發光器件的各個量子點發光層上設置功能層、第二電極層中的一層或多層。

9、可選地，各個量子點層之間的間隔距離為1-5微米。

10、可選地，第一量子點溶液為親油性。

11、根據本公開的第二方面，提供了一種顯示面板，顯示面板包括上述任一種制備方法制備得到的量子點發光器件。

12、應用上述技術方案，無須在量子點溶液中加入特定的光交聯引發劑(通常光交聯引發劑不導電，會大幅減少器件的電流，同時交聯后qd電學性能和光學性能都會有所損傷，表現為器件性能的大幅下降)，降低了對量子點光電性能的損害。

技術特征：

1.一種量子點發光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供具有第一電極層的基板，在所述基板上設置一正型光刻膠；將第一掩模板設置在所述基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第一凹坑的正型光刻膠固化層，所述第一凹坑的位置對應所述第一掩模板的通孔；在所述具有第一凹坑的正型光刻膠固化層上設置第一量子點溶液，部分所述第一量子點溶液位于所述第一凹坑內，另一部分所述第一量子點溶液位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上；使得所述第一量子點溶液中的溶劑干燥，得到第一量子點層；將第二掩模板設置在所述基板上方，所述第二掩模板在所述第一凹坑處不透光，所述正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，所述位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上的第一量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第一量子點發光器件，所述第一凹坑的位置處具有所述第一量子點層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述第一量子點發光器件上，設置一正型光刻膠；將第三掩模板設置在所述基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第二凹坑的正型光刻膠固化層，所述第二凹坑的位置對應所述第三掩模板的通孔；在所述具有第二凹坑的正型光刻膠固化層上設置第二量子點溶液，部分所述第二量子點溶液位于所述第二凹坑內，另一部分所述第二量子點溶液位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上；使得所述第二量子點溶液中的溶劑干燥，得到第二量子點層；將第四掩模板設置在所述基板上方，所述第四掩模板在所述第二凹坑處不透光，所述正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上的第二量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第二量子點發光器件，所述第一凹坑的位置處具有第一量子點層，且所述第二凹坑的位置處具有所述第二量子點層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述第二量子點發光器件上，設置一正型光刻膠；將第五掩模板設置在所述基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第三凹坑的正型光刻膠固化層，所述第三凹坑的位置對應所述第五掩模板的通孔；在所述具有第三凹坑的正型光刻膠固化層上設置第三量子點溶液，部分所述第三量子點溶液位于所述第三凹坑內，另一部分所述第三量子點溶液位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上；使得所述第三量子點溶液中的溶劑干燥，得到第三量子點層；將第六掩模板設置在所述基板上方，所述第六掩模板在所述第三凹坑處不透光，所述正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于所述正型光刻膠固化層遠離所述基板的表面上的第三量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第三量子點發光器件，其中，所述第一凹坑的位置處具有第一量子點層，所述第二凹坑的位置處具有第二量子點層，且所述第三凹坑的位置處具有所述第三量子點層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述干燥的方式為加熱干燥，或者在設置所述第一量子點溶液時的方式為旋涂工藝而在所述旋涂工藝中自然干燥。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述正型光刻膠選自重氮萘醌或聚甲基丙烯酸甲酯。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述顯影使用的顯影液為tmah的水溶液或koh水溶液。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述第三量子點發光器件的各個量子點發光層上設置功能層、第二電極層中的一層或多層。

8.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述各個量子點層之間的間隔距離為1-5微米。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一量子點溶液為親油性。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1至9所述的任一種制備方法制備得到的量子點發光器件。

技術總結
本公開提供了一種量子點發光器件的制備方法及顯示面板。該制備方法包括：提供具有第一電極層的基板，在基板上設置一正型光刻膠；將第一掩模板設置在基板上方，進行曝光處理后顯影，得到具有第一凹坑的正型光刻膠固化層；在具有第一凹坑的正型光刻膠固化層上設置第一量子點溶液，使得第一量子點溶液中的溶劑干燥，得到第一量子點層；將第二掩模板設置在基板上方，第二掩模板在第一凹坑處不透光，正型光刻膠固化層接受了曝光處理后洗脫，位于正型光刻膠固化層遠離基板的表面上的第一量子點層隨著正型光刻膠固化層的洗脫而被洗脫，得到第一量子點發光器件，第一凹坑的位置處具有第一量子點層。該制備方法降低了光刻工藝對量子點性能的損傷。

技術研發人員：張振星,高遠,周健海
受保護的技術使用者：納晶科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24