本公開屬于顯示，具體涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術：

1、傳統有機電致發光器件(organic?light-emitting?diode，oled)的陰極為整面蒸鍍結構，在顯示面板被點亮后，隨著時間增加，屏體溫度逐漸增加，亮度和陰極電流上升直到飽和，屏體的不同位置亮度表現存在差異。

技術實現思路

1、本公開旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

2、第一方面，解決本公開技術問題所采用的技術方案是一種顯示面板，包括襯底基板，設置在所述襯底基板上的驅動層，以及設置在所述驅動層背離所述襯底基板一側的多個發光器件，所述驅動層包括用于驅動所述多個發光器件的多個像素驅動電路；所述多個像素驅動電路中的至少一個像素驅動電路至少包括驅動晶體管；

3、所述多個發光器件中的至少一個發光器件的陽極電連接第一電源信號線，所述多個發光器件中的至少一個發光器件的陰極電連接所述驅動晶體管的第一極，所述驅動晶體管的第二極電連接第二電源信號線，所述第一電源信號線的第一電源電壓大于所述第二電源信號線傳輸的第二電源電壓。

4、在一些實施例中，所述顯示面板還包括像素限定層和設置在所述像素限定層背離所述驅動層一側的轉接電極層；所述像素限定層包括多個像素開口和用于形成所述多個像素開口的擋墻結構，所述多個像素開口用于限定所述多個發光器件；

5、所述轉接電極層包括隔離柱，所述擋墻結構在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影；所述至少一個發光器件的陰極由對應的像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，并通過所述隔離柱隔斷；所述隔離柱與隔斷的所述陰極搭接，并與所述驅動晶體管的第一極電連接；

6、相鄰兩所述發光器件之間設置有絕緣結構，所述絕緣結構隔離相鄰兩所述發光器件的陰極。

7、在一些實施例中，所述隔離柱與所述發光器件一一對應設置，且所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影環繞與之對應的發光器件在所述襯底基板上的正投影；相鄰所述隔離柱間隔設置。

8、在一些實施例中，所述絕緣結構為絕緣層；

9、所述絕緣層包裹所述隔離柱中遠離所述陰極搭接一側的側表面和所述隔離柱背離所述襯底基板的至少部分表面。

10、在一些實施例中，所述顯示面板還包括設置在所述至少一個發光器件背離所述襯底基板一側的封裝層；

11、所述至少一個發光器件的發光層和陰極、以及所述封裝層均由對應的所述像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，延伸至所述擋墻結構上的所述發光層、所述陰極和所述封裝層構成疊層結構；

12、所述絕緣結構為第一刻蝕溝道，所述第一刻蝕溝道在所述襯底基板厚度方向上，貫穿位于相鄰兩所述隔離柱之間的所述疊層結構。

13、在一些實施例中，所述絕緣結構為第二刻蝕溝道，所述第二刻蝕溝道在所述襯底基板厚度方向上貫穿所述隔離柱；

14、所述隔離柱包括第一半部和第二半部；所述第一半部和所述第二半部通過所述第二刻蝕溝道間隔；所述第一半部和所述第二半部在所述襯底基板上的正投影分別環繞不同所述發光器件在所述襯底基板上的正投影；

15、所述顯示面板還包括設置在所述至少一個發光器件背離所述襯底基板一側的封裝層，所述封裝層落入所述第二刻蝕溝道內，且包裹所述第一半部和所述第二半部相對設置的側表面。

16、在一些實施例中，所述顯示面板還包括像素限定層、設置在所述像素限定層背離所述驅動層一側的第一轉接電極和隔斷結構；所述像素限定層包括多個像素開口和用于形成所述多個像素開口的擋墻結構，所述多個像素開口用于限定所述多個發光器件；

17、所述隔斷結構在所述襯底基板上的正投影環繞對應的所述發光器件在所述襯底基板上的正投影；所述至少一個發光器件的陰極由所述像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，并通過所述隔斷結構隔斷；

18、所述第一轉接電極設置在所述隔斷結構與所述發光器件之間，且所述第一轉接電極與被所述隔斷結構隔斷的陰極搭接，并與所述驅動晶體管的第一極電連接。

19、在一些實施例中，所述第一轉接電極為隔離柱；所述隔離柱的高度低于所述隔斷結構的高度，且所述隔斷結構包裹所述隔離柱中遠離所述陰極搭接一側的側表面和所述隔離柱背離所述襯底基板的至少部分表面。

20、在一些實施例中，所述隔離柱包括沿背離所述襯底基板方向依次設置的底部、主體部和隔斷部；所述底部和所述隔斷部均突出于所述主體部；

21、所述隔斷部隔斷延伸至所述擋墻結構上的所述至少一個發光器件的陰極，所述至少一個發光器件的陰極與所述主體部搭接，并通過所述主體部和所述底部與所述驅動晶體管的第一極電連接。

22、在一些實施例中，所述顯示面板還包括設置在所述至少一個發光器件背離所述襯底基板一側的封裝層，所述封裝層填充于所述隔斷部與所述主體部之間的內凹缺口。

23、在一些實施例中，所述隔離柱包括主體部和位于所述主體部背離所述襯底基板一側的隔斷部；所述隔斷部突出于所述主體部；

24、所述隔斷部隔斷延伸至所述擋墻結構上的所述至少一個發光器件的陰極，所述至少一個發光器件的陰極與所述主體部搭接，并通過所述主體部與所述驅動晶體管的第一極電連接。

25、在一些實施例中，所述顯示面板還包括第二轉接電極和設置在所述驅動層靠近所述像素限定層一側的平坦化層；

26、所述第二轉接電極過貫穿所述擋墻結構的第一連接過孔和所述平坦化層的第二連接過孔，電連接所述驅動晶體管的第一極和所述隔離柱。

27、第二方面，本公開實施例還提供了一種顯示面板的制備方法，用于制備如第一方面中任一項所述顯示面板；其中，所述顯示面板的制備方法包括：

28、提供一所述襯底基板；

29、在所述襯底基板上形成驅動層；所述驅動層包括用于驅動多個發光器件的多個像素驅動電路；所述多個像素驅動電路中的至少一個像素驅動電路至少包括驅動晶體管；

30、在所述驅動層背離所述襯底基板的一側形成多個所述發光器件；其中，所述多個發光器件中的至少一個發光器件的陽極電連接第一電源信號線，所述多個發光器件中的至少一個發光器件的陰極電連接所述驅動晶體管的第一極，所述驅動晶體管的第二極電連接第二電源信號線，所述第一電源信號線的第一電源電壓大于所述第二電源信號線傳輸的第二電源電壓。

31、在一些實施例中，在形成所述發光器件的發光層之前，還包括：

32、在所述驅動層背離所述襯底基板的一側形成平坦化層；

33、在所述平坦化層背離所述驅動層的一側形成各個所述發光器件的陽極；

34、在所述陽極背離所述平坦化層的一側依次形成像素限定材料層和轉接電極材料層；

35、對所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行刻蝕，形成像素限定層和轉接電極層；

36、所述像素限定層包括多個像素開口和用于形成所述多個像素開口的擋墻結構，所述多個像素開口用于限定所述多個發光器件；所述轉接電極層包括隔離柱，所述擋墻結構在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影；所述至少一個發光器件的陰極由對應的所述像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，并通過所述隔離柱隔斷；所述隔離柱與隔斷的所述陰極搭接，并與所述驅動晶體管的第一極電連接；相鄰兩所述發光器件之間設置有絕緣結構，所述絕緣結構隔離相鄰兩所述發光器件的陰極。

37、在一些實施例中，多個所述發光器件包括多個第一發光器件、多個第二發光器件和多個第三發光器件；

38、對所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行刻蝕，形成像素限定層和轉接電極層，包括：

39、對所述轉接電極材料層進行一次刻蝕，形成多個底切結構；所述底切結構在所述襯底基板上的正投影位于相鄰所述發光器件的陽極在所述襯底基板上的正投影之間；

40、對具有所述底切結構的所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行二次刻蝕，形成貫穿所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層的多個第一開口，以暴露所述多個第一發光器件的陽極，并得到與所述多個第一發光器件搭接的第一隔離柱；

41、對具有所述底切結構的所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行三次刻蝕，形成貫穿所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層的多個第二開口，以暴露所述多個第二發光器件的陽極，并得到與所述多個第二發光器件搭接的第二隔離柱；

42、所述底切結構的所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行四次刻蝕，形成貫穿所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層的多個第三開口，以暴露所述多個第三發光器件的陽極，并得到與所述多個第三發光器件搭接的第三隔離柱。

43、在一些實施例中，在進行二次刻蝕之后，且在進行三次刻蝕之前，還包括：

44、在所述轉接電極材料層背離所述像素限定材料層的一側依次形成所述多個第一發光器件的發光材料層和陰極層；

45、去除第一子像素區域外的所述發光材料層和所述陰極層，形成所述多個第一發光器件；所述多個第一發光器件和所述第一隔離柱均位于所述第一子像素區域。

46、在一些實施例中，在進行三次刻蝕之后，且在進行四次刻蝕之前，還包括：

47、在所述轉接電極材料層背離所述像素限定材料層的一側依次形成所述多個第二發光器件的發光材料層和陰極層；

48、去除第二子像素區域外的所述發光材料層和所述陰極層，形成位于所述多個第二發光器件；所述多個第二發光器件和所述第二隔離柱均位于所述第二子像素區域。

49、在一些實施例中，在進行四次刻蝕之后，還包括：

50、在所述轉接電極材料層背離所述像素限定材料層的一側依次形成所述多個第三發光器件的發光材料層和陰極層；

51、去除第三子像素區域外的所述發光材料層和所述陰極層，形成位于所述多個第三發光器件；所述多個第三發光器件和所述第三隔離柱均位于所述第三子像素區域。

52、在一些實施例中，對所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行刻蝕，形成像素限定層和轉接電極層，包括：

53、對所述轉接電極材料層進行一次刻蝕，形成多個底切結構；所述底切結構在所述襯底基板上的正投影位于相鄰所述發光器件的陽極在所述襯底基板上的正投影之間；

54、對具有所述底切結構的所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層進行二次刻蝕，形成貫穿所述轉接電極材料層和所述像素限定材料層的多個開口，以暴露各個所述發光器件的陽極，并得到所述像素限定層和所述轉接電極層。

55、在一些實施例中，在形成所述轉接電極層之后，還包括：

56、在所述轉接電極層背離所述像素限定層的一側依次形成所述多個發光器件的發光層和陰極，以得到所述多個發光器件。

57、在一些實施例中，在進行二次刻蝕之前，還包括：

58、在具有所述底切結構的所述轉接電極材料層背離所述像素限定材料層的一側形成絕緣層；所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述底切結構在所述襯底基板上的正投影。

59、在一些實施例中，在形成各個所述發光器件之后，還包括：

60、在所述發光器件背離所述襯底基板的一側形成無機封裝材料層；所述至少一個發光器件的發光層和陰極，以及所述無機封裝材料層均由所述像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，延伸至所述擋墻結構上的所述發光層、所述陰極和所述無機封裝材料層構成疊層結構；

61、對相鄰所述隔離柱之間的所述疊層結構進行刻蝕，形成第一刻蝕溝道；所述第一刻蝕溝道在所述襯底基板厚度方向上，貫穿位于相鄰兩所述隔離柱之間的所述疊層結構。

62、在一些實施例中，所述至少一個發光器件的發光層和陰極均由所述像素開口向周圍的所述擋墻結構延伸，延伸至所述擋墻結構上的所述發光層和所述陰極構成疊層結構；

63、在形成各個所述發光器件之后，還包括：

64、對所述隔離柱進行刻蝕，形成第二刻蝕溝道；所述第二刻蝕溝道在所述襯底基板厚度方向上貫穿所述隔離柱；所述第二刻蝕溝道將所述隔離柱分割為第一半部和第二半部。

65、在一些實施例中，在形成各個所述發光器件之前，還包括：

66、在所述轉接電極層背離所述襯底基板的一側形成隔斷結構，所述隔斷結構包裹所述隔離柱中遠離像素開口一側的側表面和所述隔離柱背離所述襯底基板的至少部分表面。

67、第三方面，本公開實施例還提供了一種顯示裝置，包括如第一方面中任一項所述的顯示面板。