1.一種深紫外led芯片，其特征在于：包括藍(lán)寶石襯底（101）、外延層、深刻蝕區(qū)域（201）、n刻蝕區(qū)域（301）、n第一電極（401）、p第一電極（402）、n第二電極（403）、p第二電極（404）、第一鈍化層（501）、連接/反射層（601）、第二鈍化層（602）、p厚金層（701）、n厚金層（702）、導(dǎo)熱厚金層（703），所述藍(lán)寶石襯底（101）表面生長(zhǎng)有外延層，所述外延層的中心和兩端刻蝕有深刻蝕區(qū)域（201），所述外延層上刻蝕有兩個(gè)n刻蝕區(qū)域（301），所述兩個(gè)n刻蝕區(qū)域（301）表面分別生長(zhǎng)有n第一電極（401）和n第二電極（403），所述外延層表面分別生長(zhǎng)有p第一電極（402）和p第二電極（404），所述外延層的表面制備有第一鈍化層（501），所述第一鈍化層（501）、n第一電極（401）和p第二電極（404）的表面制備有連接/反射層（601），所述n第二電極（403）通過連接/反射層（601）與p第一電極（402）連接，所述連接/反射層（601）表面制備有第二鈍化層（602），所述n第一電極（401）通過連接/反射層（601）與n厚金層（702）連接，所述p第二電極（404）通過連接/反射層（601）與p厚金層（701）連接，所述導(dǎo)熱厚金層（703）制備在第二鈍化層（602）上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外led芯片，其特征在于：所述外延層包括aln緩沖層（102）、n型algan層（103）、量子發(fā)光層（104）、p型algan層（105）、p-gan層（106），所述aln緩沖層（102）生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底（101）上，所述n型algan層（103）生長(zhǎng)在aln緩沖層（102）上，所述量子發(fā)光層（104）生長(zhǎng)在n型algan層（103）上，所述p型algan層（105）生長(zhǎng)在量子發(fā)光層（104）上，所述p-gan層（106）生長(zhǎng)在p型algan層（105）上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種深紫外led芯片，其特征在于：所述深刻蝕區(qū)域（201）由p-gan層（106）刻蝕至藍(lán)寶石襯底（101），所述n刻蝕區(qū)域（301）由p-gan層（106）刻蝕至n型algan層（103）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外led芯片，其特征在于：所述p厚金層（701）上制備有p焊接層（704），所述n厚金層（702）上制備有n焊接層（705），所述導(dǎo)熱厚金層（703）上制備有導(dǎo)熱焊接層（706）。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種深紫外led芯片，其特征在于：所述p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）均采用au/sn合金或au/sn疊加結(jié)構(gòu)，厚度為2μm-5μm；所述p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）均為整列圖形結(jié)構(gòu)；所述p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）內(nèi)部之間的間隙形成排氣通道（801）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的一種深紫外led芯片的制備方法，其特征在于，包括下列步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種深紫外led芯片的制備方法，其特征在于，所述s4中n第一電極（401）和p第一電極（402）的制備工藝參數(shù)為：所述n第一電極（401）采用ti/al/ti/au體系，厚度為15/150/15/100nm，快速退火溫度800℃-900℃，n2氛圍，時(shí)間為60s-180s；所述p第一電極（402）采用ni/au體系，厚度為20/20nm，快速退火溫度為500℃-700℃，n2氛圍，時(shí)間為60s-180s。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種深紫外led芯片的制備方法，其特征在于：所述s5中的第一鈍化層（501）和s7中的第二鈍化層（602）均采用sio2或si3n4材料，厚度均為1μm-3μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種深紫外led芯片的制備方法，其特征在于，所述s6中的連接/反射層（601）采用cr/al、rh或pt/ti/au/pt/ti金屬體系，總厚度為0.8μm-2μm；所述s8中的p厚金層（701）、n厚金層（702）和導(dǎo)熱厚金層（703）均采用ti/pt/au疊加結(jié)構(gòu)，總厚度為0.5μm-2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種深紫外led芯片的制備方法，其特征在于，所述s9中p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）均采用au/sn合金或au/sn疊加結(jié)構(gòu)，總厚度為2μm-5μm；所述p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）均為整列圖形結(jié)構(gòu)；所述p焊接層（704）、n焊接層（705）和導(dǎo)熱焊接層（706）內(nèi)部之間的間隙形成排氣通道（801）。