本發明涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種通過使用包括硅半導體層的薄膜晶體管和包括氧化物半導體層的薄膜晶體管驅動的顯示裝置。

背景技術：

1、顯示裝置典型地包括顯示元件和控制施加到顯示元件的電信號的驅動電路。驅動電路包括薄膜晶體管（tft）、存儲電容器和多條線。

2、為了精確地控制顯示元件是否發光或發光程度，電連接到一個顯示元件的薄膜晶體管的數量已經增加。因此，積極地進行解決顯示裝置的高集成度和高功耗的研究。

技術實現思路

1、一個或更多個實施例包括由包含硅半導體的薄膜晶體管和包含氧化物半導體的薄膜晶體管驅動的顯示裝置，以降低顯示裝置的功耗并同時允許高集成度。

2、然而，上述目的是示例性的，并且本公開的范圍不限于此。

3、另外的方面將在下面的描述中被部分地闡述，部分地通過描述將是明顯的，或者可以通過公開的給出的實施例的實踐而獲知。

4、根據本發明的示例性實施例，顯示裝置包括：基底，包括其中布置有顯示元件的顯示區域；第一薄膜晶體管，布置在顯示區域中并且包括包含硅的第一半導體層和與第一半導體層絕緣的第一控制電極；第一層間絕緣層，覆蓋第一控制電極；第二薄膜晶體管，布置在第一層間絕緣層上并且包括包含氧化物半導體的第二半導體層和與第二半導體層絕緣的第二控制電極；第二層間絕緣層，覆蓋第二控制電極；節點連接線，布置在第二層間絕緣層上并且經由第一接觸孔連接到第一控制電極；第一平坦化層，覆蓋節點連接線；以及屏蔽電極，布置在第一平坦化層上，以與節點連接線疊置。

5、根據本發明的示例性實施例，顯示裝置包括：基底，包括其中布置有顯示元件的顯示區域；第一薄膜晶體管，布置在顯示區域中并且包括硅半導體層和與硅半導體層絕緣的第一控制電極；第一層間絕緣層，覆蓋第一控制電極；第二薄膜晶體管，布置在第一層間絕緣層上并且包括氧化物半導體層和與氧化物半導體層絕緣的第二控制電極；以及升壓電容器，包括下電極和上電極。下電極和第一控制電極布置在第一層上并且上電極和氧化物半導體層布置在與第一層不同的第二層上。

技術特征：

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述屏蔽電極與所述節點連接線疊置。

5.根據權利要求3所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述節點連接線經由第一接觸孔連接到所述第一控制電極，并且經由第二接觸孔連接到所述第二半導體層，并且

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括驅動電壓線，所述驅動電壓線布置在所述第二層間絕緣層上，

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括數據線，所述數據線與所述屏蔽電極設置在同一層，

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一控制電極與所述第二控制電極設置在不同的層。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二薄膜晶體管還包括第三控制電極，所述第三控制電極布置在所述第二半導體層下方以與所述第二半導體層疊置。

11.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

12.根據權利要求11所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

13.根據權利要求12所述的顯示裝置，其中，所述第一接觸孔穿透所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層，并且所述第二接觸孔穿透所述第二層間絕緣層。

14.根據權利要求11所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

15.根據權利要求11所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

16.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，所述屏蔽電極與所述節點連接線疊置。

17.根據權利要求11所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括驅動電壓線，所述驅動電壓線與所述節點連接線布置在同一層，

18.根據權利要求17所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括數據線，所述數據線與所述屏蔽電極設置在同一層，

19.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，所述第一控制電極與所述第二控制電極設置在不同的層。

20.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，所述第二薄膜晶體管還包括第三控制電極，所述第三控制電極布置在所述第二半導體層下方以與所述第二半導體層疊置。

21.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

22.根據權利要求21所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

23.根據權利要求21所述的顯示裝置，所述像素電路還包括存儲電容器，所述存儲電容器包括第一電極和在所述第一電極之上的第二電極，

24.根據權利要求21所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

25.根據權利要求24所述的顯示裝置，其中，所述屏蔽電極與所述節點連接線疊置。

26.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

27.根據權利要求26所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

28.根據權利要求26所述的顯示裝置，所述像素電路還包括存儲電容器，所述存儲電容器包括第一電極和在所述第一電極之上的第二電極，

29.根據權利要求26所述的顯示裝置，所述像素電路還包括：

30.根據權利要求26所述的顯示裝置，其中，所述屏蔽電極與所述節點連接線疊置。

技術總結
提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括其中布置有顯示元件的顯示區域；第一薄膜晶體管，布置在顯示區域中并且包括包含硅的第一半導體層和與第一半導體層絕緣的第一控制電極；第一層間絕緣層，覆蓋第一控制電極；第二薄膜晶體管，布置在第一層間絕緣層上并且包括包含氧化物半導體的第二半導體層和與第二半導體層絕緣的第二控制電極；第二層間絕緣層，覆蓋第二控制電極；節點連接線，布置在第二層間絕緣層上并且經由第一接觸孔連接到第一控制電極；第一平坦化層，覆蓋節點連接線；以及屏蔽電極，布置在第一平坦化層上，以與節點連接線疊置。

技術研發人員：李知恩,郭珉菜,金炳善,尹一求,趙乘漢,趙準永,崔敏姬
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28