專利名稱：電漿反應方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種電漿反應方法及裝置，它是在密閉空間內，裝設該至少一組導電回圈，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場， 使之產生電漿反應，使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。
背景技術：
當對利用長導線所繞成的均勻螺旋狀的螺線管(Solenoid)通電時，根據安培右手定則(Ampere’ s circuital law)會在螺線管內產生均勻的磁場。而當在螺線管內放入軟鐵芯(鐵磁性材質)后，雖可使插有軟鐵芯(鐵磁性材質)的螺線管內的磁通量，遠比空心螺線管的磁通量大為增加，但不可避免地會在所放入的軟鐵芯(鐵磁性材質)內部產生潤流Eddy Current現象，因而產生的熱量而導致磁能的損耗或干擾。雖然將鐵芯(鐵磁性材質)改成更薄且多層迭壓的硅鋼片(Silicon sheet steel)，企圖降低磁路飽和，以期減少每層硅鋼片內所產生的渦流現象，及因渦流現象所產生的熱量及其所連帶造成的能量損耗，可以適度地解決上述的問題。但是仍然無法徹底解決的前述渦流現象，以及因該渦流現象引發的熱量及能量的損耗。究其原因，乃因為空氣是磁阻甚高的介質，導致螺線管內部的磁通量始終難以提升。除此之外，螺線管內部只要是置入鐵磁性材質或硅鋼片時，電磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間，始終存在著無法避免之「磁力干擾」的問題，卻始終無法獲得任何解決。電漿(Plasma)是一種由高能電子、高能離子和高能中性原子為主要成分的物質型態，被稱為電漿態。電漿具有很高的電導率。電漿是由克魯克斯(Sir William Crookes) 在公元1879年發現的，它是具有高位能動能的氣體團，而它的總帶電量仍是呈中性的，借由電場或/及磁場的高動能將外層的電子擊出，使電子已不再被束縛于原子核，而成為高位能高動能的自由電子。電漿的應用非常廣泛，例如利用電漿制成的顯示器、利用離子沉積技術和控制涂層技術以改善涂層的組織結構和促進化學反應過程，有利于化合物涂層的形成。但上述電漿反應大都是在「兩個電極板之間」進行，雖然也有利用螺旋線圈產生電漿的做法，但截至目前所有產生電漿的方法，都是將所生成的電漿「另外取出并且移作」其它指定的用途上，并未將所產生的電漿繼續留在原來產生電漿的場所內。例如上述的沉積技術、控制涂層技術、顯示技術等都是屬于此種。有鑒于空氣是磁阻甚高的介質，導致螺線管內部的磁通量始終難以提升，雖然將鐵芯(鐵磁性材質)改成更薄且多層迭壓的硅鋼片，企圖降低磁路飽和，以期減少每層硅鋼片內所產生的渦流現象所產生的熱量及其所連帶造成的能量損耗，除了加大體積與重量之夕卜，最重要的是，仍然無法徹底解決的前述渦流現象等問題，也因為存在這些問題而導致電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的轉換效率始終無法提升的問題。
有鑒于磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間，始終存在著無法避免的「磁力干擾」的問題。

發明內容
本發明所要解決的主要技術問題在于，克服現有技術存在的上述缺陷，而提供一種電漿反應方法及裝置，是在密閉空間內，裝設該至少一組導電回圈，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，進而使密閉空間內的粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應，因而使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率，而且由于本發明不需在導電回圈置入任何鐵磁性材質或硅鋼片，所以現有技術因為磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間的磁力干擾問題，本發明則完全不會產生。本發明解決其技術問題所采用的技術方案是一種電漿反應方法，它是在密閉空間內，裝設該至少一組導電回圈，并在該密閉空間內充填反應流體〔「流體」指氣體、液體〕，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使該密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在該密閉空間內產生電漿反應。本發明所提供的電漿反應方法，其中該導電回圈具有單組或數組。其中該數組導電回圈進一步彼此對應設置。本發明所提供的電漿反應方法，其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子自密閉空間內向外穿出，以便借傳導方式對導電回圈施加電場或/ 及磁場。本發明所提供的電漿反應方法，其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內，并且不與密閉空間外接觸，以便借感應方式對導電回圈施加磁場。本發明旨在于提供一種電漿反應裝置，包含密閉空間；至少一組導電回圈，裝設于上述密閉空間內，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使該密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在該密閉空間內產生電漿反應。本發明所提供的電漿反應裝置，其中該導電回圈具有單組或數組。其中該數組導電回圈進一步彼此對應設置。本發明所提供的電漿反應裝置，其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子自密閉空間內向外穿出，以便借傳導方式對導電回圈施加電場或/ 及磁場。本發明所提供的電漿反應裝置，其中該或該等導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內，并且不與密閉空間外接觸，以便借感應方式對導電回圈施加磁場。本發明的有益效果是，本發明是在密閉空間內，裝設該至少一組導電回圈，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，進而使密閉空間內的粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應，因而使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率，而且由于本發明不需在導電回圈置入任何鐵磁性材質或硅鋼片， 所以現有技術因為磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間的磁力干擾問題，本發明則完全不會產生。


下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。圖I是本發明第一實施例的示意圖。 圖2是本發明第二實施例的示意圖。圖3是本發明第三實施例的示意圖。圖4是本發明第四實施例的示意圖。圖5是本發明第五實施例的示意圖。圖6是本發明第六實施例的示意圖。圖7是圖6所示的7-7剖面圖。圖8是本發明第七實施例的分解示意圖。圖9是本發明第七實施例的立體示意圖。圖10是圖9所示的10-10剖面圖。圖中標號說明20電漿反應裝置 21密閉空間22導電回圈221、222端子23反應流體
具體實施例方式請參閱圖I至圖10所示，本發明旨在于提供一種電漿反應方法，它是在密閉空間 21內，裝設該至少一組導電回圈22，并在該密閉空間21內充填反應流體23〔「流體」指氣體、液體〕，借由對該至少一組導電回圈22施加電場或/及磁場，進而使密閉空間21內的導電回圈22的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子，使該密閉空間21內的導電回圈22與反應流體23互相作用而在該密閉空間21內產生電漿反應，因而使密閉空間21內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。請參閱圖I至圖10所示，本發明所提供的電漿反應方法，其中導電回圈22具有單組或數組〔「數組」指二組或二組以上〕。而該等數組導電回圈22得進一步彼此對應設置。請參閱圖I、圖2、圖4、圖5、圖6、圖7所示，本發明所提供的電漿反應方法，其中該或該等導電回圈22之中的至少一組導電回圈22，具有至少一支端子221〔或222〕并穿自密閉空間21內向外穿出，以利自外界連接電流進入封裝于密閉空間21內的導電回圈22，以便借傳導方式對導電回圈22施加電場或/及磁場。請參閱圖2、圖3、圖5、圖8、圖9、圖10所示，本發明所提供的電漿反應方法，其中該或該等導電回圈22之中的至少一組導電回圈22，具有至少一支端子222〔或221〕被完全封閉在密閉空間21內，并且不與密閉空間21外作任何接觸，以便借感應方式對導電回圈22施加磁場。請參閱圖I至圖10所示，本發明旨在于提供一種電漿反應裝置20，它包含密閉空間21 ;及，至少一組導電回圈22。其中導電回圈22裝設于上述密閉空間21內，并在該密閉空間21內充填反應流體23，借由對該至少一組導電回圈22施加電場或/及磁場，進而使密閉空間21內的導電回圈22的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子，使該密閉空間21內的導電回圈22與反應流體23互相作用而在該密閉空間21 內產生電漿反應，因而使密閉空間21內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能， 及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。請參閱圖I至圖10所示，本發明所提供的電漿反應裝置20，其中導電回圈22具有單組或數組。如圖4、圖5所示，其中該數組導電回圈22進一步彼此對應設置。
請參閱圖I、圖2、圖4、圖5、圖6、圖7所示，本發明所提供的電漿反應裝置20，其中該或該等導電回圈22之中的至少一組導電回圈22，具有至少一支端子222〔或221〕并穿自密閉空間21內向外穿出，以便借傳導方式對導電回圈22施加電場或/及磁場。請參閱圖2、圖3、圖5、圖8、圖9、圖10所示，本發明所提供的電漿反應裝置20，其中該或該等導電回圈22之中的至少一組導電回圈22，具有至少一支端子222〔或221〕被完全封閉在密閉空間21內，并且不與密閉空間21外作任何接觸，以便借感應方式對導電回圈22施加磁場。本發明的導電回圈22只要具有一部分裸露，而能與反應流體23接觸進行電漿反應，而且裸露的部位并不彼此接觸而造成短路，即可適用于本發明中，因此導電回圈22可為導電裸線(如圖I至圖7所示)、絞線(圖中未示)、導電片(其中一面裸面，另外一面為絕緣面)(如圖8及圖10所示)等，本發明并不予自限。以下將本發明所提供的電漿反應方法及裝置所產生的功效及特點列述如下I.本發明所提供的電漿反應方法及裝置，它是在密閉空間21內，裝設該至少一組導電回圈22，并在該密閉空間21內充填反應流體23，借由對該至少一組導電回圈22施加電場或/及磁場，進而使密閉空間21內的粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應，因而使密閉空間21內的電能與電能之間、電能與磁能之間、 磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。2.本發明所提供的電漿反應方法及裝置，是將所產生的電漿始終留在密閉空間 21內反應，并未「另外取出并且移作」其它指定的用途上，而是用來提升電能與電能之間、 電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換的效率。這點是與現有完全不同的特點。3.本發明所提供的電漿反應方法及裝置，不需要在導電回圈置入任何鐵磁性材質或硅鋼片，所以現有技術因為磁場與鐵磁性材質或硅鋼片之間的磁力干擾問題，本發明則完全不會產生。
權利要求
1.一種電漿反應方法，其特征在于，在密閉空間內，裝設該至少一組導電回圈，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使該密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在該密閉空間內產生電漿反應。
2.根據權利要求I所述的電漿反應方法，其特征在于，所述導電回圈具有單組。
3.根據權利要求I所述的電 漿反應方法，其特征在于，所述導電回圈具有數組。
4.根據權利要求3所述的電漿反應方法，其特征在于，所述數組導電回圈進一步彼此對應設置。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的電漿反應方法，其特征在于，所述導電回圈或數組導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子自密閉空間內向外穿出。
6.根據權利要求1、2、3或4所述的電漿反應方法，其特征在于，所述導電回圈或數組導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內，并且不與密閉空間外接觸。
7.一種電漿反應裝置，其特征在于，包括 密閉空間； 至少一組導電回圈，裝設于上述密閉空間內，并在該密閉空間內充填反應流體，借由對該至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使該密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在該密閉空間內產生電漿反應。
8.根據權利要求7所述的電漿反應裝置，其特征在于，所述導電回圈具有單組。
9.根據權利要求7所述的電漿反應裝置，其特征在于，所述導電回圈具有數組。
10.根據權利要求9所述的電漿反應裝置，其特征在于，所述數組導電回圈進一步彼此對應設置。
11.根據權利要求7、8、9或10所述的電漿反應裝置，其特征在于，所述導電回圈或數組導電回圈之中的至少一組導電回圈，各自具有至少一支端子自密閉空間內向外穿出。
12.根據權利要求7、8、9或10所述的電漿反應裝置，其特征在于，所述導電回圈或數組導電回圈之中的至少一組導電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內，并且不與密閉空間外接觸。
全文摘要
一種電漿反應方法及裝置，其方法，在密閉空間內裝設至少一組導電回圈，在密閉空間內充填反應流體，借由對至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用而在密閉空間內產生電漿反應；其裝置，包含密閉空間；至少一組導電回圈，裝設于密閉空間內，在密閉空間內充填反應流體，借由對至少一組導電回圈施加電場或/及磁場，使密閉空間內的導電回圈與反應流體互相作用在密閉空間內產生電漿反應。本發明使密閉空間內的導電回圈的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應，使密閉空間內的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子等的互相轉換效應更有效率。
文檔編號H05H1/46GK102625562SQ20121000441
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月9日 優先權日2011年1月26日
發明者賴秉豊 申請人:賴秉豊