軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，所述抗衰減控制結構是在一基板的一表面形成有一阻抗控制層，該阻抗控制層在沿著布設在該基板的高頻信號傳輸線的延伸方向且對應于該高頻信號傳輸線的底導角結構處開設有抗衰減圖案，用以改善高頻信號傳輸線在傳輸高頻信號時的衰減狀況。在該板的另一表面可形成有一導電屏蔽層，該導電屏蔽層在對應于該高頻信號傳輸線的頂導角結構處亦形成有抗衰減圖案。本發明提出的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構可以使高頻信號傳輸線在傳送高頻信號時，具備了良好的抗衰減功能，進而使得信號傳輸的效能與可靠度方面皆具有良好的效果。
【專利說明】軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構

【技術領域】
[0001]本發明是關于一種電路板高頻信號傳輸線的抗衰減結構設計，特別是在對應于一軟性電路板的高頻信號傳輸線的底導角結構及頂導角結構處，開設有抗衰減圖案。

【背景技術】
[0002]在各項電子設備中大部分都具備電路板或軟性排線，以將各種所需的電路元件、插接器構件等配置定位以及提供電子信號的傳輸。在電路板的制作技術中，一般是以一基板表面通過布線技術形成延伸的信號傳輸線來傳送電子信號。
[0003]參閱圖1及圖2，其分別顯示現有軟性電路板的剖視圖及局部擴大剖視示意圖。圖中顯不，一基板I具有第一表面11及一第二表面12。在基板I的第一表面11上，布設有多條相互平行延伸且彼此間隔一預定間距dl的高頻信號傳輸線21、22。高頻信號傳輸線21、22是成對布設，且通常會搭配一鄰近的地線G，用以傳送至少一差模信號。一覆蓋絕緣層3形成在該基板I的第一表面11并覆蓋該各個高頻信號傳輸線2及地線G的表面。
[0004]高頻信號傳輸線2 —般是由銅箔材料或復合材料所形成，其截面大致上呈扁平形的結構。理想而言，高頻信號傳輸線的兩側緣應為垂直壁面，但在實際的結構中，高頻信號傳輸線的兩側緣一般都會存在一傾斜偏移量而形成頂導角結構。例如，高頻信號傳輸線21的兩側緣應為垂直于基板I的第一表面11，但在實際的結構中，高頻信號傳輸線21的兩側緣一般都會存在一傾斜偏移量d2 (非垂直壁面)，使得高頻信號傳輸線2在左下角端、右下角端亦會形成底導角結構21a、21b，而在高頻信號傳輸線21的左上角端、右上角端會形成頂導角結構21c、21d。亦即，高頻信號傳輸線21的底部線寬wl較頂部線寬w2為寬。
[0005]該高頻信號傳輸線的導角結構在傳送一般較低頻的電子信號時，并不會造成影響，但在傳送高頻信號時，則會因為頂導角與底頂導角的結構而造成高頻信號的衰減問題。如此在目前電子裝置中普遍使用高頻信號傳輸線傳送高頻信號的狀況下，造成了許多信號傳送可靠度、阻抗控制不良、信號干擾的問題。


【發明內容】

[0006]本發明的一目的即是提供一種可控制軟性電路板在傳送高頻信號時的信號抗衰減結構，特別是針對軟性電路板的高頻信號傳輸線的底導角結構及頂導角結構設置一抗衰減圖案，用以改善高頻信號傳輸線在傳輸高頻信號時的衰減。
[0007]本發明為達成上述目的，在軟性電路板的基板表面形成有一阻抗控制層，該阻抗控制層在沿著布設在該基板的高頻信號傳輸線的延伸方向且對應于該高頻信號傳輸線的底導角結構處開設有抗衰減圖案，用以改善高頻信號傳輸線在傳輸高頻信號時的衰減狀況。
[0008]本發明較佳實施例中，抗衰減圖案包括有彼此相隔一距離的多個開口，且該開口為圓形開口、方形開口及菱形開口的其中之一。再者，本發明的軟性電路板除了可為一軟性基板之外，亦可應用于軟性基板結合一硬板的軟硬結合板中。
[0009]本發明另一較佳實施例中，軟性電路板的另一表面可形成有一導電屏蔽層，該導電屏蔽層在對應于該高頻信號傳輸線的頂導角結構處亦形成有抗衰減圖案。
[0010]較佳地，第一抗衰減圖案的各個開口的中心位置對應于相對應底導角結構的正下方，且第一抗衰減圖案的各個開口的最大開口尺寸不大于該高頻信號傳輸線的底部線寬。
[0011]再者，第二抗衰減圖案的各個開口的中心位置對應于相對應底導角結構的正上方，且第二抗衰減圖案的各個開口的最大開口尺寸不大于該高頻信號傳輸線的頂部線寬。
[0012]在效果方面，本發明所提供的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構可以使高頻信號傳輸線在傳送高頻信號時，具備了良好的抗衰減功能，進而使得信號傳輸的效能與可靠度方面皆具有良好的效果。本發明針對要求輕薄又具可撓性的軟性電路板在傳送高頻信號時的抗衰減需求提供改善的抗衰減圖案。
[0013]本發明所采用的具體實施例，將通過以下的實施例及附呈圖式作進一步的說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為現有軟性電路板的示意圖。
[0016]圖2為圖1所示現有軟性電路板的局部擴大剖視圖。
[0017]圖3為本發明第一實施例的立體圖。
[0018]圖4為圖3中各構作分離時的立體分解圖。
[0019]圖5為圖3的底視不意圖。
[0020]圖6為圖3的頂視示意圖。
[0021]圖7為圖6中7-7斷面的剖視圖。
[0022]圖8為本發明第二實施例的底視示意圖。
[0023]圖9為本發明第二實施例的頂視示意圖。
[0024]圖10為圖9中10-10斷面的剖視圖。
[0025]圖11為本發明第三實施例的底視示意圖。
[0026]圖12為本發明第三實施例的頂視示意圖。
[0027]圖13為圖12中13-13斷面的剖視圖。
[0028]圖14為本發明第四實施例的底視示意圖。
[0029]圖15為本發明第四實施例的頂視示意圖。
[0030]圖16為圖15中16-16斷面的剖視圖。
[0031]圖17為本發明第五實施例的底視示意圖。
[0032]圖18為本發明第五實施例的頂視示意圖。
[0033]圖19為圖18中19-19斷面的剖視圖。
[0034]附圖標號說明:
[0035]I基板
[0036]11第一表面
[0037]12第二表面
[0038]21高頻信號傳輸線
[0039]21a,21b底導角結構
[0040]21c、21d頂導角結構
[0041]22高頻信號傳輸線
[0042]22a、22b底導角結構
[0043]22c、22d頂導角結構
[0044]3覆蓋絕緣層
[0045]4導電屏蔽層
[0046]5阻抗控制層
[0047]6、6a、6b、6c、6d第一抗衰減圖案
[0048]61a、61b、61c開口
[0049]62a、62b開口
[0050]7、7a、7b、7c、7d第二抗衰減圖案
[0051]71a、71b、71c開口
[0052]72a、72b開口
[0053]cl中心位置
[0054]c2中心位置
[0055]dl預定間距
[0056]d2傾斜偏移量
[0057]G接地線
[0058]rl最大開口尺寸
[0059]r2最大開口尺寸
[0060]wl底部線寬
[0061]w2頂部線寬

【具體實施方式】
[0062]參閱圖3至圖7所不,一基板I具有第一表面11及一第二表面12。在基板I的第一表面11上，布設有多條相互平行延伸且彼此間隔一預定間距dl的高頻信號傳輸線21、
22。該高頻信號傳輸線21、22是成對配置，以用來傳送至少一差模信號。
[0063]高頻信號傳輸線21、22 —般是由銅箔材料或復合材料所形成，其截面大致上呈扁平形的結構。該高頻信號傳輸線21的兩底導角結構21a、21b存在一傾斜偏移量d2，高頻信號傳輸線22的兩底導角結構22a、22b亦存在該傾斜偏移量。亦即，高頻信號傳輸線21、22的底導角結構21a、21b、22a、22b形成傾斜壁面(非垂直壁面)的結構，使得高頻信號傳輸線21、22的上表面寬度較下表面寬度為窄。
[0064]一覆蓋絕緣層3形成在該基板I的第一表面11并覆蓋該各個高頻信號傳輸線21,22及接地線G的表面。覆蓋絕緣層3 —般是使用絕緣材料所制成，亦可為純膠、覆膜(Coverlay )、油墨之一。
[0065]覆蓋絕緣層3的表面形成有一導電屏蔽層4。導電屏蔽層4所使用的材料為銀質材料層，亦可為等效應的導電層，例如鋁質材料層、銅質材料層、導電碳漿(Carbon)、導電粒子膠層之一。
[0066]該基板I的第二表面12形成有一阻抗控制層5，該阻抗控制層5在沿著該高頻信號傳輸線21、22的延伸方向且對應于該高頻信號傳輸線21的底導角結構21a、21b及高頻信號傳輸線22的兩底導角結構22a、22b設有一第一抗衰減圖案6。
[0067]第一抗衰減圖案6包括有彼此相隔一距離的多個開口 6la、61b，且該開口 6la、6Ib的位置分別對應于該高頻信號傳輸線21的底導角結構21a、21b。
[0068]在此實施例中，在同一條高頻信號傳輸線21的底導角結構21a、21b的相鄰開口61a、61b可交錯一偏移位置布設(即不在同一水平線)。相同地，第一抗衰減圖案6中亦包括有彼此相隔一距離的多個開口 62a、62b，且該開口 62a、62b的位置對應于該高頻信號傳輸線22的底導角結構22a、22b。通過該阻抗控制層5所形成的第一抗衰減圖案6中的各個開口 6la、6lb、62a、62b可用來改善高頻信號傳輸線21、22在傳送高頻信號時的衰減。
[0069]阻抗控制層5可為以銀質材料層、鋁質材料層、銅質材料層、導電碳漿(Carbon)、導電粒子膠層之一所形成的延伸平面。而形成在該阻抗控制層5的各個開口 61a、61b、62a、62b可為圓形開口、方形開口、菱形開口之一。
[0070]較佳地，第一抗衰減圖案的各個開口的中心位置對應于相對應底導角結構的正下方。例如，如圖7所示，第一抗衰減圖案6的該開口 61a的中心位置Cl對應于相對應的底導角結構21a的正下方。
[0071]再者，第一抗衰減圖案的各個開口的最大開口尺寸不大于該高頻信號傳輸線的底部線寬。例如，第一抗衰減圖案6的開口 61a的最大開口尺寸rl不大于該高頻信號傳輸線21的底部線寬wl。
[0072]搭配該阻抗控制層5，亦可以在覆蓋絕緣層3的表面的導電屏蔽層4在沿著該高頻信號傳輸線21、22的延伸方向且對應于該高頻信號傳輸線21、22的頂導角結構21c、21d、22c、22d開設有第二抗衰減圖案7。
[0073]第二抗衰減圖案7包括有彼此相隔一距離的多個開口 71a、71b，且該開口 71a、71b的位置分別對應于該高頻信號傳輸線21的頂導角結構21c、21d。在此實施例中，在同一條高頻信號傳輸線21的頂導角結構21c、21d的相鄰開口 71a、71b可交錯一偏移位置布設(即不在同一水平線)。相同地，第二抗衰減圖案7中亦包括有彼此相隔一距離的多個開口 72a、72b，且該開口 72a、72b的位置對應于該高頻信號傳輸線22的頂導角結構22c、22d。通過該導電屏蔽層4所形成的第二抗衰減圖案7中的各個開口 71a、71b、72a、72b可用來改善高頻信號傳輸線21、22在傳送高頻信號時的衰減。
[0074]較佳地，第二抗衰減圖案的各個開口的中心位置對應于相對應底導角結構的正上方。例如，如圖7所示，第二抗衰減圖案7的該開口 71a的中心位置c2對應于相對應的頂導角結構21c的正上方。
[0075]再者，第二抗衰減圖案的各個開口的最大開口尺寸不大于該高頻信號傳輸線的頂部線寬。例如，第二抗衰減圖案7的開口 71a的最大開口尺寸r2不大于該高頻信號傳輸線21的頂部線寬w2。
[0076]參閱圖8至圖10，其顯示本發明第二實施例示意圖。此實施例的結構大致上與第一實施例的結構相同，其差異在于阻抗控制層5的第一抗衰減圖案6a的多個開口 61a、61b的位置是左右對稱地(即在同一水平線)對應于一高頻信號傳輸線21的底導角結構21a、21b。第一抗衰減圖案6a的另外多個開口 62a、62b的位置是左右對稱地(即在同一水平線)對應于相鄰高頻信號傳輸線22的底導角結構22a、22b。
[0077]搭配該第一抗衰減圖案6a，亦可以在覆蓋絕緣層3的表面的導電屏蔽層4在沿著該高頻信號傳輸線21、22的延伸方向且對應于該高頻信號傳輸線21、22的頂導角結構21c、21d、22c、22d開設有第二抗衰減圖案7a。第二抗衰減圖案7a包括有多個開口 71a、71b分別對應于該高頻信號傳輸線21的頂導角結構21c、21d，以及多個開口 72a、72b分別對應于該高頻信號傳輸線22的頂導角結構21c、21d。
[0078]參閱圖11至圖13，其顯示本發明第三實施例示意圖。此實施例的結構大致上與第一實施例的結構相同，其差異在于阻抗控制層5的第一抗衰減圖案6b的多個開口 61a的位置是對應于一高頻信號傳輸線21的底導角結構21a，而另外多個開口 62b的位置是對應于相鄰高頻信號傳輸線22的底導角結構22b。搭配該第一抗衰減圖案6b，導電屏蔽層4形成有多個開口 71a、72b對應于高頻信號傳輸線21、22的頂導角結構21c、22d。
[0079]參閱圖14至圖16，其顯示本發明第四實施例示意圖。此實施例的阻抗控制層5的第一抗衰減圖案6c具有多個開口 61b對應于高頻信號傳輸線21的底導角結構21b，而另外多個開口 62a對應于相鄰高頻信號傳輸線22的底導角結構22a。搭配該第一抗衰減圖案6c，導電屏蔽層4形成有多個開口 71b、72a對應于高頻信號傳輸線21、22的頂導角結構21d、22c。
[0080]參閱圖17至圖19，其顯示本發明第五實施例示意圖。此實施例的阻抗控制層5的第一抗衰減圖案6d具有多個較大孔洞直徑的開口 61c，且該開口 61c含蓋兩條相鄰高頻信號傳輸線21、22，并對應于高頻信號傳輸線21的底導角結構21b及高頻信號傳輸線22的底導角結構22a。搭配該第一抗衰減圖案6d，導電屏蔽層4形成有多個具有多個較大孔洞直徑的開口 71c對應于高頻信號傳輸線21的頂導角結構21d及高頻信號傳輸線22的頂導角結構22c。
[0081]在實際應用時，高頻信號傳輸線所傳送高頻信號通過本發明的抗衰減圖案，可以具備良好的抗衰減效果，進而使得信號傳輸的效能與可靠度方面皆具有良好的效果。特別是針對要求輕薄又具可撓性的軟性電路板在傳送高頻信號時，更具有優良的信號抗衰效果O
[0082]以上實施例僅為例示性說明本發明的結構設計，而非用于限制本發明。任何本領域技術人員均可在本發明的結構設計及精神下，對上述實施例進行修改及變化，這些改變仍屬本發明的精神及所界定的專利范圍中。因此本發明的權利保護范圍應如權利要求保護范圍所列。
【權利要求】
1.一種軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，所述軟性電路板包括有: 一基板，具有一第一表面及一第二表面； 多條延伸的高頻信號傳輸線，布設在所述基板的第一表面上，各個所述高頻信號傳輸線彼此間隔一預定間距，所述高頻信號傳輸線存在一傾斜偏移量，而形成至少一底導角結構及一頂導角結構； 一覆蓋絕緣層，覆蓋在所述基板的第一表面及所述高頻信號傳輸線的表面； 其特征在于， 所述基板的第二表面形成有一阻抗控制層，所述阻抗控制層在沿著所述高頻信號傳輸線的延伸方向開設有一第一抗衰減圖案，所述第一抗衰減圖案包括有多個彼此相隔一距離的多個開口，且各個所述開口對應于所述高頻信號傳輸線的所述底導角結構。
2.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第一抗衰減圖案的所述開口為圓形開口、方形開口及菱形開口的其中之一。
3.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第一抗衰減圖案的所述開口的中心位置對應于所述底導角結構的正下方。
4.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第一抗衰減圖案的所述開口的最大開口尺寸不大于所述高頻信號傳輸線的底部線寬。
5.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述阻抗控制層為銀質材料層、鋁質材料層、銅質材料層、導電碳漿及導電粒子膠層的其中之一。
6.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述高頻信號傳輸線傳送至少一差模信號。
7.根據權利要求1所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述基板的第一表面上更形成有一導電屏蔽層，所述導電屏蔽層在沿著所述高頻信號傳輸線的延伸方向開設有一第二抗衰減圖案，所述第二抗衰減圖案包括有多個彼此相隔一距離的多個開口，且各個所述開口對應于所述高頻信號傳輸線的所述頂導角結構。
8.根據權利要求7所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口為圓形開口、方形開口及菱形開口其中之一。
9.根據權利要求7所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口的中心位置對應于所述頂導角結構的正上方。
10.根據權利要求7所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口的最大開口尺寸不大于所述高頻信號傳輸線的頂部線寬。
11.根據權利要求7所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述導電屏蔽層為銀質材料層、鋁質材料層、銅質材料層、導電碳漿及導電粒子膠層的其中之一。
12.根據權利要求7所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述高頻信號傳輸線傳送至少一差模信號。
13.—種軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，所述軟性電路板包括有: 一基板，具有一第一表面及一第二表面； 多條延伸的高頻信號傳輸線，布設在所述基板的第一表面上，各個所述高頻信號傳輸線彼此間隔一預定間距，所述高頻信號傳輸線存在一傾斜偏移量，而形成至少一底導角結構及一頂導角結構； 一覆蓋絕緣層，覆蓋在所述基板的第一表面及所述高頻信號傳輸線的表面； 其特征在于， 所述基板的第一表面上形成有一導電屏蔽層，所述導電屏蔽層在沿著所述高頻信號傳輸線的延伸方向開設有一第二抗衰減圖案，所述第二抗衰減圖案包括有多個彼此相隔一距離的多個開口，且各個所述開口對應于所述高頻信號傳輸線的所述頂導角結構。
14.根據權利要求13所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口為圓形開口、方形開口及菱形開口的其中之一。
15.根據權利要求13所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口的中心位置對應于所述頂導角結構的正上方。
16.根據權利要求13所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述第二抗衰減圖案的所述開口的最大開口尺寸不大于所述高頻信號傳輸線的頂部線寬。
17.根據權利要求13所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述導電屏蔽層為銀質材料層、鋁質材料層、銅質材料層、導電碳漿及導電粒子膠層的其中之一。
18.根據權利要求13所述的軟性電路板高頻信號傳輸線的抗衰減控制結構，其特征在于，所述高頻信號傳輸線傳送至少一差模信號。
【文檔編號】H05K1/02GK104244569SQ201310362891
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年8月19日 優先權日:2013年6月19日
【發明者】林崑津, 蘇國富, 卓志恒 申請人:易鼎股份有限公司