專利名稱：芍藥無土栽培產業化盆花生產方法
技術領域：
本發明屬于花卉無土栽培技術和花期調控技術領域，涉及芍藥無土栽培產業化盆花生產方法，具體涉及種苗選擇、栽培基質、施肥技術、環境調控技術。
背景技術：
近年來，隨著我國人民消費水平的不斷提高，特別是大中型城市中，對盆栽花卉種類的需求也越來越大。茍藥(Paeonia lactiflora Pali.)是處于產業化開發階段的傳統名花，具有深厚的歷史文化內涵和民族特色，其花大色艷，芳香馥郁，觀賞價值高，極具盆花生產的潛力。但由于受到其盆花栽培技術限制，目前仍多以露地觀賞栽培為主，從而也制約了芍藥盆花市場的發展和產業化的實現。
目前國外芍藥產業化栽培主要是露地切花生產，在自然花期提供切花產品，未見盆栽技術方面的報道。國內芍藥盆栽技術主要是采用無土盆栽進行春節催花，在品種篩選、盆栽基質篩選、營養特性及專用營養液研究有一定進展。目前，芍藥種苗的選擇和預處理方法不一，并沒有統一的操作規范，栽培的盆花品質不一，不利于大規模設施化生產；芍藥花期調控主要是通過催花栽培，在春節開花，基本仿照牡丹催花的技術方法，針對芍藥催花研究不多，且都是小規模、多品種的無土栽培模式，芍藥大規模、單一品種產業化生產技術尚未建立。

發明內容
為解決上述問題，本發明提供一種芍藥無土栽培產業化盆花生產方法。經過長期的試驗研究和驗證后，本發明人提供了一種芍藥品種‘大富貴’無土盆花產業化生產技術，包括種苗選擇及處理、栽培基質配制與消毒、配套施肥技術、促成栽培環境調控技術。詳述如下I)種苗的選擇及處理秋季地上器官枯萎后，挖取3 4年生分株苗作為種苗，預處理及消毒處理后進行移栽；2)栽培基質配制及消毒按照草炭蛭石珍珠巖體積比3:1:1混合作為無土栽培基質，進行化學消毒和高溫消毒；3)配套的施肥方法將芍藥生長階段劃分為6個時期，為萌芽期、莖伸長期、莖葉生長期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至莖伸長期施用N、P、K質量百分比分別為30% 10% :10%的的水溶性復合肥，每個時期各施用一次，施肥濃度為1.5g/L，施肥量為IL/株 次；莖葉生長期至成熟期施用N、P、K質量百分比分別為20% 20% 20%的水溶性復合月巴，每個時期各施用兩次，共施用4次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株·次；花后期施用N、P、K質量百分比分別為15% :10% 30%的水溶性復合肥，前兩個月每20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器官開始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株 次；4)促成栽培環境調控方法
溫度控制芍藥上盆后，放置于室外接受自然低溫，待溫度降至0°C之后，保持溫度在-4 4°c 40-60天；如果室外溫度低于-4°C時，用草席覆蓋于種植盆上以免植株受凍，或將盆移入溫室，溫室不加溫，使溫度保持在-4 4°C 40-60天；之后進行人工加溫，加溫第I 7天，日溫控制在10 15°C，夜溫5 10°C ;第8 17天，日溫控制在15 20°C，夜溫10 15°C ;第18 35天，日溫控制在20 25°C，夜溫10 15°C ;第36 45天，日溫控制在25 28°C，夜溫保持于15 °C;第46 60天，未售出的產品，日溫控制在20 25°C，夜溫保持15 18°C ;待室外平均溫度穩定于25°C時，撤除溫室塑料棚膜，或將盆花移出溫室，放于通風平坦開闊的地方；光照控制當芍藥植株移入溫室全部萌芽后，對其進行補光，使植株頂部光照強度達到200ymol/m2s，補光時間為早上6 00點至8 00點，晚上16 30至19:30 ；水分及濕度控制種苗上盆后澆水，之后保持基質濕潤，加溫催花過程中，溫室濕度控制在40-60%。
芍藥生長階段劃分如下萌芽期識別特征芍藥地上芽芽鱗開裂，緩慢生長，葉片聚生于枝頂，不外展。莖伸長期識別特征從芍藥種苗莖快速生長，葉片開始外展，至葉片基本平展、花雷不被葉片包被結束。莖葉生長期識別特征從葉片基本平展開始，至花蕾快速膨大結束。成熟期(可銷售期)識別特征株高生長停止，花萼裂開，花蕾外瓣松軟。花期識別特征為從第一朵花花瓣完全展開至最后一朵花花瓣凋謝。花后期識別特征全部花調謝后至地上器官完全枯萎為止。在本發明一個實施方案中，所述的方法還可包括進行病蟲害防治，具體包括移栽的芍藥移入溫室前，先用600-1000倍70%的代森錳鋅噴灑溫室，對溫室進行消毒；芍藥進入莖伸長期和莖葉生長期時，用2000倍45%的咪鮮胺水乳劑，1000倍液70%的代森錳鋅，1000倍液40%施佳樂，1500倍50%撲海因液交替噴灑，噴撒間隔為10 15天；如果發現根腐病，則用1000倍70%的代森錳鋅或1500 2000倍45%的咪鮮胺水乳劑，與2000倍阿維菌素或1000倍50%的辛硫磷交替灌根施用。其中，種苗預處理包括去除病、殘根和部分生長過密的根，并在傷口涂抹草木灰，同時去除干癟、過小和生長過密的部分芽體,芽數控制在10 12個。其中，種苗消毒處理包括用1000倍70%的代森錳鋅和2000倍阿維菌素的混合液浸泡15 20分鐘；若發現種苗根部存在土傳病害，用1000倍70%的代森錳鋅和1000倍50%的辛硫磷混合液浸泡15 20分鐘。其中，基質化學消毒和高溫消毒方法為基質的各組分在摻混的過程中同時噴灑1000倍70%的代森錳鋅或1500 2000倍45%的咪鮮胺水乳劑溶液對基質進行消毒；將混合好的基質用塑料薄膜覆蓋，晴天下堆放5 7天進行高溫消毒。其中，所述補光的方法為按照溫室植床的長軸走向，離植株盆I. 5米，每間距3米處安裝一盞400瓦的高壓鈉燈。在本發明優選的一個實施方案中，所述的芍藥的品種為‘大富貴’。
本發明有益效果本發明是建立在多年對芍藥盆花無土栽培技術、花期調控技術研究、生產環境控制技術、病蟲害防治技術系統研究基礎上，經過了多輪試驗種植和生產檢驗后提出的。使用該技術生產的‘大富貴’盆花，產品在北京地區花期比大田花期提前50 60天，成品率達100%，每盆開花5枝以上，花徑在12 15cm，株高為50 65cm，花色和花型正常，可以作為芍藥‘大富貴’無土盆花產業化生產使用。I、本發明提出了統一、科學的種苗選擇和種苗處理方法、將減少后期盆花生長發病的概率、使盆花株型更加美觀、產品規格更加統一、品質更好。2、本發明提出了一種適合‘大富貴’的盆花栽培基質，基質具有較好的浙水性和透氣性，保證了芍藥根部良好的生長環境，同時有一定的保溫性，防止基質溫度變動過大。
3、本發明提出了針對‘大富貴’盆花生產配套施肥技術、同施肥相對應的施肥時期的劃分和便于實際操作的不同時期的辨識圖譜，在實現芍藥盆花栽培精準施肥的同時更便于操作，減少了肥水損失，同時該方法在提高了盆花的產量和品質，實現不同生長階段更為科學的供肥。4、本發明提出了針對‘大富貴’盆花促成生產的設施環境調控技術，實現了溫度、光照、水分的分階段精細管理，同時擺脫了芍藥傳統促成栽培中需要冷庫進行低溫處理的制約，在降低生產成本的基礎上提高了盆花促成栽培的產量和質量。5、本發明針對‘大富貴’盆花促成生產的栽培中常見的病害提出了有效的解決方案，該方案對預防病害、病害出現后的處理等均效果顯著，提高了促成栽培中盆花的產量和品質。具體實施方法以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。實施例I2009年9月15日，將芍藥盆栽用基質以草炭蛭石珍珠巖按照體積比3:1:1混合均勻，基質混合的過程中同時噴灑1000倍70%的代森錳鋅對基質進行消毒。將混合好的基質堆放于室外開闊處，用塑料薄膜覆蓋，放置7天進行日光高溫消毒。2009年9月17日從大田取3 4年生芍藥品種‘大富貴’種苗，晾曬3天，同時去除干癟、過小和部分生長過密的芽，芽數控制在10 12個。去除腐、爛根和部分生長過密的根，將傷口涂抹草木灰，用1000倍70%的代森錳鋅和2000倍阿維菌素的混合液浸泡15 20分鐘。2009年9月21日 22日將準備好的‘大富貴’種苗上盆栽種于混合好的專用基質中，盆上口徑28cm，高30cm。并于栽種后澆I次透水,整齊擺放于通風、開闊的室外空地，之后保持基質濕潤即可。2009年12月20日，室外溫度已經降至_4°C后，為防止芍藥凍傷，將盆栽的芍藥‘大富貴’移入溫室，但溫室內不加溫，溫度控制在0°c (±4°C)，移入溫室后澆一遍透水。2010年I月20日溫室內開始逐步加溫，初期(第f 7天)，溫室日溫控制在10 15°C，夜溫5 10°C ;前期(第8 17天)，日溫控制在I 20°C，夜溫10 15°C ;中期(第18 35天)，日溫控制在25°C左右，夜溫10 15°C;后期(即可售期，第36 50天)日溫控制在25°C 30°C，夜溫保持于150C左右。花期時(第46 60天)，未售出的產品，可適當降低溫室溫度，日溫控制在20 25°C，夜溫保持15 18°C ;保持設施內最高溫度不超過30°C。根據芍藥品種‘大富貴’無土盆花產業化生產施肥時期的劃分及其標準圖譜對其進行施肥萌芽期至莖伸長期施用N、P、K質量百分含量為30% 10%10%的水溶性復合肥每個時期各施用一次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株·次；莖葉生長期至成熟期施用N、P、K質量百分含量為20% 20% 20%的水溶性復合肥，每個時期各施用兩次，共施用4次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株·次。當芍藥移入溫室完全萌芽后(約進溫室后15天)對溫室內進行補光。按照溫室植床的長軸走向，離植株盆I. 5米，每間距3米處安裝一盞400瓦的高壓鈉燈，植株頂部光照強度達到200ymol/m2so補光時間為早上6 00點至8 00點，晚上16 30至19:30。產品出售后即可停止補光。
芍藥移入溫室前，先用600-1000倍70%的代森錳鋅噴灑溫室，對溫室進行消毒。芍藥進入莖伸長期和莖葉生長期時，用2000倍45%的咪鮮胺水乳劑，1000倍液70%的代森錳鋅交替噴灑，各時期噴撒一次。基質干后澆水，I次澆透，溫室內濕度保持在50%左右，直到產品售出。于2010年6月15日，將沒有售出的盆花移出溫室，放置于提前搭好的遮光率為50%的遮陽網下，之后逐漸撤除遮陽網，使芍藥充分接受自然條件下的光照。沒有售出的產品花后施用N、P、K質量百分含量為15% :10% :30%的水溶性復合肥，前兩個月每20天施肥一次，約3次，之后每40天施肥一次，約2次，地上器官開始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥濃度為1.5g/L，施肥量為IL/株 次。水分管理同前。9月中下旬將地上器官部分減去，保持基質濕潤即可。當年未售出的盆花可進行下一批次的盆花催花生產。通過上述栽培方式生產的芍藥品種‘大富貴’盆花，產品在北京地區花期比大田花期提前50 60天，成品率達100%，每盆開花5枝以上，最高可達10枝，花徑在12 15cm，株高為50 65cm，花色和花型正常。以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種芍藥無土栽培產業化盆花生產方法，包括如下步驟 1)種苗的選擇及處理秋季地上器官枯萎后，挖取3 4年生分株苗作為種苗，預處理及消毒處理后進行移栽； 2)栽培基質配制及消毒按照草炭蛭石珍珠巖體積比3:1:1混合作為無土栽培基質，進行化學消毒和高溫消毒； 3)配套的施肥方法將芍藥生長階段劃分為6個時期，為萌芽期、莖伸長期、莖葉生長期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至莖伸長期施用N、P、K質量百分比分別為30% 10% 10%的的水溶性復合肥，每個時期各施用一次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株·次；莖葉生長期至成熟期施用N、P、K質量百分比分別為20% 20% 20%的水溶性復合肥，每個時期各施用兩次，共施用4次，施肥濃度為I. 5g/L，施肥量為IL/株·次；花后期施用N、P、K質量百分比分別為15% 10% :30%的水溶性復合肥，前兩個月每20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器官開始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥濃度為I. 5g/ L,施肥量為IL/株 次； 4)促成栽培環境調控方法 溫度控制芍藥上盆后，放置于室外接受自然低溫，待溫度降至0°C之后，保持溫度在-4 4°C 40-60天；如果室外溫度低于-4°C時，用草席覆蓋于種植盆上以免植株受凍，或將盆移入溫室，溫室不加溫，使溫度保持在-4 4°C 40-60天；之后進行人工加溫，加溫第I 7天，日溫控制在10 15°C，夜溫5 10°C;第8 17天，日溫控制在15 20°C，夜溫10 150C ;第18 35天，日溫控制在20 25°C，夜溫10 15°C ;第36 45天，日溫控制在25 28°C，夜溫保持于15°C ’第46 60天，未售出的產品，日溫控制在20 25°C，夜溫保持15 18°C;待室外平均溫度穩定于25°C時，撤除溫室塑料棚膜，或將盆花移出溫室，放于通風平坦開闊的地方； 光照控制當芍藥植株移入溫室全部萌芽后，對其進行補光，使植株頂部光照強度達到200ymol/m2s，補光時間為早上6 00點至8 00點，晚上16 :30至19:30 ； 水分及濕度控制種苗上盆后澆水，之后保持基質濕潤，加溫催花過程中，溫室濕度控制在 40-60%。
2.如權利要求I所述的方法，其特征在于，還包括進行病蟲害防治，具體包括 移栽的芍藥移入溫室前，先用600-1000倍70%的代森錳鋅噴灑溫室，對溫室進行消毒； 芍藥進入莖伸長期和莖葉生長期時，用2000倍45%的咪鮮胺水乳劑，1000倍液70%的代森錳鋅，1000倍液40%施佳樂，1500倍50%撲海因液交替噴灑，噴撒間隔為10 15天； 如果發現根腐病，用1000倍70%的代森錳鋅或1500 2000倍45%的咪鮮胺水乳劑，與2000倍阿維菌素或1000倍50%的辛硫磷交替灌根施用。
3.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于，種苗預處理包括去除病、殘根和部分生長過密的根,并在傷口涂抹草木灰，同時去除干癟、過小和生長過密的部分芽體,芽數控制在10 12個。
4.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于，種苗消毒處理包括用1000倍70%的代森錳鋅和2000倍阿維菌素的混合液浸泡15 20分鐘；若發現種苗根部存在土傳病害，用1000倍70%的代森錳鋅和1000倍50%的辛硫磷混合液浸泡15 20分鐘。
5.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于，基質化學消毒和高溫消毒方法為基質的各組分在摻混的過程中同時噴灑1000倍70%的代森錳鋅或1500 2000倍45%的咪鮮胺水乳劑溶液對基質進行消毒；將混合好的基質用塑料薄膜覆蓋，晴天下堆放5 7天進行高溫消毒。
6.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述補光的方法為按照溫室植床的長軸走向，離植株盆I. 5米，每間距3米處安裝一盞400瓦的高壓鈉燈。
7.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述的芍藥的品種為‘大富貴’。
全文摘要
本發明公開了一種芍藥無土栽培產業化盆花生產方法，包括種苗選擇及處理、栽培基質配制與消毒、配套施肥技術、促成栽培環境調控技術。使用該方法生產的芍藥‘大富貴’盆花，產品在北京地區花期比大田花期提前50～60天，成品率達100%，每盆開花5枝以上，花徑在12～15cm，株高為50～65cm，花色和花型正常，可以作為芍藥‘大富貴’無土盆花產業化生產使用。
文檔編號A01C21/00GK102960222SQ20121044895
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月12日 優先權日2012年11月12日
發明者劉燕, 韓婧, 牛立軍, 劉利剛, 劉愛青, 陳士寧 申請人:北京林業大學