本申請屬于植物栽培領域,具體地說,涉及一種三七無土栽培方法。
背景技術:
三七,中藥名。主產于云南文山州,故名文山三七,又名文州三七,為五加科植物三七Panax notoginseng(Burk.)F.H.Chen的干燥根和根莖。秋季花開前采挖,洗凈,分開主根、支根及根莖,干燥。支根習稱“筋條”,根莖習稱“剪口”。《本草綱目》記載三七具有如下功效:止血散血定痛,金刃箭傷、跌撲杖瘡、血出不止者,嚼爛涂,或為末摻之,其血即止。亦主吐血衄血,下血血痢,崩中經水不止,產后惡血不下,血運血痛,赤目癰腫,虎咬蛇傷諸病。
由于三七特殊的生物學特性,三七是典型的陰生植物,忌強光直射,三七種植過程中需要搭建蔭棚。蔭棚的透光率直接關系到三七的產量和質量。在三七種植過程中連作障礙比較嚴重,種植過三七的地塊,一般至少要休整10年以上才能種植。目前尚未找到有效的方法來緩解三七連作障礙問題,文山三七種植區域已從適宜區轉向次適宜區,三七將面臨無地可種的局面。
為了緩解由于三七連作障礙造成的三七種植土地資源緊缺的問題,采用了基質對三七進行無土栽培,來緩解三七種植土地資源緊缺的局面。
技術實現要素:
有鑒于此,本申請針對由于三七連作障礙造成的三七種植土地資源緊缺的問題,提供了一種三七無土栽培方法,此發明采用無土基質裝入花盆,將三七種苗移栽在花盆中,采用無土基質進行種植,實現三七無土栽培,來緩解三七種植土地資源緊缺的局面。
為了解決上述技術問題,本申請公開了一種三七無土栽培方法,包括以下步驟:
1)基地選址:選擇合適地塊;
2)基地建設:在選取的地塊進行三七蔭棚搭建;
3)基質處理:制備栽培基質,并把栽培基質裝入育苗盤內,放在搭建好的架子上;所述栽培基質為體積比為5:3:2的沸石、肥料和蛭石;或者,體積比為4:4:2的沸石、珍珠巖和草炭;或者體積比為2:2:2:1的珍珠巖、蛭石、草炭和玉米秸稈發酵有機肥;
4)移栽:將處理好的三七種苗栽種在處理好的基質內,一個花盆內栽種一株三七種苗,在花盆上蓋上松葉,松葉的量以看不見花盆內的基質為宜。松葉蓋完后,并澆上水;
5)管理:在三七出苗后,采用三七營養液以澆淋、撒施兩種方式補充三七所需養分;三七點播完成后,根據天氣情況,每周澆1次水,到雨水來臨。出苗后營養液每1個月補充1次,用量為每畝20kg;出苗后進行病害和蟲害防治,以后每個月進行病蟲害防治一次,至三七采挖。
進一步地,步驟1)中的基地選址中的地塊具體為:海拔為1400-1800米,年均溫15-17℃最冷月均溫8-10℃,最熱月均溫20-22℃,≥10℃的年積溫4500-5500℃,年降水量1000-1300毫米,無霜期300天以上的地區。
進一步地,步驟5)中的三七營養液為霍格蘭和阿農通用營養液和/或日本園藝配方均衡營養液配方。
進一步地,步驟5)中的病害防治采用50%多菌靈和10%多抗霉素;蟲害防治采用10%的吡蟲靈。
與現有技術相比,本申請可以獲得包括以下技術效果:
1)本發明的栽培的配方有三種,具體為:體積比為5:3:2的沸石、肥料和蛭石;體積比為4:4:2的沸石、珍珠巖和草炭;體積比為2:2:2:1的珍珠巖、蛭石、草炭和玉米秸稈發酵有機肥。
2)采用此配方進行三七栽培與傳統的三七栽培相比緩解由于三七連作障礙問題引起的三七土地資源緊張問題。
3)由于三七價格較高,目前三七種植采挖主要依靠人工進行,三七采挖仍然采用傳統的采挖方式進行,采用無土基質進行三七栽培將節約了三七采挖的人工用量,從而降低三七成本。傳統三七種植是種植在泥土里,由于泥土較硬,在三七采挖是需要用釘耙進行采挖,容易對三七造成機械損傷,從而降低三七質量;此發明采用無土基質進行栽培,相對于泥土較容易采挖,在采挖過程中造成機械損傷的程度較小,三七加工后品質較好。
4)采用無土栽培與傳統的三七栽培相比,無土栽培三七更方便管理,病蟲害發病率較低。
當然,實施本申請的任一產品必不一定需要同時達到以上所述的所有技術效果。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解,構成本申請的一部分,本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請,并不構成對本申請的不當限定。在附圖中:
圖1是本申請無土育苗與常規育苗方法的鮮重和干重的對比圖;
圖2是本申請無土育苗與常規育苗方法的株高和莖圍的對比圖。
具體實施方式
以下將配合實施例來詳細說明本申請的實施方式,藉此對本申請如何應用技術手段來解決技術問題并達成技術功效的實現過程能充分理解并據以實施。
本發明公開了一種三七無土栽培方法,包括以下步驟:
1)基地選址:海拔為1400-1800米,年均溫15-17℃最冷月均溫8-10℃,最熱月均溫20-22℃,≥10℃的年積溫4500-5500℃,年降水量1000-1300毫米,無霜期300天以上的地區選擇合適地塊。
2)基地建設:在選取的地塊進行三七蔭棚搭建。
3)基質處理:將沸石、肥料、蛭石按5:3:2均勻混合配制成栽培基質,沸石、珍珠巖、草炭按4:4:2均勻混合配制成栽培基質,珍珠巖、蛭石、草炭、玉米秸稈發酵有機肥的體積比為2:2:2:1均勻混合配制成栽培基質,并把配制好的基質裝入盆內。其中,肥料為農家肥、有機肥或者復合肥等。
4)移栽:將處理好的三七種苗栽種在處理好的基質內,一個花盆內栽種一株三七種苗,在花盆上蓋上松葉,松葉的量以看不見花盆內的基質為宜。松葉蓋完后,并澆上水。
5)管理:在三七出苗后,采用霍格蘭和阿農通用營養液及日本園藝配方均衡營養液配方配制營養液以澆淋、撒施兩種方式補充三七所需養分。三七點播完成后,根據天氣情況,每周澆1次水,到雨水來臨。出苗后營養液每1個月補充1次,用量為每畝20kg。出苗后采用50%多菌靈和10%多抗霉素進行病害防治。采用10%的吡蟲靈進行蟲害防治,以后每個月進行病蟲害防治一次,至三七采挖。
實施例1
一種三七無土栽培方法,包括以下步驟:
1)基地選址:海拔為1600米,年均溫16℃最冷月均溫9℃,最熱月均溫21℃,≥10℃的年積溫5000℃,年降水量1200毫米,無霜期300天以上的地區選擇合適地塊。
2)基地建設:在選取的地塊進行三七蔭棚搭建。
3)基質處理:將沸石、肥料、蛭石按5:3:2均勻混合配制成栽培基質,并把配制好的基質裝入盆內。
4)移栽:將處理好的三七種苗栽種在處理好的基質內,一個花盆內栽種一株三七種苗,在花盆上蓋上松葉,松葉的量以看不見花盆內的基質為宜。松葉蓋完后,并澆上水。
5)管理:在三七出苗后,采用霍格蘭和阿農通用營養液及日本園藝配方均衡營養液配方配制營養液以澆淋、撒施兩種方式補充三七所需養分。三七點播完成后,根據天氣情況,每周澆1次水,到雨水來臨。出苗后營養液每1個月補充1次,用量為每畝20kg。出苗后采用50%多菌靈和10%多抗霉素進行病害防治。采用10%的吡蟲靈進行蟲害防治,以后每個月進行病蟲害防治一次,至三七采挖。
實施例2
一種三七無土栽培方法,包括以下步驟:
1)基地選址:海拔為1400米,年均溫17℃最冷月均溫8℃,最熱月均溫22℃,≥10℃的年積溫4500℃,年降水量1300毫米,無霜期300天以上的地區選擇合適地塊。
2)基地建設:在選取的地塊進行三七蔭棚搭建。
3)基質處理:將沸石、珍珠巖、草炭按4:4:2均勻混合配制成栽培基質,并把配制好的基質裝入盆內。
4)移栽:將處理好的三七種苗栽種在處理好的基質內,一個花盆內栽種一株三七種苗,在花盆上蓋上松葉,松葉的量以看不見花盆內的基質為宜。松葉蓋完后,并澆上水。
5)管理:在三七出苗后,采用霍格蘭和阿農通用營養液及日本園藝配方均衡營養液配方配制營養液以澆淋、撒施兩種方式補充三七所需養分。三七點播完成后,根據天氣情況,每周澆1次水,到雨水來臨。出苗后營養液每1個月補充1次,用量為每畝20kg。出苗后采用50%多菌靈和10%多抗霉素進行病害防治。采用10%的吡蟲靈進行蟲害防治,以后每個月進行病蟲害防治一次,至三七采挖。
實施例3
一種三七無土栽培方法,包括以下步驟:
1)基地選址:海拔為1800米,年均溫15℃最冷月均溫10℃,最熱月均溫20℃,≥10℃的年積溫5500℃,年降水量1000毫米,無霜期300天以上的地區選擇合適地塊。
2)基地建設:在選取的地塊進行三七蔭棚搭建。
3)基質處理:將珍珠巖:蛭石、草炭、玉米秸稈發酵有機肥的體積比為2:2:2:1均勻混合配制成栽培基質,并把配制好的基質裝入盆內。
4)移栽:將處理好的三七種苗栽種在處理好的基質內,一個花盆內栽種一株三七種苗,在花盆上蓋上松葉,松葉的量以看不見花盆內的基質為宜。松葉蓋完后,并澆上水。
5)管理:在三七出苗后,采用霍格蘭和阿農通用營養液及日本園藝配方均衡營養液配方配制營養液以澆淋、撒施兩種方式補充三七所需養分。三七點播完成后,根據天氣情況,每周澆1次水,到雨水來臨。出苗后營養液每1個月補充1次,用量為每畝20kg。出苗后采用50%多菌靈和10%多抗霉素進行病害防治。采用10%的吡蟲靈進行蟲害防治,以后每個月進行病蟲害防治一次,至三七采挖。
對比例1
采用有土新地栽培的常規育苗方法。
從圖1可以看出,常規育苗方法(對比例1)的鮮重和干重分別為41.23g和11.67g,本發明無土育苗方法的鮮重和干重分別為34.23g和10.87g,本發明的鮮重和干重均低于對比例1;從圖2可以看出,常規育苗方法(對比例1)的株高和莖圍分別為44.40cm和20.89cm,本發明無土育苗方法的株高和莖圍分別為26.47cm和17.76cm,本發明的株高和莖圍均低于對比例1。
上述說明示出并描述了發明的若干優選實施例,但如前所述,應當理解發明并非局限于本文所披露的形式,不應看作是對其他實施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環境,并能夠在本文所述發明構想范圍內,通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離發明的精神和范圍,則都應在發明所附權利要求的保護范圍內。