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莖尖脫毒試管苗培養基及其制備方法與應用與流程

文檔序號:11163880閱讀:1255來源:國知局
本發明涉及植物培養
技術領域
,具體涉及一種莖尖脫毒試管苗培養基及其制備方法與應用。
背景技術
:馬鈴薯作為重要的糧食、蔬菜兼用作物,又宜作工業原料,可以與多種作物間作套種,同時,馬鈴薯的水分利用率是小麥和玉米的8倍,適合在山區旱地及水資源缺乏地區種植。因此,馬鈴薯作為一種主要農作物,種植面積日漸廣泛。然而,在多數地區,由于經濟貧困以及馬鈴薯生產技術落后等原因,多年來馬鈴薯種植呈“多、雜”的狀況。馬鈴薯的傳統種植方式是用薯塊作為營養體進行繁殖,導致馬鈴薯病毒隨著世代在母體內逐漸累積,從而造成種性退化,對生產造成很大危害。例如:在榆林地區,沙雜15具有多年的栽培歷史,無論產量和質量都很高,深受當地農民喜愛,在當地極有發展前景;但因病毒經過世代累積,該品種種性退化嚴重,脫毒需求亟待解決。作為常見的馬鈴薯病毒,pvx、pvy、plrv、pvs、pva、pvm和馬鈴薯紡錘塊莖類病毒(pstvd)等嚴重影響著馬鈴薯的種植。例如:河北省馬鈴薯種植區普遍發生pvy、pstvd病毒,成為太行山區馬鈴薯高產優質的限制因因子;pvy病毒嚴重時可減產80%以上;pstvd具有高度的侵染性,極易通過接觸、農具、衣物和切刀等進行汁液傳播?;谝陨犀F狀,傳統技術中研究了物理方法、化學方法及莖尖分生組織脫毒技術等方式來脫除馬鈴薯病毒,但均無法有效解決該問題。因此,提供一種新型的馬鈴薯抗病毒品種和脫毒種苗尤為重要。技術實現要素:針對現有技術中的缺陷,本發明旨在提供一種莖尖脫毒試管苗培養基及其制備方法與應用。本發明提供的培養基不僅可以顯著提高馬鈴薯試管苗的移栽成活率,而且馬鈴薯的薯產量顯著提高,病蟲害發生率顯著降低;此外,本發明的莖尖脫毒試管苗培養基應用方便,成本低廉,易于推廣普及。為此,本發明提供如下技術方案:第一方面,本發明提供一種莖尖脫毒試管苗培養基,培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg~0.5mg、赤霉素0.01mg~0.1mg,余量為ms培養基。在本發明的進一步實施方式中,還包括萘乙酸;且每升培養基中,萘乙酸的加入量為0.01mg~0.1mg。在本發明的進一步實施方式中,還包括d-泛酸鈣;且每升培養基中,d-泛酸鈣的加入量為0.01mg~0.5mg。在本發明的進一步實施方式中,原料組分還包括:檸檬酸0.005mg~0.01mg、硅藻土3g~8g、電氣石粉5g~10g以及石菖蒲0.3mg~0.8mg。在本發明的進一步實施方式中,調節培養基的ph值為5.3~5.5。第二方面,本發明提供的莖尖脫毒試管苗培養基在制備馬鈴薯莖尖脫毒試管苗中的應用,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理;s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理;s103:從s102得到的產物中剝取帶葉原基的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中;s104:將s103得到的產物進行組培苗培養,最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。在本發明的進一步實施方式中,莖尖脫毒試管苗培養基的制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5~3倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min,壓力約為103kpa。在本發明的進一步實施方式中,s102中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次;s103中,剝取帶葉原基的莖尖具體包括:剝取帶1~2個葉原基的莖尖,且莖尖的長度為0.2mm~0.5mm。在本發明的進一步實施方式中,s104中,進行組培苗培養具體包括:s301:將s103得到的產物于溫度為15℃~25℃,光照強度為2000lux~3000lux,光照時間為15~17h·d-1的條件下培養120d~140d;s302:待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;s303:待s302得到的產物形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養。在本發明的進一步實施方式中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為(5~8):1;第一光源為465nm~475nm的光源;第二光源包括685nm~695nm的光源和265nm~280nm的光源,且685nm~695nm的光源和265nm~280nm的光源的光照強度之比為(3~5):1。本發明提供的上述技術方案具有以下優點:(1)申請人經過大量研究發現:本發明提供的培養基不僅可以顯著提高馬鈴薯試管苗的移栽成活率,而且馬鈴薯的薯產量顯著提高,病蟲害發生率顯著降低;此外,本發明的莖尖脫毒試管苗培養基應用方便,成本低廉,易于推廣普及。(2)采用本發明提供的莖尖脫毒試管苗培養基培養得到的馬鈴薯苗葉片數多,葉色綠,根系豐富,盤根極好,且馬鈴薯抗逆性顯著增強,馬鈴薯的薯產量得到了顯著提高;且本發明提供的技術方案操作簡單、成本低廉,對改善種植戶生活具有重要意義,能促使馬鈴薯生產水平提高到一個新的水平。本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本發明的實踐了解到。具體實施方式下面將對本發明技術方案的實施例進行詳細的描述。以下實施例僅用于更加清楚的說明本發明的技術方案,因此只作為實例,而不能以此來限制本發明的保護范圍。下述實施例中的實驗方法,如無特殊說明,均為常規方法。下述實施例中所用的試驗材料,如無特殊說明,均為自常規試劑商店購買得到的。以下實施例中的定量試驗,均設置三次重復實驗,數據為三次重復實驗的平均值或平均值±標準差。需要說明的是,本發明選用馬鈴薯品種沙雜15,在榆林地區進行培養;當然,本發明的技術方案也適用于其他地區。本發明提供一種莖尖脫毒試管苗培養基,培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg~0.5mg、赤霉素0.01mg~0.1mg,余量為ms培養基。其中,調節培養基的ph值為5.3~5.5。優選地,原料組分還包括萘乙酸;且每升培養基中,萘乙酸的加入量為0.01mg~0.1mg。優選地,原料組分還包括d-泛酸鈣;且每升培養基中,d-泛酸鈣的加入量為0.01mg~0.5mg。優選地,原料組分還包括:檸檬酸0.005mg~0.01mg、硅藻土3g~8g、電氣石粉5g~10g以及石菖蒲0.3mg~0.8mg。另外,將本發明提供的莖尖脫毒試管苗培養基應用于馬鈴薯莖尖脫毒試管苗中,具體包括如下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶葉原基的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,剝取帶葉原基的莖尖具體包括:剝取帶1~2個葉原基的莖尖,且莖尖的長度為0.2mm~0.5mm;莖尖脫毒試管苗培養基的制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5~3倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物進行組培苗培養,最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,進行組培苗培養具體包括:s301:將s103得到的產物于溫度為15℃~25℃,光照強度為2000lux~3000lux,光照時間為15~17h·d-1的條件下培養120d~140d;s302:待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;s303:待s302得到的產物形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養。光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為(5~8):1;第一光源為465nm~475nm的光源;第二光源包括685nm~695nm的光源和265nm~280nm的光源,且685nm~695nm的光源和265nm~280nm的光源的光照強度之比為(3~5):1。下面結合具體實施方式進行說明:實施例一本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.3。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源和265nm的光源,且695nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。實施例二本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.5mg、赤霉素0.01mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.5。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的3倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為15℃,光照強度為3000lux,光照時間為15h·d-1的條件下培養140d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為5:1;第一光源為475nm的光源;第二光源包括685nm的光源和280nm的光源,且685nm的光源和280nm的光源的光照強度之比為5:1。另外,為了進一步凸顯本發明提供的莖尖脫毒試管苗培養基的優勢,設置實施例三至實施例六;需要說明的是,在實施例三至實施例六中,除培養基的原料組分外,其余均與實施例一相同。實施例三本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,萘乙酸0.05mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.3。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源和265nm的光源,且695nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。實施例四本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg、萘乙酸0.05mg、檸檬酸0.005mg、硅藻土8g、電氣石粉5g以及石菖蒲0.8mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.3。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源和265nm的光源,且695nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。實施例五本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,d-泛酸鈣0.3mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.3。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源和265nm的光源,且695nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。實施例六本發明提供一種馬鈴薯莖尖脫毒試管苗的制備方法,包括以下步驟:s101:選取馬鈴薯的薯型標準且健康的薯塊,之后在室溫下進行催芽處理;其中,催芽處理依次包括暗光處理和散射光處理。s102:待s101中的芽萌發至2cm~3cm時,選取芽段進行消毒處理。其中,消毒處理具體包括:用解剖刀切取芽段,之后將芽段用自來水沖洗40min以上,再用質量百分濃度為75%的酒精浸漬30s,放入無菌杯內用質量百分濃度為6%的次氯酸鈉溶液浸泡10min,最后用無菌水沖洗3次。s103:從s102得到的產物中剝取帶1~2個葉原基,且長度為0.2mm~0.5mm的莖尖,之后將生長點接入莖尖脫毒試管苗培養基中。其中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,d-泛酸鈣0.3mg,檸檬酸0.01mg、硅藻土3g、電氣石粉10g以及石菖蒲0.3mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.3。制備方法包括:s201:按比例稱取各原料組分,之后采用球磨的方式混合均勻,然后加水攪拌均勻;其中,水的加入質量為培養基各原料組分總質量的1.5倍;s202:將s201得到的產物置于高壓蒸汽滅菌鍋中,并于120℃高壓滅菌20min。s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源和265nm的光源,且695nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。另外,為了進一步凸顯本發明技術方案的優勢,設置以下對比例;下述對比例在實施例六的基礎上改變相關參數得到。對比例一本對比例與實施例六的培養基不同。具體地,s103中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,d-泛酸鈣0.3mg,檸檬酸0.01mg、硅藻土3g、電氣石粉10g以及石菖蒲0.3mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.6。對比例二本對比例與實施例六的培養基不同。具體地,s103中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,d-泛酸鈣0.3mg,檸檬酸0.01mg、硅藻土3g、電氣石粉10g以及石菖蒲0.3mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.2。對比例三本對比例與實施例六的培養基不同。具體地,s103中,莖尖脫毒試管苗培養基按每升計,包括下述原料組分:6-芐氨基嘌呤0.05mg、赤霉素0.1mg,d-泛酸鈣0.3mg,檸檬酸0.01mg、硅藻土3g、電氣石粉10g以及石菖蒲0.3mg,余量為ms培養基;調節培養基的ph值為5.8。對比例四本對比例與實施例六s104的光照條件不同。具體地,s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為465nm的光源;第二光源包括695nm的光源。對比例五本對比例與實施例六s104的光照條件不同。具體地,s104:將s103得到的產物于溫度為25℃,光照強度為2000lux,光照時間為17h·d-1的條件下培養120d,待出現明顯生長的小莖以及葉原基形成可見的葉子時,轉入ms培養基培養;待形成根系且具有3~4個葉片時,進行擴繁培養;最終得到馬鈴薯莖尖脫毒試管苗。其中,光照包括交替照射的第一光源和第二光源,第一光源與第二光源的光照時間之比為1:1,且光照強度之比為8:1;第一光源為695nm的光源;第二光源包括465nm的光源和265nm的光源,且465nm的光源和265nm的光源的光照強度之比為3:1。另外,將本發明各實施例和各對比例得到的馬鈴薯試管苗進行定期觀察記錄,系統評價其生長狀況。具體地,對各實施例和對比例最終得到的馬鈴薯試管苗進行觀察記錄,每種培養基均移栽200株,重復三次,定期觀察記錄;具體結果如表1所示。對于馬鈴薯試管苗株高,以采用常規培養基得到的馬鈴薯試管苗長勢作基準。表1不同培養基對馬鈴薯試管苗生長狀況的影響列表株高增加/%成活率/%葉數患病率/%生長狀況實施例一25.5893.26.61.21葉綠、白根多、盤根好實施例二26.3593.86.81.30葉綠、白根多、盤根好實施例三30.0696.27.90.79葉綠、白根多、盤根好實施例四36.5898.68.60.32葉綠、白根多、盤根好實施例五32.1896.88.10.76葉綠、白根多、盤根好實施例六38.5699.08.90.28葉綠、白根多、盤根好對比例一19.9875.64.23.95白根少、盤根差對比例二18.5374.54.54.06白根少、盤根差對比例三20.9276.44.63.68白根少、盤根差對比例四19.2572.24.03.93白根少、盤根差對比例五17.6373.54.34.08白根少、盤根差此外,申請人采用酶聯免疫吸附試驗法確認各實施例培養得到的馬鈴薯試管苗不帶有pvx、pvy、pvs、plrv、pva、pvm,且采用rt-pcr方法確認不帶有馬鈴薯紡錘塊莖類病毒。當然,除了實施例一至實施例六列舉的情況,其他原料組分的重量百分比、制備過程中的各條件和參數等也是可以的。本發明提供的培養基不僅可以顯著提高馬鈴薯試管苗的移栽成活率,而且馬鈴薯的薯產量顯著提高,病蟲害發生率顯著降低;此外,本發明的莖尖脫毒試管苗培養基應用方便,成本低廉,易于推廣普及。在本發明的描述中,需要理解的是,術語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中,“多個”的含義是兩個以上,除非另有明確具體的限定。在本說明書的描述中,參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中,對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且,描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外,在不相互矛盾的情況下,本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結合和組合。盡管上面已經示出和描述了本發明的實施例,可以理解的是,上述實施例是示例性的,不能理解為對本發明的限制,本領域的普通技術人員在本發明的范圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。當前第1頁12
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